650V高性能非隔离交直流电源控制芯片--PN8034A
- 自供电模块,内置800V高压启动交直流电源管理芯片--PN8177
- PN8177集成PFM控制器及800V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源。PN8177内置800V高压启动与自供电模块，实现系统启动、待机、自供电功能。该芯片提供了智能化保护功能，包括过流保护，过载保护，欠压保护，过温保护。另外PN8177的降频调制技术有助于EMI特性。
- 低待机功能,非隔离交直流转换芯片--PN8045
- PN8045集成PFM控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于外围元器件较简的小功率非隔离开关电源。PN8045内置启动模块，实现系统启动、待机功能。该芯片提供了智能化保护功能，包括过载保护，欠压保护，过温保护。另外PN8045的降频调制技术有助于EMI特性。
- 外围元器较简,小功率非隔离开关电源--AP8506
- AP8506基于高压同步整流架构，集成PFM控制器以及650V可靠性MOSFET，用于外围元器件精简的小功率非隔离开关电源。AP8506内置650V高压启动，实现系统快速启动、待机功能。该芯片提供了智能化保护功能，包括过流保护，欠压保护，过温保护。另外AP8506具有优异的EMI特性。
650V高性能非隔离交直流电源控制芯片--PN8034A
一 概述
PN8034A集成PFM控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源控制芯片。PN8034A内置高压启动模块，实现系统快速启动、待机功能。该芯片提供的智能化保护功能，包括过载保护，欠压保护，过温保护。另外PN8034A的降频调制技术有助于EMI特性。
二 特性
*内置650V高雪崩能力智能功率MOSFET
*内置高压启动电路
*优化适用于12V输出非隔离应用
*DIP-7封装半封闭式稳态输出功率3.8W(12V320mA)
*SOP-7封装半封闭式稳态输出功率3.3W(12V280mA)
*EMI的降频调制技术
*优异的负载调整率和工作效率
*全面的保护功能:
1.过载保护（OLP）
2.过温保护（OTP）
3.欠压保护（UVLO）
三 应用
*非隔离辅助电源
四 封装
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五 应用电路图
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- 自供电模块,内置800V高压启动交直流电源管理芯片--PN8177
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- 低待机功能,非隔离交直流转换芯片--PN8045
- PN8045集成PFM控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于外围元器件较简的小功率非隔离开关电源。PN8045内置启动模块，实现系统启动、待机功能。该芯片提供了智能化保护功能，包括过载保护，欠压保护，过温保护。另外PN8045的降频调制技术有助于EMI特性。
- 外围元器较简,小功率非隔离开关电源--AP8506
- AP8506基于高压同步整流架构，集成PFM控制器以及650V可靠性MOSFET，用于外围元器件精简的小功率非隔离开关电源。AP8506内置650V高压启动，实现系统快速启动、待机功能。该芯片提供了智能化保护功能，包括过流保护，欠压保护，过温保护。另外AP8506具有优异的EMI特性。
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