低待机功耗高性能开关电源IC--MD22H
- 自供电模块,内置800V高压启动交直流电源管理芯片--PN8177
- PN8177集成PFM控制器及800V高雪崩能力智能功率MOSFET,用于高性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源。PN8177内置800V高压启动与自供电模块,实现系统启动、待机、自供电功能。该芯片提供了智能化保护功能,包括过流保护,过载保护,欠压保护,过温保护。另外PN8177的降频调制技术有助于EMI特性。
- 低待机功能,非隔离交直流转换芯片--PN8045
- PN8045集成PFM控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET,用于外围元器件较简的小功率非隔离开关电源。PN8045内置启动模块,实现系统启动、待机功能。该芯片提供了智能化保护功能,包括过载保护,欠压保护,过温保护。另外PN8045的降频调制技术有助于EMI特性。
- 外围元器较简,小功率非隔离开关电源--AP8506
- AP8506基于高压同步整流架构,集成PFM控制器以及650V可靠性MOSFET,用于外围元器件精简的小功率非隔离开关电源。AP8506内置650V高压启动,实现系统快速启动、待机功能。该芯片提供了智能化保护功能,包括过流保护,欠压保护,过温保护。另外AP8506具有优异的EMI特性。
低待机功耗离线式开关电源IC--MD22H
(可替代进口品牌ST,型号:Viper22A,封装形式:DIP,替换说明:兼容,不改PCB,不改外围参数,低功耗,lvdd=0.6mA.)
一 概述
MD22H芯片内部集成了脉宽调制控制器和800V高雪崩能力智能功率MOSFET,适用于小功率离线式开关电源。该芯片提供了完整的智能化保护功能,包括过流保护,欠压保护,过温保护和软启动功能。间歇工作模式能够降低系统处于待机模式时的功耗;抖频技术有助于EMI特性。该芯片还内置高压启动模块,保证系统能迅速启动。(可替代进口品牌ST,型号:Viper22A,封装形式:DIP,替换说明:兼容,不改PCB,不改外围参数,低功耗,lvdd=0.6mA.)
二 特性
■ 内置800V高雪崩能力智能功率MOSFET
■ 满足85~265V宽AC输入工作电压
■ 全电压半封闭式稳态输出功率10W
■ 抖频技术EMI特性
■ 间歇工作模式
■ 软启动
■ 内置高压启动电路
■ 保护功能
* 过流保护(OCP)
* 过温保护(OTP)
* VDD过压保护
三 应用
■ 电磁炉电源
■ 小家电辅助电源
■ 机顶盒电源
四 封装
五 应用电路图
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- 自供电模块,内置800V高压启动交直流电源管理芯片--PN8177
- PN8177集成PFM控制器及800V高雪崩能力智能功率MOSFET,用于高性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源。PN8177内置800V高压启动与自供电模块,实现系统启动、待机、自供电功能。该芯片提供了智能化保护功能,包括过流保护,过载保护,欠压保护,过温保护。另外PN8177的降频调制技术有助于EMI特性。
- 低待机功能,非隔离交直流转换芯片--PN8045
- PN8045集成PFM控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET,用于外围元器件较简的小功率非隔离开关电源。PN8045内置启动模块,实现系统启动、待机功能。该芯片提供了智能化保护功能,包括过载保护,欠压保护,过温保护。另外PN8045的降频调制技术有助于EMI特性。
- 外围元器较简,小功率非隔离开关电源--AP8506
- AP8506基于高压同步整流架构,集成PFM控制器以及650V可靠性MOSFET,用于外围元器件精简的小功率非隔离开关电源。AP8506内置650V高压启动,实现系统快速启动、待机功能。该芯片提供了智能化保护功能,包括过流保护,欠压保护,过温保护。另外AP8506具有优异的EMI特性。
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