具有热调节功能的独立线性锂电池充电器--AP5054B

AP5054B是一个单片锂离子电池恒流/恒压线性电源管理芯片，其SOT封装的极少的外围元件非常适合应用于便携式产品，而且AP5054B专门设计适用于USB的供电规格。基于内部MOSFET结构，不需要外部感应电阻的隔离二极管，当外部环境温度过高或在大功率工作时，热反馈可以调节充电电流以降低芯片温度。充电电压被固...

650V高雪崩能力宽输出范围非隔离交直流转换芯片--PN8046

PN8046集成PFM控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于外围元器件精简的小功率非隔离开关电源。 PN8046内置650V高压启动模块，实现系统快速启动、待机功能。该芯片提供了智能化保护功能，包括过载保护， 欠压保护，过温保护。另外PN8046的降频调制技术有助于EMI特性。

集成高压启动的同步整流控制器--PN8300

PN8300是一款内置高压启动同步整流控制器，通过外驱N型功率MOSFET，用于在高性能反激系统中替代次级整流肖特 基二极管，以提升系统的转换效率。 PN8300处于开关工作模式，只适用于DCM和QR工作模式的开关电源系统。当芯片检测到VDET<-400mV，控制器驱动外 部的功率MOSFET开启；当芯...

1MHz,微功率同步升压型转换器--AP2000

AP2000 是一款1.2MHz 固定开关频率，效率高，同步升压转换器。能够用于单节干电池产生3.3V电压并提供100mA 以上的驱动能力。AP2000 内部集成了NMOS 主开关管和PMOS 的同步整流管，1.2MHz的开关频率可以使用小型化的电感和陶瓷电容，减小了整体应用方案尺寸。电流模式PWM 方式的内...

1MHz,2A升压转换器--AP2008

AP2008是一个恒定频率峰值电流模式的异步PWM升压转换器。需要一个外部肖特基二极管。在轻负载时，AP2008工作在轻负载模式。静态电流为100uA，内部NMOS管导通电阻为200mΩ，保证在整个输出负载范围内效率高。2A峰值电流使得AP2008可以提供1A输出负载电流，非常适应于MID和移动电源。输入电压...

六级能效待机功耗准谐振原边反馈交直流转换器-PN8370M

PN8370M集成待机功耗准谐振原边控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的充电 器、适配器和内置电源。PN8370为原边反馈工作模式，可省略光耦和TL431。内置高压启动电路，可实现芯片空载损耗（230VAC ） 小于30mW。

N型功率MOSFET集成高压启动的高性能同步整流器--8305L

PN8305L包括同步整流控制器及N型功率MOSFET，用于在高性能反激系统中替代次级整流肖特基二极管。PN8305L内置电压降极低的功率MOSFET以提高电流输出能力，提升转换效率并降低芯片温度.PN8305L处于开关工作模式，只适用于DCM和QR工作模式的开关电源系统。

电流模式PWM控制芯片--AP8267

AP8267是高度集成的电流模式PWM控制芯片，具有高性能、低待机功耗、低成本等特点。AP8267内置绿色降频工作模式，根据负载情况调节工作频率，减少了开关损耗，从而获得较低的待机功耗和较高的转换效率，同时集成了峰值功率模块，通过升频电路可有效的减小变压器的磁通和磁芯体积。

脉宽调制控制器待机功耗交直流转换芯片--PN8145

PN8145内部集成了脉宽调制控制器和功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源。

芯朋微电子12V0.3A非隔离小家电电源管理芯片-PN8034M

PN8034M电源管理芯片集成PFM控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源， PN8034M 内置650V高压启动模块，实现系统快速启动、待机功能。该芯片提供的智能化保护功能，包括过流保护，欠压保护，过温保护。另外PN8034M的降频调制技术有助于EMI特性...

内置650V高压启动模块宽输出 非隔离电源管理芯片-PN8044M

PN8044M集成PFM控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于外围元器件的小功率非隔离开关电源， PN8044M 内置650V高压启动模块，实现系统快速启动、待机功能。该芯片提供的智能化保护功能，包括过载保护，欠压保护，过温保护。另外PN8044M的降频调制技术有助于EMI特性。

国内电源芯片12W贴片内置MOS待机功耗5V2.4A-PN8305M

PN8305包括同步整流控制器及N型功率MOSFET，用于在高性能反激系统中替代次级整流肖特基二极管。PN8305内置电压降极低的功率MOSFET以提高电流输出能力，提升转换效率并降低芯片温度.PN8305处于开关工作模式，只适用于DCM和QR工作模式的开关电源系统。

机顶盒电源IC内置MOS六级能效18W插件-PN8159

PN8159内部集成了脉宽调制控制器和功率 MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源。该芯片提供了性能优异的智能化保护功能。通过 PWM、Eco-mode、Burst-mode的三种脉冲功率调节模式混合技术和特殊器件低功耗结构技术实现负载范围效率。

原边反馈6级能效充电器驱动芯片-PN8235

PN8235集成待机功耗准谐振原边控制器及750V智能高压启动模块，外驱功率DMOS，外表Rg可调。PN8235用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。PN8235为原边反馈工作模式，可省略光耦和TL431。

待机功耗准谐振原边反馈交直流转换器-PN8370

PN8370 5V2.4A/5V2A集成待机功耗准谐振原边控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的充电 器、适配器和内置电源。PN8370为原边反馈工作模式，可省略光耦和TL431。内置高压启动电路，可实现芯片空载损耗（230VAC ） 小于30mW。

高精度CC/CV原边反馈交直流转换器-PN8356

PN8356 5V1A/5V1.2A包括高精度的恒压、恒流原边控制器及功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的充电器和LED照明。 PN8356工作在原边检测模式，可省略光耦和TL431。

内置高压启动,宽输出范围非隔离交直流转换芯片-PN8015M

PN8015M集成PFM控制器及800V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源， 输出电压可通过FB 电阻调整。PN8015M 内置800V高压启动与自供电模块，实现系统快速启动、待机、自供电功能。该芯片提供了智能化保护功能，包括过载保护，欠压保护，过温保护。另外PN801...

非隔离效率高交直流转换芯片-PN8026R

PN8026R芯片内部集成了脉宽调制控制器和高雪崩能力的功率MOSFET，适用于小功率非隔离开关电源。该芯片提供了智能化保护功能，包括过流保护，过压保护，欠压保护，过温保护；降频调制技术有助于EMI特性。该芯片还内置启动模块，保证系统能迅速启动。应用系统的外围元件更加简洁。

半桥驱动芯片-PN7103

PN7103是一款基于P衬底、P外延的高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动芯片，其浮地通道能工作在600V的高压下，可用于驱动2个N型功率MOSFET或IGBT组成半桥结构，该芯片逻辑输入电平兼容3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。输出具有大电流脉冲能力，传输延时具有匹配性，以简化在高频下的应用。

待机功耗效果高交直流转换芯片--PN8124F

PN8124F芯片内部集成了脉宽调制控制器和高雪崩能力的功率MOSFET，适用于小功率非隔离开关电源。该芯片提供了的智能化保护功能，包括过流保护，过压保护，过载保护，欠压保护，过温保护；降频调制技术有助于EMI特性。该芯片还内置启动模块，保证系统能迅速启动。应用系统的外围元件更加简洁。