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国内电源芯片12W贴片内置MOS待机功耗5V2.4A-PN8305M
国内电源芯片12W贴片内置MOS待机功耗5V2.4A-PN8305M
PN8305包括同步整流控制器及N型功率MOSFET,用于在高性能反激系统中替代次级整流肖特基二极管。PN8305内置电压降极低的功率MOSFET以提高电流输出能力,提升转换效率并降低芯片温度.PN8305处于开关工作模式,只适用于DCM和QR工作模式的开关电源系统。
机顶盒电源IC内置MOS六级能效18W插件-PN8159
机顶盒电源IC内置MOS六级能效18W插件-PN8159
PN8159内部集成了脉宽调制控制器和功率 MOSFET,用于高性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源。该芯片提供了性能优异的智能化保护功能。通过 PWM、Eco-mode、Burst-mode的三种脉冲功率调节模式混合技术和特殊器件低功耗结构技术实现负载范围效率。
原边反馈6级能效充电器驱动芯片-PN8235
原边反馈6级能效充电器驱动芯片-PN8235
PN8235集成待机功耗准谐振原边控制器及750V智能高压启动模块,外驱功率DMOS,外表Rg可调。PN8235用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。PN8235为原边反馈工作模式,可省略光耦和TL431。
待机功耗准谐振原边反馈交直流转换器-PN8370
待机功耗准谐振原边反馈交直流转换器-PN8370
PN8370 5V2.4A/5V2A集成待机功耗准谐振原边控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET,用于高性能、外围元器件精简的充电 器、适配器和内置电源。PN8370为原边反馈工作模式,可省略光耦和TL431。内置高压启动电路,可实现芯片空载损耗(230VAC ) 小于30mW。
高精度CC/CV原边反馈交直流转换器-PN8356
高精度CC/CV原边反馈交直流转换器-PN8356
PN8356 5V1A/5V1.2A包括高精度的恒压、恒流原边控制器及功率MOSFET,用于高性能、外围元器件精简的充电器和LED照明。 PN8356工作在原边检测模式,可省略光耦和TL431。
内置高压启动,宽输出范围非隔离交直流转换芯片-PN8015M
内置高压启动,宽输出范围非隔离交直流转换芯片-PN8015M
PN8015M集成PFM控制器及800V高雪崩能力智能功率MOSFET,用于外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源, 输出电压可通过FB 电阻调整。PN8015M 内置800V高压启动与自供电模块,实现系统快速启动、待机、自供电功能。该芯片提供了智能化保护功能,包括过载保护,欠压保护,过温保护。另外PN801...
非隔离效率高交直流转换芯片-PN8026R
非隔离效率高交直流转换芯片-PN8026R
PN8026R芯片内部集成了脉宽调制控制器和高雪崩能力的功率MOSFET,适用于小功率非隔离开关电源。该芯片提供了智能化保护功能,包括过流保护,过压保护,欠压保护,过温保护;降频调制技术有助于EMI特性。该芯片还内置启动模块,保证系统能迅速启动。应用系统的外围元件更加简洁。
芯朋微电子一级代理商授权半桥驱动芯片-PN7103
芯朋微电子一级代理商授权半桥驱动芯片-PN7103
PN7103是一款基于P衬底、P外延的高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动芯片,其浮地通道能工作在600V的高压下,可用于驱动2个N型功率MOSFET或IGBT组成半桥结构,该芯片逻辑输入电平兼容3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。输出具有大电流脉冲能力,传输延时具有匹配性,以简化在高频下的应用。
待机功耗效果高交直流转换芯片--PN8124F
待机功耗效果高交直流转换芯片--PN8124F
PN8124F芯片内部集成了脉宽调制控制器和高雪崩能力的功率MOSFET,适用于小功率非隔离开关电源。该芯片提供了的智能化保护功能,包括过流保护,过压保护,过载保护,欠压保护,过温保护;降频调制技术有助于EMI特性。该芯片还内置启动模块,保证系统能迅速启动。应用系统的外围元件更加简洁。
芯朋微DC-DC升压芯片--AP2005
芯朋微DC-DC升压芯片--AP2005
AP2005 是电流模式 DC-DC 升压转换器。它是内置 0.05欧姆功率 MOSFET的 PWM电路使转换器效率高。内部补偿电路也减少多达 6 个外部器件。误差放大器的同相输入端连接到一个精准的 0.6V基准电压。内部软启动功能,可降低浪涌电流。 AP2005 适应于 SOP8-PP 封装,为应用领域节省...
芯朋微36W PWM控制电源芯片-AP8266
芯朋微36W PWM控制电源芯片-AP8266
AP8266是一款高集成度的电流模式PWM控制芯片,典型功率12V3A,具有高性能、低待机功耗、低成本等特点。AP8266内置绿色降频工作模式,根据负载情况调节工作频率,减少了开关损耗,从而获得较低的待机功耗的较高的转换效率。同时AP8266提供了丰富的保护,包括:逐周期过流保护、过压保护、过压箝位、欠压锁存...
18V输出非隔离待机功耗转换芯片-芯朋微PN8126F
18V输出非隔离待机功耗转换芯片-芯朋微PN8126F
PN8126F芯片内部集成了脉宽调制控制器和高雪崩能力的功率MOSFET,适用于小功率非隔离开关电源。
非隔离12V3.6W开关电源转换芯片-芯朋微PN8024R
非隔离12V3.6W开关电源转换芯片-芯朋微PN8024R
PN8024R芯片内部集成了脉宽调制控制器和高雪崩能力的功率MOSFET,适用于小功率非隔离开关电源。
低待机功耗离线式开关电源IC--芯朋微AP8022
低待机功耗离线式开关电源IC--芯朋微AP8022
AP8022芯片内部集成了脉宽调制控制器和新一代的高可靠性功率MOSFET,适用于小功率离线式开关电源。该芯片提供的智能化保护功能,包括过流保护,过压保护,欠压保护,过温保护。
低待机功耗离线式开关电源IC—PN6012
低待机功耗离线式开关电源IC—PN6012
PN6012芯片内部集成了脉宽调制控制器和功率MOSFET,适用于小功率离线式开关电源。该芯片提供了完整的智能化保护功能,包括过流保护,欠压保护,过温保护和软启动功能。间歇工作模式能够降低系统处于待机模式时的功耗;抖频技术有助于EMI特性。该芯片还内置高压启动模块,保证系统能迅速启动。
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