快速充电器开关电源芯片-PN8276W

PN8276W内部集成了电流模式控制器和高压启动模块，专用于高性能的快速充电开关电源。PN8276W内置Boost电路以适应3- -20V的可变宽范围输出应用。该芯片通过检测输入电压、输出电压和负载变化自适应切换PWM、强制DCM、PFM和Burst _Mode工作模式，多模式的调制技术和特殊器件低功耗结构技...

隔离电机驱动芯片-PN7903

PN7903是一款光耦兼容型单通道隔离栅极驱动芯片,该芯片可以作为大功率MOSFET. SiC和IGBT的驱动开关。PN7903的输入级和光耦特性-致，并且引脚分配保持兼容，在良好兼容采用传统光耦设计的原理图、PCB的同时，提供了更好的可靠性和使用寿命。

隔离式双通道栅极驱动芯片-PN7922

PN7922是-款隔离式双通道栅极驱动芯片，该芯片可以作为大功率MOSFET和IGBT的驱动开关。PN7922每- -路至少提供4A拉电流和8A灌电流的峰值电流，并且具有较小的传播延时和脉冲宽度失真。

隔离式单通道栅极驱动芯片-PN7901

PN7901是-款隔离式单通道栅极驱动芯片，该芯片可以作为大功率MOSFET和IGBT的驱动开关。PN7901至少提供5A的隔离输出电流，井且具有较小的传播延时和脉冲宽度失真。输入逻辑控制管脚IN+和IN-能够在3V到20V的宽输入电压范围内工作，兼容3.3V和5V的信号控制。

带米勒钳位的隔离式单通道栅极驱动芯片-PN7901M

PN7901M是一款隔离式单通道栅极驱动芯片，该芯片可以作为大功率MOSFET. IGBT和SiC的驱动开关。PN7901M至少提供5A的隔离输出电流，并且具有3A拉电流的米勒钳位功能。输入逻辑控制管脚IN+和IN-能够在3.1V到24V的宽输入电压范围内工作。

高压三相栅极驱动芯片-PN7335

PN7335是- .款三相栅极驱动芯片，它能工作在600V的高压下，可用于驱动6个N沟道MOSFET或IGBT的三相全桥拓扑结构。输入信号可以兼容CMOS和LSTTL信号，逻辑输入电平低至3.3V.芯片集成过流检测功能，当检测到过流信号时会关断6路驱动输出信号。芯片具有使能功能可同时控制6路输出信号的开关。芯...

高低侧栅极驱动芯片-PN7011

PN7011是-款具有独立高低侧输出通道的高压高速驱动器,浮动通道可用于驱动高压电源开关，其工作电压高达150V,该芯片具有以下几个主要性能，峰值输出上拉和下拉电流提高到4A拉电流和4A灌电流，因此在MOSFET的米勒平台转换期间用尽可能小的开关损耗驱动大功率MOSFET。

双通道、高速低侧栅极驱动芯片-PN7762

PN7762是一款双通道、高速低侧栅极驱动芯片，该芯片可以作为大功率MOSFET和IGBT的驱动开关。PN7762的输出可以提供高达5A拉电流和5A灌电流的峰值电流脉冲，且输入信号到输出信号的传播延时极小，典型值为22ns。此外,该芯片的两个通道之间的传播匹配延时小于2ns，可 将两个通道并联使用。该芯片的输...

高低侧栅极驱动芯片-ID2006

ID2006是-款基于P衬底、P外延工艺的高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动芯片，具有独立的高低边参考输出通道。该浮动通道可用于驱动高侧配置的N沟道功率MOSFET,工作电压高达200V。输入信号可以兼容CMOS和LSTTL信号，逻辑输入电平低至3.3V。具有大电流输出能力。

高压侧栅极驱动芯片-ID2005

ID2005是一款基于P衬底，P外延工艺的高压，高速功辜MOSFET和IGBT驱动芯片，具有独立的高低边参考输出通道。该浮动通道可用于驱动高侧配置的N沟道功率MOSFET,工作电压高达200V。输入信号可以兼容CMOS和LSTTL信号,逻辑输入电平低至3.3V。具有大电流输出能力.

具有低功耗睡眠模式、外部限流可调的四通道直流马达驱动芯片-PN7713

PN7713是一款具有低功耗睡眠模式的四通道直流马达驱动芯片，其可以驱动一个步进电机、两个直流电机或者两通道并联驱动一个直流电机，控制马达进入正转、反转、刹车、滑行和超低功耗睡眠模式。该芯片集成了欠压保护、过温保护、输出短路保护和外部可调节驱动限流等功能，并且可以将错误状态反馈给MCU，保障马达安全工作。该芯...

具有低功耗睡眠模式、低导通内阻的两通道直流马达驱动芯片-PN7709

PN7709是--款具有低功耗睡眠模式的两通道直流马达驱动芯片，其可以控制马达进入正转、反转、刹车、滑行和超低功耗睡眠模式。该芯片集成了欠压保护、过温保护、输出短路保护和外部可调节驱动限流等功能，并且可以将错误状态反馈给MCU，保障马达安全工作。该芯片的两个输入管脚IN1和IN2兼容5V和3.3V信号控制，具...

具有超低功耗睡眠模式的四通道直流马达驱动芯片-PN7715

PN7715是一款具有超低功耗睡眠模式的四通道直流马达驱动芯片，其可以控制马达进入正转、反转和超低功耗睡眠模式。该芯片集成了欠压保护、过温保护、输出短路保护等功能。该芯 片的两个输入管脚IN1和IN2兼容5V和3.3V信号控制，具有良好的抗干扰性。芯片驱动级为HVCMOS结构，高侧导通电阻0.5ohm，...

电流模式PWM开关电源控制器–AP8262

AP8262是一款高性能电流模式PWM开关电源控制器，适用于固定频率电流模式控制架构的离线开关电源和DC-DC开关电源应用。芯片内部电路集成了基准电压源、频率外部设置的振荡器、高增益的误差放大器、用于提供逐周期电流限制的PWM比较器、大电流图腾柱式输出驱动，以及芯片的输入电压和参考电压的锁存逻辑。AP8262...

高压高低侧栅极驱动芯片- IDS609

IDS609是一款基于P衬底、P外延的高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动芯片。其浮地通道能工作在600V的高压下。可用于驱动2个N沟道功率MOSFET或IGBT构成的半桥拓扑结构。输入信号可以兼容CMOS和LSTTL信号，逻辑输入电平低至3.3V。具有大电流输出能力，输入端具有有效电平逻辑互锁功能，能够...

600V高性能半桥驱动- PN7195

PN7195是- -款单相半桥智能功率模块，用于无刷电机驱动，模块内部集成- - 颗智能HVIC和两颗低Rs(on)的FR-MOSFET。模块采用CSOP10封装，使用非常方便。输入兼容CMOS和LSTTL信号，逻辑输入电平兼容3.3V/5V/15V。模块内置多种保护功能，包括电源欠压保护、过流保护、过温保护...

600V高性能半桥马达驱动芯片- PN7193

PN7193是- -款单相半桥智能功率模块，用于无刷电机驱动，模块内部集成一- 颗智能HVIC和两.颗低Rs(on)的FR-MOSFET。模块采用CSOP10封装，使用非常方便。输入兼容CMOS和LSTTL信号，逻辑输入电平兼容3..3V/5V/15V。模块内置多种保护功能，包括电源欠压保护、过流保护、过温保...

四输出通道并行接口低侧驱动器-PN7736

PN7736是一款具有保护功能的四通道低侧驱动器，其内部低侧集成了四个N沟道MOSFET，高侧集成了四个功率二=极管，可为电感负载提供续提供1.5A 持续输出电流;同时输出时可提供800mA的持续工作电流。该芯片输出由简单的并行输入接口控制，内部集成了欠压保护、过温保护、输出短路保护等功能。

高性能易用型同步降压稳压器--AP2900

AP2900是一款高效率同步降压稳压器，在6V~ 40V宽输入范围内可提供 0.7A输出电流。AP2900的输出电压可通过与FB相连的分压电阻进行调节，开关频率为100kHz 。

同步整流架构固定5V输出的非隔离交直流转换芯片--AP8504

AP8504基于高ya同步整流架构，集成PFM控制器以及650V高可靠性MOSFET，用于外围元器件的小功率非隔离开关电源。AP8504内置650V高ya启动，实现系统迅速启动、低待机功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能，包括过流保护，欠压保护，过温保护。另外AP8504具有EMI特性。