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[同步整流芯片] 支持连续电流模式内置功率 MOS 同步整流控制芯片-PN8309H[ 2024-08-29 ]

: PN8309H同步整流控制芯片包括同步整流控制器及N型功率MOSFET，用于在高性能AC/DC反激系统中替代次级整流肖特基二极管。PN8309H内置电压降极低的功率MOSFET以提高电流输出能力，提升转换效率，使得系统效率可以满足6级能效的标准，并留有足够的裕量。PN8309H集成了极为全面的辅助功能，包含电源欠压保护、最小导通时间等功能。双供电电源设计支持低压侧应用时更宽的输出电压范围，并得到更好的可靠性。[查看]; http://zm699.com/Products/zclxdl8msnz.html

[DC-DC芯片] 40V, 0.7A高性能易用型同步降压稳压器--AP2905[ 2019-11-29 ]

: AP2905是一款效率高同步降压稳压器，在6V~ 40V宽输入范围内可提供0.7A输出电流。AP2905的输出电压为固定5V，开关频率为100kHz。 AP2905内部集成了低导通电阻的主功率管和同步功率管，既降低了导通阻抗又省掉了外部肖特基二极管。此外，内置补偿架构不需要使用外置 RC补偿电路，固定输出方式无需外部分压电阻，进一步减少了外围元器件的使用。所以AP2905非常适合于外围元件、单层 PCB布局需求的应用。特别设计的EMI优化电路架构非常适合有安规认证的应用场合。完整的保护特性包括过流保护，过温保护，短路保护以及欠压锁定保护等。AP2905采用SOT23-5L封装，可节约布局空间。[查看]; http://zm699.com/Products/40v07agxny.html

[同步整流芯片] 支持连续电流模式内置功率MOS的同步整流器--PN8308H[ 2018-12-27 ]

: PN8308H包括同步整流控制器及N型功率MOSFET，用于在高性能AC/DC反激系统中替代次级整流肖特基二极管。 PN8308H内置电压降低的功率MOSFET以提高电流输出能力，提升转换效率，使得系统效率可以满足6级能效的标准，并留有足够的裕量。PN8308H集成的辅助功能，包含输出欠压保护、导通时间等功能。[查看]; http://zm699.com/Products/zclxdlmsnz.html

[同步整流芯片] 内置11m欧姆 60V Trench MOSFET同步整流器--PN8307H[ 2018-11-30 ]

: PN8307H包括同步整流控制器及高雪崩能力功率MOSFET，用于在高性能AC/DC反激系统中替代次级整流肖特基二极管。PN8307H内置电压降极低的功率MOSFET以提高电流输出能力，提升转换效率，使得系统效率可以满足6级能效的标准，并留有足够的裕量。PN8307H集成了辅助功能，包含输出欠压保护、防误开启、导通时间等功能。[查看]; http://zm699.com/Products/nz11mom60v.html

[DC-DC芯片] 1MHz, 3A升压转换器--AP2004H[ 2018-11-28 ]

: AP2004H是一个恒定频率峰值电流模式的异步PWM 升压转换器。需要一个外部肖特基二极管。在轻负载时，AP2004H工作在轻负载模式。静态电流为100uA，关断电流小于1uA。内部 NMOS管导通电阻130兆欧姆，保证在整个输出负载范围内。3A峰值电流使得 AP2004H可以提供1.5A输出负载电流。非常适应于MID和移动电源。输入电压范围2.5 ~ 5.5V。内部工作频率是设定在1.0MHz。[查看]; http://zm699.com/Products/1mhz3asyzh.html

[同步整流芯片] 支持连续模式内置功率MOS的同步整流器--PN8308L[ 2018-05-09 ]

: PN8308L包括同步整流控制器及N型功率MOSFET，用于在高性能AC/DC反激系统中替代次级整流肖特基二极管。 PN8308L内置电压降低的功率MOSFET以提高电流输出能力，提升转换效率，使得系统效率可以满足6级能效的标准，并留有足够的裕量。PN8308L集成了辅助功能，包含输出欠压保'导通时间等功能。[查看]; http://zm699.com/Products/zclxmsnzgl.html

[同步整流芯片] 内置功率MOS的高性能同步整流器--PN8306H[ 2017-12-01 ]

: PN8306H包括同步整流控制器及高雪崩能力功率MOSFET，用于在高性能AC/DC反激系统中替代次级整流肖特基二极管。PN8306H内置电压降低的功率MOSFET以提高电流输出能力，提升转换效率，使得系统效率可以满足6级能效的标准，并留有足够的裕量。PN8306H集成的辅助功能，包含输出欠压保护、输出过压钳位、防误开启等功能。[查看]; http://zm699.com/Products/nzglmosdgx.html

[同步整流芯片] 6级能效标准内置功率MOS的高性能同步整流器--PN8306L[ 2017-10-30 ]

: PN8306L包括同步整流控制器及高雪崩能力功率MOSFET,用于在高性能AC/DC反激系统中替代次级整流肖特基二极管。PN8306L内置电压降极低的功率MOSFET以提高电流输出能力，提升转换效率,使得系统效率可以满足6级能效的标准，并留有足够的裕量。PN8306L集成的辅助功能，包含输出欠压保护、输出过压钳位、防误开启等功能。[查看]; http://zm699.com/Products/6jnxbznzgl.html

[同步整流芯片] 内置电压降极低的功率MOSFET的高性能同步整流器--PN8306M[ 2017-06-16 ]

: PN8306M包括同步整流控制器及N型功率MOSFET,用于在高性能反激系统中替代次级整流肖特基二极管。PN8306M内置电压降极低的功率MOSFET以提高电流输出能力，提升转换效率并降低芯片温度。[查看]; http://zm699.com/Products/nzdyjjddgl.html

[同步整流芯片] 用于高性能反激系统内置功率MOS的高性能同步整流器--PN8306[ 2017-06-16 ]

: PN8306包括同步整流控制器及N型功率MOSFET,用于在高性能反激系统中替代次级整流肖特基二极管。PN8306内置电压降极低的功率MOSFET以提高电流输出能力，提升转换效率并降低芯片温度。[查看]; http://zm699.com/Products/yygxnfjxtn.html

[DC-DC芯片] 1MHz,2A升压转换器--AP2008[ 2017-03-23 ]

: AP2008是一个恒定频率峰值电流模式的异步PWM升压转换器。需要一个外部肖特基二极管。在轻负载时，AP2008工作在轻负载模式。静态电流为100uA，内部NMOS管导通电阻为200mΩ，保证在整个输出负载范围内效率高。2A峰值电流使得AP2008可以提供1A输出负载电流，非常适应于MID和移动电源。输入电压范围3V~ 25V。内部工作频率是设定在1.0MHz。 AP2008采用6引脚的扁平SOT-23封装。[查看]; http://zm699.com/Products/1mhz2asyzh.html

[同步整流芯片] N型功率MOSFET集成高压启动的高性能同步整流器--8305L[ 2016-12-08 ]

: PN8305L包括同步整流控制器及N型功率MOSFET，用于在高性能反激系统中替代次级整流肖特基二极管。PN8305L内置电压降极低的功率MOSFET以提高电流输出能力，提升转换效率并降低芯片温度.PN8305L处于开关工作模式，只适用于DCM和QR工作模式的开关电源系统。[查看]; http://zm699.com/Products/nxglmosfet.html

[同步整流芯片] 国内电源芯片12W贴片内置MOS待机功耗5V2.4A-PN8305M[ 2016-09-01 ]

: PN8305包括同步整流控制器及N型功率MOSFET，用于在高性能反激系统中替代次级整流肖特基二极管。PN8305内置电压降极低的功率MOSFET以提高电流输出能力，提升转换效率并降低芯片温度.PN8305处于开关工作模式，只适用于DCM和QR工作模式的开关电源系统。[查看]; http://zm699.com/Products/gndyxp12wt.html

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