一、功能描述
AP8002电源管理芯片集成PFM控制器及730V高可靠性MOSFET，用于外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源，输出电压为5V。AP8002内置高压启动与自供电模块，实现系统快速启动、超低待机。该芯片提供了完整的智能化保护功能，包括欠压保护，过温保护。另外AP8002的降频调制技术有助于改善EMI特性。

二、高压启动
AP8002电源管理芯片在启动阶段，内部高压启动管提供2mA电流对外部VDD电容进行充电;当VDD电压达到VDD，芯片开始工作，高压启动管停止对VDD电容充电;当VDD电压降低到VDD，芯片继续工作，但内部高压启动管再次提供2mA电流对外部VDD电容进行充电;从而实现芯片自供电，无需辅助绕组或其他外围元件对芯片供电。

三、恒压工作模式
AP8002电源管理芯片通过VDD管脚对输出进行电压采样，VDD电压经过内部分压电阻分压得到采样电压VRr。当VR低于内部基准电压VREF，芯片开启集成的高压功率管，对储能电感充电，当电感电流达到内部基准电流IPEAK，芯片关闭集成的高压功率管，由系统二极管对储能电感续流。图1-1和图1-2分别给出连续模式(CCM)和非连续模式(DCM)下系统关键节点工作波形。同时芯片集成负载补偿功能，可以提高恒压精度，实现较好的负载调整率。

四、软启动
AP8002电源管理芯片为了避免非隔离系统启动阶段因进入深度模式，带来较大电流尖峰。AP8002在启动阶段设置了软启动功能，在启动阶段前6.5ms，最高开关频率降低为85%，芯片限流值降低为最大限流值imi的3/10;在启动阶段6.5ms-48ms,最高开关频率不再降低,限流值每经过6.5ms增加1/10，直到软启时间48ms结束。另外芯片通过设计较小的LEB时间(250ns)，来降低LEB时间内能量，以避免系统启动时的高电流尖峰。

五、智能保护功能
AP8002电源管理芯片集成全面的保护功能，包括:逐周期过流保护，过载保护和过温保护功能，并且这些保护具有自恢复模式。逐周期过流保护------芯片导通时，内部对导通电流进行实时检测。当检测电流大于设定值时立即关闭功率管。为了避免导通瞬间发生误关断，在前沿消隐时间内芯片屏蔽关断信号。过载保护…----当VDD电压低于4.7V且持续128ms，触发过载保护，芯片进入异常重启。此时芯片停止开关，VDD电压在VDD.到VDD。间振荡，内部计时达到TRESTART后，芯片重新启动。过温保护-----当芯片结温超过 TsD，芯片进入过温保护状态，输出关闭，当芯片结温低于TSDTHyST，芯片重新启动。

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