600kHz，15V，10A 高功率密度SO8-EP封装同步升压转换器--AP2018

AP2018是一款高功率密度，同步升压转换器，可由宽输入电压范围2.7V~9V供电。宽泛的输入电压范围非常适用于单节或双节锂离子电池便携设备，例如带有高压充电端口HVDCP的移动电源。由于采用电流模PWM控制架构,AP2018在定频时可获得瞬态响应，在轻载时处于PFM模式可获得省电效果。芯片集成了低RDS(O...

芯朋微授权代理商DC-DC同步PFM升压转换芯片-AP2203

AP2203系列是PFM控制的开关型DC/DC升压稳压芯片，其内部主要由参考电压基准，振荡器，比较器组成，输出电压纹波低，转换效率高，带载能力强。AP2203外围仅需一个电感和一个电容。当CONT点电压超过限定值时保护电路会关断内置场效应管以防止器件损坏。其保护特性及小封装和低功耗特性非常适合应用于便携式产品...

内置功率MOS的高性能同步整流器--PN8306H

PN8306H包括同步整流控制器及高雪崩能力功率MOSFET，用于在高性能AC/DC反激系统中替代次级整流肖特基二极管。PN8306H内置电压降低的功率MOSFET以提高电流输出能力，提升转换效率，使得系统效率可以满足6级能效的标准，并留有足够的裕量。PN8306H集成的辅助功能，包含输出欠压保护、输出过压钳...

网格状高压力高功率MOSFET--PN7308

The PN7308 is a high voltage, high speed power MOSFET and IGBT driver based on P_SUB P_EPI process. The floating channel driver can be used to drive two N-...

网格状高功率MOSFET--PN7303

The PN7303 is a high voltage, high speed power MOSFET and IGBT driver based on P_SUB P_EPI process. The floating channel driver can be used to drive two N-...

高压力,高功率MOSFET--PN7106A/B

The PN7106A/B is a high voltage, high speed power MOSFET and IGBT driver based on P_SUB P_EPI process. The floating channel driver can be used to drive two...

芯朋微代理高低侧栅极驱动IC--PN7113

PN7113是一款基于P_SUBP_EPI工艺的高压、高速功率MOSFET和IGBT高低侧驱动芯片。其浮地通道能工作在600V的高压下，可用于驱动2个N型功率MOSFET或IGBT结构。该芯片逻辑输入电平兼容低至3V的CMOS 或LSTTL逻辑输出电平。输出具有大电流脉冲能力。传输延时具有匹配性，以简化在高频...

高电压,高功率驱动MOSFET--PN7104

The PN7104 is a high voltage, high speed power MOSFET and IGBT driver based on P_SUB P_EPI process. The floating channel driver can be used to drive two N-...

网格状电机驱动芯片--PN7103

The PN7103 is a high voltage, high speed power MOSFET and IGBT driver based on P_SUB P_EPI process. The floating channel driver can be used to drive two N-...

高、低驱动程序电机驱动芯片--PN7101

The PN7101 is a high voltage, high speed power MOSFET and IGBT driver based on P_SUB P_EPI process. The floating channel driver can be used to drive two N-...

高压供电驱动芯片--PN7008A/B

The PN7008 is a high voltage, high speed power MOSFET and IGBT driver. The floating channel driver can be used to drive two N-channel power MOSFET or IGBT ...

120V高、低驱动程序电机驱动芯片--PN7006A/B

The PN7006 is a high voltage, high speed power MOSFET and IGBT driver based on P_SUB P_EPI process. The floating channel driver can be used to drive two N-...

18V0.6A高性能非隔离电源管理芯片--PN8048M

PN8048M集成PFM控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET ，用于外围元器件小功率非隔离开关电源。 PN8048M内置650V高压启动模块，实现系统快速启动、待机功能。该芯片提供的智能化保护功能，包括过载保护，欠压保护，过温保护。另外PN8048M 的降频调制技术有助于EMI特性。

650V高雪崩能力高性能18V0.5A非隔离电源管理芯片--PN8046M

PN8046M 集成PFM控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET ，用于外围元器件的高功率非隔离开关电源。 PN8046M内置650V高压启动模块，实现系统快速启动、待机功能。该芯片提供的智能化保护功能，包括过载保护，欠压保护，过温保护。另外PN8046M的降频调制技术有助于EMI特性。

非隔离交直流电源管理芯片--PN8038M

PN8038M集成PFM控制器及650V 高雪崩能力智能功率MOSFET ，用于外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源。 PN8038M内置650V高压启动模块，实现系统快速启动、待机功能。该芯片提供的智能化保护功能，包括过流保护，欠压保护，过温保护。另外PN8038M 的降频调制技术有助于EMI特性。

外围元器件极精简,宽输出范围非隔离交直流转换芯片-PN8036M

PN8036M集成PFM控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET ，用于外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源。 PN8036M内置650V高压启动模块，实现系统快速启动、待机功能。该芯片提供了智能化保护功能，包括过流保护，欠压保护，过温保护。另外PN8036M的降频调制技术有助于EMI特性 。

芯朋微一级代理商待机功耗准谐振交直流电源管理芯片—PN8160

PN8160内部集成了电流模式控制器和功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源。该芯片提供了性能优异的智能化保护功能，包括输出过压保护、周期式过流保护、过载保护、软启动功能。通过QR-PWM、QR-PFM、Burst-mode的三种模式混合调制技术和器件低功耗结构技术实现了待机功耗、电...

6级能效标准内置功率MOS的高性能同步整流器--PN8306L

PN8306L包括同步整流控制器及高雪崩能力功率MOSFET,用于在高性能AC/DC反激系统中替代次级整流肖特基二极管。PN8306L内置电压降极低的功率MOSFET以提高电流输出能力，提升转换效率,使得系统效率可以满足6级能效的标准，并留有足够的裕量。PN8306L集成的辅助功能，包含输出欠压保护、输出过压...

高性能多模式PWM控制芯片--AP8268

芯朋微代理商提供内置800V高压启动宽输出范围非隔离交直流电源管理芯片—PN8016

PN8016集成PFM控制器及800V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源， 输出电压可通过FB 电阻调整。PN8016内置800V高压启动与自供电模块，实现系统快速启动、待机、自供电功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能，包括过载保护，欠压保护，过温保护。另外PN801...