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- PN8680M集成待机功耗原边控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。PN8680M为原边反馈工作模式，可省略光耦和TL431。内置启动电路，可实现芯片空载损耗（230VAC）小于50mW。在恒压模式，采用多模式技术清除音频噪声，使得系统满足6级能效标准，可调输出线补偿功能能使系统获得较好的负载调整率；在恒流模式，输出电流和功率可通过CS脚的电阻进行调节。该芯片提供的智能保护功能，包含逐周期过流保护、过压保护、开环保护、过温保护、输出短路保护和CS开/短路保护等。(注:PN8680M与ob2500 pin to pin.)[查看]
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http://zm699.com/Products/12wdjghybf.html
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- PN6367集成零待机模式的准谐振原边控制器及典型720V高雪崩能力智能功率MOSFET，适用于高性能、外围元器件精简的智能断路器电源。PN6367为原边反馈工作模式，可省略光耦和TL431，并且PN6367提供可控零待机模式，此时相线电流平均值可小于0.10mA。在恒压模式，输出电压通过FB脚的电阻比例进行调节；在恒流模式，输出电流通过CS脚的电阻值进行调节。该芯片还提供的智能保护功能，包含逐周期过流保护、过压保护、开环保护、过温保护、输出短路保护和CS 开/短路保护等。[查看]
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http://zm699.com/Products/ldjmscdxxd.html
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