零待机模式超低相线电流原边反馈交直流电源管理芯片--PN6367
- 支持苹果20W芯片 高性能准谐振交直流转换芯片--PN8162
- PN8162内部集成了准谐振工作模式的电流模式控制器和功率MOSFET，用于高的性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源。该芯片提供了较为全和性能良好的保护功能，包括输出过压保护、逐周期过流保护、过载保护、软启动、输入欠压保护功能。通过QR-PWM、QR-PFM、Burst-mode的三种模式混合调制技术和特殊器件低功耗结构技术实现了低的待机功耗、全电压范围下的效率。频率调制技术和Soft Driver技术充分保证良好的EMI表现。
- 集成了准谐振工作模式的电流模式控制器和功率MOSFET--PN8161X
- PN8161内部集成了准谐振工作模式的电流模式控制器和功率MOSFET，用于性能高、外围元器件较简的交直流转换开关电源。该芯片提供了保护功能，包括输出过压保护、周期式过流保护、过载保护、软启动、输入欠压保护功能。通过QR-PWM、QR-PFM、Burst-mode的三种模式混合调制技术和特殊器件低功耗结构技术实现了待机功耗、电压范围下的效率。频率调制技术和Soft Driver技术充分保证良好的EMI表现。
- 用于高性能,内置650V高雪崩能力的功率MOSFET电源管理芯片--PN6147
- PN6147内部集成了脉宽调制控制器和功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源。该芯片提供性能优异的智能化保护功能，包括周期式过流保护（外部可调）、过载保护、过压保护、CS短路保护、软启动功能。通过Hi-mode、Eco-mode、Burst-mode的三种脉冲功率调节模式混合技术和器件低功耗结构技术实现了的待机功耗、电压范围下的效率。良好的EMI表现由频率调制技术和Soft Driver技术充分保证。该芯片还内置智能高压启动模块。PN6147为需要待机功耗的高性价比反激式开关电源系统提供了一个平台，非常适合六级能效标准、Eur2.0、能源之星的应用。
零待机模式超低相线电流原边反馈
一 概述
PN6367电源管理芯片集成零待机模式的准谐振原边控制器及典型720V高雪崩能力智能功率MOSFET，适用于高性能、外围元器件精简的智能断路器电源。PN6367为原边反馈工作模式，
可省略光耦和TL431，并且PN6367提供可控零待机模式，此时相线电流平均值可小于0.10mA。在恒压模式，输出电压通过FB脚的电阻比例进行调节；在恒流模式，输出电流通过CS脚的
电阻值进行调节。该芯片还提供的智能保护功能，包含逐周期过流保护、过压保护、开环保护、过温保护、输出短路保护和CS开/短路保护等。
二 特性
* 内置典型720V高雪崩能力智能功率MOSFET
* 零待机模式，相线电流平均值可小于0.10mA
* 采用准谐振与多模式技术提高效率并消除音频噪声
* 全电压输入范围±5%的CC/CV精度
* 原边反馈可省光耦和TL431
* 无音频噪声
* 智能保护功能
过温保护 (OTP)
* VDD欠压&过压保护 (UVLO&OVP)
* 逐周期过流保护 (OCP)
* CS开/短路保护 (CS O/SP）
* 开环保护
三 应用区域
* 智能断路器
四 封装
五 应用电路图
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- PN8162内部集成了准谐振工作模式的电流模式控制器和功率MOSFET，用于高的性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源。该芯片提供了较为全和性能良好的保护功能，包括输出过压保护、逐周期过流保护、过载保护、软启动、输入欠压保护功能。通过QR-PWM、QR-PFM、Burst-mode的三种模式混合调制技术和特殊器件低功耗结构技术实现了低的待机功耗、全电压范围下的效率。频率调制技术和Soft Driver技术充分保证良好的EMI表现。
- 集成了准谐振工作模式的电流模式控制器和功率MOSFET--PN8161X
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- 用于高性能,内置650V高雪崩能力的功率MOSFET电源管理芯片--PN6147
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