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集成了脉宽调制控制器待机功耗的交直流转换芯片--PN8145T
集成了脉宽调制控制器待机功耗的交直流转换芯片--PN8145T
PN8145T内部集成了脉宽调制控制器和功率MOSFET,用于高性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源。该芯片提供了性能优异的智能化保护功能,包括周期式过流保护(外部可调)、过载保护、过压保护、CS短路保护、软启动功能。通过Hi-mode、Eco-mode、Burst-mode的三种脉冲功率模式混合技术和器...
用于高性能、外围元器件精简待机功耗交直流转换芯片--PN8135H
用于高性能、外围元器件精简待机功耗交直流转换芯片--PN8135H
PN8135H内部集成了脉宽调制控制器和功率MOSFET,用于高性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源。该芯片提供了性能优异的智能化保护功能,包括周期式过流保护(外部可调)、过载保护、过压保护、CS短路保护、软启动功能。通过Hi-mode、Eco-mode、Burst-mode的三种脉冲功率模式混合技术和特...
具有软启动功能待机功耗交直流转换芯片--PN8135
具有软启动功能待机功耗交直流转换芯片--PN8135
PN8135内部集成了脉宽调制控制器和功率MOSFET,用于高性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源。该芯片提供了性能优异的智能化保护功能,包括周期式过流保护(外部可调)、过载保护、过压保护、CS短路保护、软启动功能。通过Hi-mode、Eco-mode、Burst-mode的三种脉冲功率模式混合技术和特殊...
用于高性能,高精度CC CV原边反馈交直流转换器--PN8232
用于高性能,高精度CC CV原边反馈交直流转换器--PN8232
PN8232是一款高精度的恒压、恒流原边控制器。用于高性能、外围元器件精简的充电器和LED照明。PN8232工作在原边调整模式,可省略光耦和TL431。该芯片提供了的自恢复保护功能,包含逐周期过流保护、过压保护、开环保护、过温保护、输出短路保护和CS电阻开/短路保护等。极低的芯片启动电流能够满足的待机功耗标准...
待机功耗准谐振原边反馈交直流转换器--PN6370P
待机功耗准谐振原边反馈交直流转换器--PN6370P
PN6370P集成待机功耗准谐振原边控制器及690V高雪崩能力智能功率MOSFET,用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。PN6370P为原边反馈工作模式,可省略光耦和TL431。内置启动电路,可实现芯片空载损耗(230VAC )小于30mW。在恒压模式,采用准谐振与多模式技术清除音频噪声,使...
690V高雪崩能力待机功耗准谐振原边反馈交直流转换器-PN6370M
690V高雪崩能力待机功耗准谐振原边反馈交直流转换器-PN6370M
PN6370M六级能效集成待机功耗准谐振原边控制器及690V高雪崩能力智能功率MOSFET,用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。PN6370M为原边反馈工作模式,可省略光耦和TL431。内置高压启动电路,可实现芯片空载损耗(230VAC )小于30mW。
内置电压降极低的功率MOSFET的高性能同步整流器--PN8306M
内置电压降极低的功率MOSFET的高性能同步整流器--PN8306M
PN8306M包括同步整流控制器及N型功率MOSFET,用于在高性能反激系统中替代次级整流肖特基二极管。PN8306M内置电压降极低的功率MOSFET以提高电流输出能力,提升转换效率并降低芯片温度。
用于高性能反激系统内置功率MOS的高性能同步整流器--PN8306
用于高性能反激系统内置功率MOS的高性能同步整流器--PN8306
PN8306包括同步整流控制器及N型功率MOSFET,用于在高性能反激系统中替代次级整流肖特基二极管。PN8306内置电压降极低的功率MOSFET以提高电流输出能力,提升转换效率并降低芯片温度。
芯朋微授权代理商DC-DC同步整流升压转换芯片-AP2007
芯朋微授权代理商DC-DC同步整流升压转换芯片-AP2007
AP2007是一款紧凑型,效率高同步升压转换器,内置功率MOSFET,在关闭输出时实现真正关断功能。AP2007静态电流仅为70uA(典型值),空载或轻载时,AP2007为节能的PFM工作模式。当负载大于150mA时,采用500KHz固定频率PWM工作模式。内部补偿的电流控制模式实现快速瞬态响应。
具有热调节功能的独立线性锂电池充电器--AP5054B
具有热调节功能的独立线性锂电池充电器--AP5054B
AP5054B是一个单片锂离子电池恒流/恒压线性电源管理芯片,其SOT封装的极少的外围元件非常适合应用于便携式产品,而且AP5054B专门设计适用于USB的供电规格。基于内部MOSFET结构,不需要外部感应电阻的隔离二极管,当外部环境温度过高或在大功率工作时,热反馈可以调节充电电流以降低芯片温度。充电电压被固...
650V高雪崩能力宽输出范围非隔离交直流转换芯片--PN8046
650V高雪崩能力宽输出范围非隔离交直流转换芯片--PN8046
PN8046集成PFM控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET,用于外围元器件精简的小功率非隔离开关电源。 PN8046内置650V高压启动模块,实现系统快速启动、待机功能。该芯片提供了智能化保护功能,包括过载保护, 欠压保护,过温保护。另外PN8046的降频调制技术有助于EMI特性。
集成高压启动的同步整流控制器--PN8300
集成高压启动的同步整流控制器--PN8300
PN8300是一款内置高压启动同步整流控制器,通过外驱N型功率MOSFET,用于在高性能反激系统中替代次级整流肖特 基二极管,以提升系统的转换效率。 PN8300处于开关工作模式,只适用于DCM和QR工作模式的开关电源系统。当芯片检测到VDET<-400mV,控制器驱动外 部的功率MOSFET开启;当芯...
芯朋微授权代理商DC-DC同步升压转换芯片-AP2000
芯朋微授权代理商DC-DC同步升压转换芯片-AP2000
AP2000 是一款1.2MHz 固定开关频率,效率高,同步升压转换器。能够用于单节干电池产生3.3V电压并提供100mA 以上的驱动能力。AP2000 内部集成了NMOS 主开关管和PMOS 的同步整流管,1.2MHz的开关频率可以使用小型化的电感和陶瓷电容,减小了整体应用方案尺寸。电流模式PWM 方式的内...
芯朋微授权代理商DC-DC升压转换芯片--AP2008
芯朋微授权代理商DC-DC升压转换芯片--AP2008
AP2008是一个恒定频率峰值电流模式的异步PWM升压转换器。需要一个外部肖特基二极管。在轻负载时,AP2008工作在轻负载模式。静态电流为100uA,内部NMOS管导通电阻为200mΩ,保证在整个输出负载范围内效率高。2A峰值电流使得AP2008可以提供1A输出负载电流,非常适应于MID和移动电源。输入电压...
六级能效待机功耗准谐振原边反馈交直流转换器-PN8370M
六级能效待机功耗准谐振原边反馈交直流转换器-PN8370M
PN8370M集成待机功耗准谐振原边控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET,用于高性能、外围元器件精简的充电 器、适配器和内置电源。PN8370为原边反馈工作模式,可省略光耦和TL431。内置高压启动电路,可实现芯片空载损耗(230VAC ) 小于30mW。
N型功率MOSFET集成高压启动的高性能同步整流器--8305L
N型功率MOSFET集成高压启动的高性能同步整流器--8305L
PN8305L包括同步整流控制器及N型功率MOSFET,用于在高性能反激系统中替代次级整流肖特基二极管。PN8305L内置电压降极低的功率MOSFET以提高电流输出能力,提升转换效率并降低芯片温度.PN8305L处于开关工作模式,只适用于DCM和QR工作模式的开关电源系统。
电流模式PWM控制芯片--AP8267
电流模式PWM控制芯片--AP8267
AP8267是高度集成的电流模式PWM控制芯片,具有高性能、低待机功耗、低成本等特点。AP8267内置绿色降频工作模式,根据负载情况调节工作频率,减少了开关损耗,从而获得较低的待机功耗和较高的转换效率,同时集成了峰值功率模块,通过升频电路可有效的减小变压器的磁通和磁芯体积。
脉宽调制控制器待机功耗交直流转换芯片--PN8145
脉宽调制控制器待机功耗交直流转换芯片--PN8145
PN8145内部集成了脉宽调制控制器和功率MOSFET,用于高性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源。
芯朋微电子12V0.3A非隔离小家电电源管理芯片-PN8034M
芯朋微电子12V0.3A非隔离小家电电源管理芯片-PN8034M
PN8034M电源管理芯片集成PFM控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET,用于外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源, PN8034M 内置650V高压启动模块,实现系统快速启动、待机功能。该芯片提供的智能化保护功能,包括过流保护,欠压保护,过温保护。另外PN8034M的降频调制技术有助于EMI特性...
芯朋微代理商内置650V高压启动模块宽输出非隔离电源管理芯片-PN8044M
芯朋微代理商内置650V高压启动模块宽输出非隔离电源管理芯片-PN8044M
PN8044M集成PFM控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET,用于外围元器件的小功率非隔离开关电源, PN8044M 内置650V高压启动模块,实现系统快速启动、待机功能。该芯片提供的智能化保护功能,包括过载保护,欠压保护,过温保护。另外PN8044M的降频调制技术有助于EMI特性。
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