一、概述

PN8147H电源控制芯片内部集成了脉宽调制控制器和功率MOSFET，专用于高性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源。该芯片提供了极为全面和性能优异的智能化保护功能，包括周期式过流保护（外部可调）、过载保护、过压保护、CS短路保护、软启动功能。通过Hi-mode、Eco-mode、Burst-mode的三种脉冲功率调节模式混合技术和特殊器件低功耗结构技术实现了超低的待机功耗、全电压范围下的最佳效率。良好的EMI表现由频率调制技术和Soft Driver技术充分保证。该芯片还内置智能高压启动模块。PN8147H为需要超低待机功耗的高性价比反激式开关电源系统提供了一个先进的实现平台，非常适合六级能效标准、Eur2.0、能源之星的应用。

二、典型应用方案

三、推荐电路板布局

四、 PN8147H电源控制芯片设计注意事项

1、PN8147启动过程

PN8147内置高压启动功能，通电时，从IC的SW脚（Pin7,8）通过一恒定的高压启动电流源（电流典型值 1.5mA），对VDD端的电解电容进行充电，当VDD电压达到启动电压（典型值 13V）后IC启动，同时高压启动电流源被关闭，以降低损耗；若系统触发保护，IC被关闭，VDD需要降低到6V以下，高压启动电流源才会再次开启并对VDD电容充电，但此时高压启动电流源为典型值0.6mA，以降低系统重启的频率。

2、VDD滤波电容

VDD电容应放置在距离VDD引脚和GND引脚最近的地方，距离尽可能小于1cm。在PCB 布局的时候应该优先将VDD电容尽可能贴近VDD与GND引脚，然后再放置其他元器件，以减小其他信号对IC的供电的干扰。同时为了抑制高频干扰，建议在VDD与GND之间放置一颗10~100nF 的瓷片电容。另外，辅助绕组整流二极管可采用慢管1N4007，同时在1N4007正端串联一颗4.7~22Ω的小电阻。

3、VDD工作电压

VDD电压高于典型值13V时，IC才能启动；低于典型值8V时，IC进入欠压保护；高于典型值26V系统发生OVP保护；高于典型值30V时VDD电压会被箝位；系统进入保护状态之后的重新启动，VDD电压需要降低到重启电压典型值6V以下，高压启动电路才会重新动作；建议VDD满载电压设计在14~15V，最好不要超过17V，以减少损耗，提高效率和待机功耗，同时可增强 VDD的耐受能力。

4、系统工作模式

COMP脚控制PN8147整个系统工作于不同模式，以适应系统的不同工作状态的需要。当系统过载时，COMP电压会迅速升高，若COMP 电压持续典型值64mS大于3.7V，则系统会发生过载保护，IC会被关闭，当VDD电压低于重启电压（典型值 6.0V）后，系统再重新启动；若过载状态消失，则系统自动恢复到正常工作状态；当系统满载时，COMP脚电压大于2.0V，系统工作与PWM模式；当COMP脚电压低于2.0时(COMP脚的工作电压会随系统负载降低而降低)，系统进入ECO Mode模式，以降低系统工作频率，提高轻载效率，进而提高系统平均效率；当COMP脚电压1.2V时，系统进入Burst Mode工作模式，从而降低待机功耗；