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用于苹果充电器肖特基整流管--SBD10L45T3

产品分类: 芯控源
    SBD10L45T3硅外延工艺制作而成的肖特基整流二极管,采用TO-277封装,广泛应用于开关电源、保护电路等各类电子线路中。
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    芯朋微12V0.45A非隔离电源管理芯片-PN8035
    芯朋微12V0.45A非隔离电源管理芯片-PN8035
    PN8035集成PFM控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET,用于外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源。PN8035内置高压启动模块,实现系统快速启动、超低待机功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能,包括过载保护,欠压保护,过温保护。另外PN8035的降频调制技术有助于改善EMI特性。
    42V 2A CC/CV降压转换器--AP2962B
    42V 2A CC/CV降压转换器--AP2962B
    AP2962B是一款宽输入范围,CC/CV功能的降压芯片,既可以CV(恒压)输出,也可以CC(恒流)输出。AP2962B高可在230kHz的开关频率下提供2A输出电流。AP2962B不需要使用高成本的精密电流采样电阻,非常适用于有精确恒流需求的电池和适配器应用场合。通过清除产生功耗的电流采样电阻,AP2962B相比传统恒流开关稳压器拥有高的转换效率。
    六级能效待机功耗准谐振原边反馈交直流转换器-PN8370M
    六级能效待机功耗准谐振原边反馈交直流转换器-PN8370M
    PN8370M集成待机功耗准谐振原边控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET,用于高性能、外围元器件精简的充电 器、适配器和内置电源。PN8370为原边反馈工作模式,可省略光耦和TL431。内置高压启动电路,可实现芯片空载损耗(230VAC ) 小于30mW。

       

      用于苹果充电器肖特基整流管

       

      型号:SBD10L45T3

       

       

       

      一、描述

       

      SBD10L45T3硅外延工艺制作而成的肖特基整流二极管,采用TO-277封装,广泛应用于开关电源、保护电路等各类电子线路中。

       

       

      二、特点

       

      具有过压保护的保护环结构

      高电流冲击能力

      低功率,高的效率

      正向压降低

       

       

      三、参数(除非特殊说明,Tamb=25°C

       

       

       

      四、封装信息

       

       

       

       

         

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        总部地址:东莞市大岭山镇矮岭冚村沿河东街8号

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      PN8035集成PFM控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET,用于外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源。PN8035内置高压启动模块,实现系统快速启动、超低待机功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能,包括过载保护,欠压保护,过温保护。另外PN8035的降频调制技术有助于改善EMI特性。
      42V 2A CC/CV降压转换器--AP2962B
      42V 2A CC/CV降压转换器--AP2962B
      AP2962B是一款宽输入范围,CC/CV功能的降压芯片,既可以CV(恒压)输出,也可以CC(恒流)输出。AP2962B高可在230kHz的开关频率下提供2A输出电流。AP2962B不需要使用高成本的精密电流采样电阻,非常适用于有精确恒流需求的电池和适配器应用场合。通过清除产生功耗的电流采样电阻,AP2962B相比传统恒流开关稳压器拥有高的转换效率。
      六级能效待机功耗准谐振原边反馈交直流转换器-PN8370M
      六级能效待机功耗准谐振原边反馈交直流转换器-PN8370M
      PN8370M集成待机功耗准谐振原边控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET,用于高性能、外围元器件精简的充电 器、适配器和内置电源。PN8370为原边反馈工作模式,可省略光耦和TL431。内置高压启动电路,可实现芯片空载损耗(230VAC ) 小于30mW。
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