65W-PN8783快充方案

该方案由PN8783、PN8307P电源管理芯片套片组成，PN8783具有卓越的环路稳定性、高功率密度、低待机功耗等明显优势。PN8307P采用自适应死区控制，支持反激变换器的DCM/QR工作模式，

实现同步整流。

具体参数要求

输入规格: 90Vac~ 264Vac

输出规格: 5V3A， 9V3A， 15V3A, 20V3.25A

高效率:满载效率93.7% (230Vac) ，满足CoC V5 Tier2能效规范.低待机功耗:小于75mW

宽供电范围:支持PD3.0协议

控制芯片: PN8783+ PN8307P+ AP2080

一、芯片介绍

PN8783电源管理芯片内置高性能700V GaN FET，典型转换效率大于93%；采用QR-Lock控制技术，大幅提高环路稳定性；最高支持500kHz工作频率，可以有效减小变压器及输出电容体积，显著

提升充电器功率密度；内置800V高压启动管，待机功耗轻松满足75mW；同时具有优异全面丰富的保护功能。PN8307P内置100V/7mΩ智能MOSFET，快速关断+自适应死区控制提高MOSFET

Rdson利用率，显著降低温升，专利轻载模式可降低待机功耗，具有超高性价比。

二、DEMO实物图

小尺寸设计：51mm(L)X29mm(W)X20mm(H)

输出规格：5V3A，9V3A，15V3A，20V3.25A

高效率：满载效率94.0%（230V），满足CoC V5 Tier2能效规范 

低待机功耗：小于75mW

宽供电范围：支持PD3.0协议

三、原理图（功率部分）

四、变压器

电气规范:初级绕组电感量 (Lp) =320±5%uH @10kHz

电气绝缘= 3kV, 50/60Hz,1分钟 (pins1~6 to pins A~B)

五、测试数据

1、转换效率

2、空载功耗

3、功率管应力测试

4、磁芯元件饱和测试

5、负载动态响应

6、开机延迟时间

7、温度测试(常温测试)

8、EMC测试

 EMI传导、辐射满足EN55032 Class B标准要求，裕量均大于6dB

 ESD满足IEC 61000-4-2，8kV/15kV等级要求

 EFT满足IEC 61000-4-4: 2004，4kV等级要求

 Surge满足IEC 61000-4-5:2005，2kV等级要求

 交流绝缘满足3.75kVac要求

9、应用要点