适用于小家电,高性能外围元器件精简的充电器电源芯片--PN6770H

PN6770H集成待机功耗原边控制器及750V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。PN6770H为原边反馈工作模式，可省略光耦和TL431。内置高压启动电路，可实现芯片空载损耗（230VAC）小于50mW。在恒压模式，采用多模式技术音频噪声，使得系统满足 6级...

采用多模式技术,隔离式原边反馈转换器--PN6780H

PN6780H集成待机功耗原边控制器及750V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。PN6780H为原边反馈工作模式，可省略光耦和TL431。内置高压启动电路，可实现芯片空载损耗（230VAC）小于50mW。在恒压模式，采用多模式技术音频噪声，使得系统满足6级能...

内置启动电路,原边反馈交直流转换器--PN6775H

PN6775H集成待机功耗原边控制器及高雪崩能力智能功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。PN6775H为原边反馈工作模式，可省略光耦和TL431。内置启动电路，可实现芯片空载损耗（230VAC）小于50mW。在恒压模式，采用多模式技术音频噪声，使得系统满足6级能效标准，可调...

完整的智能化保护功能的交直流电源管理芯片--AP8507

AP8507基于高压同步整流架构，集成PFM控制器以及500V高可靠性MOSFET，用于外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源。AP8507内置500V高压启动，实现系统快速启动、待机功能。该芯片提供了智能化保护功能，包括过载保护，欠压保护，过温保护。另外AP8507具有优异的EMI特性。

外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源的芯片--PN8395H

PN8395H集成待机功耗准谐振原边控制器及800V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。PN8395H为原边反馈工作模式，可省略光耦和TL431，支持CCM和DCM两种工作模式。内置高压启动电路，可实现芯片空载损耗（230VAC）小于50mW。在恒压模式，采用...

内置500V高压启动与自供电模块转换芯片--AP8005A

AP8005A集成PFM控制器及500V高雪崩能力智能功率 MOSFET，用于外围元器件精简的小功率非隔离开关电源。 AP8005A内置500V高压启动与自供电模块，实现系统快速启动、待机、自供电功能。该芯片提供的智能化保护功能，包括过载保护，欠压保护，过温保护。另外AP8005A的降频调制技术有助于EM...

系统快速启动、待机功能的非隔离交直流转换芯片--PN8505A

PN8505A基于高压同步整流架构，集成PFM控制器以及550V高可靠性MOSFET，用于外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源。PN8505A内置550V高压启动，实现系统快速启动、待机功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能，包括过流保护，欠压保护，过温保护。另外PN8505A具有优异的EMI特性。

用于大功率电源,X电容放电芯片--PN8200

PN8200是一款具有两个端子的X电容放电用芯片，其待机损耗低同时能够满足电源系统的安规标准。PN8200内置了两个高压VDMOS开关，可有效的保护芯片避免雷击或浪涌的应力。芯片通过两个放电电阻接入到开关电源的交流输入端，当AC电压接入时，会有低的电流流进芯片，芯片的待机损耗功率在5mW以内，当AC电压断电后...

用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源转换器--PN6775

PN6775集成待机功耗原边控制器及高雪崩能力智能功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。PN6775为原边反馈工作模式，可省略光耦和TL431。内置高压启动电路，可实现芯片空载损耗（230VAC）小于50mW。在恒压模式，采用多模式技术音频噪声，使得系统满足6级能效标准，可调...

印度市场,内置800V BJT,低成本原边反馈电源芯片--MD70H

MD70H集成低待机功耗准谐振原边控制器及BJT,用于低成本、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源. MD70H为原边反馈工作模式,可省略光耦和TL431.在恒压模式,采用准谐振与多模式技术清除音频噪声,使得系统满足6级能效标准,可调输出线补偿功能能使系统获得较好的负载调整率;在恒流模式,输出电流和功率可...

低噪声电荷泵 DC/DC转换电路--AP2104B

AP2104B是一个具备低噪声、恒定开关频率特性（400kHz）的电容式电压倍增器。输入2.7--5.5V，产生恒定的 5V 输出电压，输出电流能达到250mA。较少的外部器件（仅有一只自举电容和 VIN 以及 VOUT 上的2只旁路电容）使得 AP2104B适合应用于电池供电的小型设备。 本电路采用新...

用于高性能,内置650V高雪崩能力的功率MOSFET电源管理芯片--PN6147

PN6147内部集成了脉宽调制控制器和功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源。该芯片提供性能优异的智能化保护功能，包括周期式过流保护（外部可调）、过载保护、过压保护、CS短路保护、软启动功能。通过Hi-mode、Eco-mode、Burst-mode的三种脉冲功率调节模式混合技术和器...

内置700V高雪崩能力智能功率MOSFET--PN6013

PN6013集成待机功耗准谐振原边控制器及高雪崩能力智能功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。PN6013为原边反馈工作模式，可省略光耦和TL431。内置高压启动电路，可实现芯片空载损耗（230VAC）小于50mW。在恒压模式，采用准谐振与多模式技术清除音频噪声，使得系统满足...

12W待机功耗原边反馈交直流电源管理芯片--PN8680M

PN8680M集成待机功耗原边控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。PN8680M为原边反馈工作模式，可省略光耦和TL431。内置启动电路，可实现芯片空载损耗（230VAC）小于50mW。在恒压模式，采用多模式技术清除音频噪声，使得系统满足6级能...

固定5V输出的200V高耐压非隔离DC-DC转换器--PN6005

PN6005集成PFM控制器及200V高雪崩能力智能功率 MOSFET，用于外围元器件的小功率非隔离开关电源。 PN6005内置200V高压启动与自供电模块，实现系统快速启动、待机、自供电功能。该芯片提供了智能化保护 功能，包括过载保护，欠压保护，过温保护。另外PN6005的降频调制技术有助于EMI特性。

带启动模块准谐振交直流转换芯片--PN8275

PN8275内部集成了电流模式控制器和启动模块，用于高性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源。该芯片通过QR-PWM、QR-PFM、Burst-mode的三种模式混合调制技术和特殊器件低功耗结构技术实现了的待机功耗、电压范围下的效率。频率调制技术和SoftDriver技术充分保证系统的良好EMI表现。同时，...

支持连续电流模式内置功率MOS的同步整流器--PN8308H

PN8308H包括同步整流控制器及N型功率MOSFET，用于在高性能AC/DC反激系统中替代次级整流肖特基二极管。 PN8308H内置电压降低的功率MOSFET以提高电流输出能力，提升转换效率，使得系统效率可以满足6级能效的标准，并留有足够的裕量。PN8308H集成的辅助功能，包含输出欠压保护、导通时间等功...

高精度的恒压、恒流原边控制器及功率MOSFET--PN8360P

PN8360P包括高精度的恒压、恒流原边控制器及功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的充电器和LED照明。 PN8360P工作在原边检测模式，可省略光耦和TL431。该芯片提供的自恢复保护功能，包含逐周期过流保护、过压保护、开环保护、过温保护、输出短路保护和CS电阻开/短路保护等。内置启动电路和芯片...

外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源芯片--PN8011

PN8011集成PFM控制器及800V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源，输出电压可通过FB电阻调整。PN8011内置800V高压启动与自供电模块，实现系统快速启动、待机、自供电功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能，包括过载保护，欠压保护，过温保护。另外PN8011的...

基于P衬底、P外延的高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动芯片--PN7103

PN7103 是一款基于 P衬底、P外延的高压、高速功率 MOSFET和 IGBT驱动芯片。其浮地通道能工作在600V的高压下，可用于驱动 2个N型功率 MOSFET或 IGBT组成的半桥结构。该芯片逻辑输入电平兼容 3.3V的CMOS或 LSTTL逻辑输出电平。输出具有大电流脉冲能力。传输延时具有匹...