PN8024R芯片内部集成了脉宽调制器和高雪崩能力的MOSFET，适用于小功率非隔离方案开关电源，该芯片提供了完整的智能化保护功能，包括过流保护、过压保护、过载保护、欠压保护、过温保护。降频调制技术有助于改善EMI特性。该非隔离方案内置高压启动模块，保证系统能快速启动，应用系统的外围器件更简洁。

该方案非常适合做输出12V/250MA或者是5V/50mA的非隔离方案，可以在环境温度75度的时候，可用于可控硅共L线的压力锅、电饭煲、电热水壶的非隔离方案产品，该非隔离方案芯片采用先进的构架设计，外围更少，稳压精度高，温升低，EMI优异，特别是针对金属壳结构有做特别的优化。

当非隔离方案的芯片内的开关管导通时，整流过后的直流电流过电感，电感储存能量，负载所需的能量由电容提供，当开关管断开时，电感上的电流有减少趋势，于是电感产生反向的自感电动势，此时，二极管受到正向偏压而导通，电感储存的能量开始释放，负载上有了输出电压，同时对电容进行充电储能，这样，电容的能量可保证在TON时，放电保持负载两端电压不变。非常适合做3-5W高性能外围精简的12V非隔离方案。

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