外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源芯片--PN8011
- 自供电模块,内置800V高压启动交直流电源管理芯片--PN8177
- PN8177集成PFM控制器及800V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源。PN8177内置800V高压启动与自供电模块，实现系统启动、待机、自供电功能。该芯片提供了智能化保护功能，包括过流保护，过载保护，欠压保护，过温保护。另外PN8177的降频调制技术有助于EMI特性。
- 低待机功能,非隔离交直流转换芯片--PN8045
- PN8045集成PFM控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于外围元器件较简的小功率非隔离开关电源。PN8045内置启动模块，实现系统启动、待机功能。该芯片提供了智能化保护功能，包括过载保护，欠压保护，过温保护。另外PN8045的降频调制技术有助于EMI特性。
- 外围元器较简,小功率非隔离开关电源--AP8506
- AP8506基于高压同步整流架构，集成PFM控制器以及650V可靠性MOSFET，用于外围元器件精简的小功率非隔离开关电源。AP8506内置650V高压启动，实现系统快速启动、待机功能。该芯片提供了智能化保护功能，包括过流保护，欠压保护，过温保护。另外AP8506具有优异的EMI特性。
外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源芯片--PN8011
一 概述
PN8011集成PFM控制器及800V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源，输出电压可通过FB电阻调整。PN8011内置800V高压启动与自供电模块，实现系统快速启动、超低待机、自供电功能。该芯片提供了智能化保护功能，包括过载保护，欠压保护，过温保护。另外PN8011的降频调制技术有助于EMI特性。
二 特性
*内置800V高雪崩能力智能功率MOSFET
*内置高压启动和自供电电路
*适用于Buck、Buck-Boost、Flyback等多种架构
*输出电压3.3V~24V可通过FB电阻调整
*半封闭式稳态输出电流250mA @230VAC,5V Output
*EMI的降频调制技术
*全面的保护功能
--过载保护（OLP）
--过温保护（OTP）
--欠压保护（UVLO）
三 应用
家用电器非隔离辅助电源
四 封装
五 应用电路图
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- 自供电模块,内置800V高压启动交直流电源管理芯片--PN8177
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- 低待机功能,非隔离交直流转换芯片--PN8045
- PN8045集成PFM控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于外围元器件较简的小功率非隔离开关电源。PN8045内置启动模块，实现系统启动、待机功能。该芯片提供了智能化保护功能，包括过载保护，欠压保护，过温保护。另外PN8045的降频调制技术有助于EMI特性。
- 外围元器较简,小功率非隔离开关电源--AP8506
- AP8506基于高压同步整流架构，集成PFM控制器以及650V可靠性MOSFET，用于外围元器件精简的小功率非隔离开关电源。AP8506内置650V高压启动，实现系统快速启动、待机功能。该芯片提供了智能化保护功能，包括过流保护，欠压保护，过温保护。另外AP8506具有优异的EMI特性。
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