待机功耗多模式准谐振原边反馈交直流转换器--PN8395

PN8395集成待机功耗准谐振原边控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。PN8395为原边反馈工作模式，可省略光耦和TL431，支持CCM和DCM两种工作模式。内置启动电路，可实现芯片空载损耗（230VAC）小于50mW。在恒压模式，采用准谐振、...

集成PFM控制器及500V高可靠性MOSFET--AP8003

AP8003集成PFM控制器及500V高可靠性MOSFET，用于外围元器件精简的小功率非隔离开关电源。AP8003内置500V高压启动，实现系统快速启动、待机功能。该芯片提供的智能化保护功能，包括过载保护，欠压保护，过温保护。另外AP8003具有优异的EMI特性。

200V耐压DC-DC隔离转换器--PN6380

PN6380集成准谐振原边控制器及200V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的低直流输入电压隔离电源和电动自行车内置电源。PN6380为原边反馈工作模式，可省略光耦和TL431。内置启动电路，可实现芯片空载损耗（120VDC）小于150mW。在恒压模式，采用准谐振与多模式技术清除音频噪...

零待机模式超低相线电流原边反馈交直流电源管理芯片--PN6367

PN6367集成零待机模式的准谐振原边控制器及典型720V高雪崩能力智能功率MOSFET，适用于高性能、外围元器件精简的智能断路器电源。PN6367为原边反馈工作模式，可省略光耦和TL431，并且PN6367提供可控零待机模式，此时相线电流平均值可小于0.10mA。在恒压模式，输出电压通过FB脚的电阻比例进行...

高精度CC/CV原边反馈交直流转换器--PN8359

PN8359包括高精度的恒压、恒流原边控制器及功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的充电器和LED照明。PN8359工作在原边检测和调整模式，可省略光耦和TL431。该芯片提供了自恢复保护功能，包含逐周期过流保护、过压保护、开环保护、过温保护、输出短路保护和CS开/短路保护等。内置高压启动电路和极低的...

200V高耐压DC-DC降压型转换器--PN6055

PN6055集成PFM控制器及200V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于外围元器件精简的小功率非隔离开关电源,固定输出电压。PN6055内置200V高压启动模块，实现系统快速启动、待机功能。该芯片提供的智能化保护功能，包括过载保护，欠压保护，过温保护。另外PN6055的降频调制技术有助于EMI特性。

2A, 18V 同步整流降压转换器--AP2952A

AP2952A是一款单片同步整流降压稳压器，它集成了导通阻抗130m?的MOSFET，可以在很宽的输入电压范围（4.75V-18V）内提供2A的负载能力。电流模式控制使其具有很好的瞬态响应和单周期内的限流功能。 可调的软启动时间能避免开启瞬间的冲击电流，在停机模式下，输入电流小于1uA。 AP2952A封...

单片同步2A, 18V 同步整流降压转换器--AP2952

AP2952是一款单片同步整流降压稳压器，它集成了导通阻抗130m?的MOSFET，可以在很宽的输入电压范围（4.75V-18V）内提供2A的负载能力。电流模式控制使其具有很好的瞬态响应和单周期内的限流功能。 可调的软启动时间能避免开启瞬间的冲击电流，在停机模式下，输入电流小于1uA。 AP2952封...

800V高雪崩能力低待机功耗离线式开关电源IC--AP8022H

AP8022H芯片内部集成了脉宽调制控制器和800V高雪崩能力智能功率MOSFET，适用于小功率离线式开关电源。该芯片提供的智能化保护功能，包括过流保护，欠压保护，过温保护和软启动功能。间歇工作模式能够降低系统处于待机模式时的功耗；抖频技术有助于EMI特性。该芯片还内置高压启动模块，保证系统能迅速启动。

智能功率MOSFET待机功耗准谐振原边反馈交直流转换器--PN8366M/H

PN8366集成待机功耗准谐振原边控制器及高雪崩能力智能功率MOSFET(PN8366M 700V, PN8366H 800V)，用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。PN8366为原边反馈工作模式，可省略光耦和TL431。内置启动电路，可实现芯片空载损耗（230VAC）小于30mW。在恒压模...

软启动功能低待机功耗离线式开关电源IC--AP8012H

AP8012H芯片内部集成了脉宽调制控制器和功率MOSFET，适用于小功率离线式开关电源。该芯片提供了完整的智能化保护功能，包括过流保护，欠压保护，过压保护，过温保护和软启动功能。间歇工作模式能够降低系统处于待机模式时的功耗；抖频技术有助于EMI特性。该芯片还内置高压启动模块，保证系统能迅速启动。

600kHz，15V，10A 高功率密度SO8-EP封装同步升压转换器--AP2018

AP2018是一款高功率密度，同步升压转换器，可由宽输入电压范围2.7V~9V供电。宽泛的输入电压范围非常适用于单节或双节锂离子电池便携设备，例如带有高压充电端口HVDCP的移动电源。由于采用电流模PWM控制架构,AP2018在定频时可获得瞬态响应，在轻载时处于PFM模式可获得省电效果。芯片集成了低RDS(O...

同步PFM升压DC/DC转换器--AP2203

AP2203系列是PFM控制的开关型DC/DC升压稳压芯片，其内部主要由参考电压基准，振荡器，比较器组成，输出电压纹波低，转换效率高，带载能力强。AP2203外围仅需一个电感和一个电容。当CONT点电压超过限定值时保护电路会关断内置场效应管以防止器件损坏。其保护特性及小封装和低功耗特性非常适合应用于便携式产品...

内置功率MOS的高性能同步整流器--PN8306H

PN8306H包括同步整流控制器及高雪崩能力功率MOSFET，用于在高性能AC/DC反激系统中替代次级整流肖特基二极管。PN8306H内置电压降低的功率MOSFET以提高电流输出能力，提升转换效率，使得系统效率可以满足6级能效的标准，并留有足够的裕量。PN8306H集成的辅助功能，包含输出欠压保护、输出过压钳...

网格状高压力高功率MOSFET--PN7308

The PN7308 is a high voltage, high speed power MOSFET and IGBT driver based on P_SUB P_EPI process. The floating channel driver can be used to drive two N-...

网格状高功率MOSFET--PN7303

The PN7303 is a high voltage, high speed power MOSFET and IGBT driver based on P_SUB P_EPI process. The floating channel driver can be used to drive two N-...

高压力,高功率MOSFET--PN7106A/B

The PN7106A/B is a high voltage, high speed power MOSFET and IGBT driver based on P_SUB P_EPI process. The floating channel driver can be used to drive two...

高、低驱动程序高功率MOSFET--PN7113

The PN7113 is a high voltage, high speed power MOSFET and IGBT driver with independent high and low side referenced output channels based on P_SUB P_EPI pr...

高电压,高功率驱动MOSFET--PN7104

The PN7104 is a high voltage, high speed power MOSFET and IGBT driver based on P_SUB P_EPI process. The floating channel driver can be used to drive two N-...

网格状电机驱动芯片--PN7103

The PN7103 is a high voltage, high speed power MOSFET and IGBT driver based on P_SUB P_EPI process. The floating channel driver can be used to drive two N-...