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东科半导体集成双氮化镓功率管的不对称半桥AC-DC-100W电源管理芯片-DK8710AD
DK87XXAD是一颗基于不对称半桥架构,集成了两颗氮化镓功率器件的AC-DC功率开关芯片。DK87XXAD能够在较大的负载范围内实现原边功率管ZVS,副边整流管ZCS,从而提高电源系统效率。同时软开关还可以降低功率管应力,减小开关损耗并改善电磁干扰(EMI)。DK87XXAD 外围精简,极大的简化了AC-DC转换器的设计和制造,尤其是需要高转化效率和高功率密度的产品。DK87XXAD具备完善的保护功能:包括过载保护、输出过压保护、输出短路保护、VCC过/欠压保护、VS引脚异常保护、初级过流保护、过温保护等。[查看]
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比亚迪8位单片机国产mcu-BF6910AS10Y SOP16
BF6910AS10Y采用高速8051内核,1T指令周期,相比于标准的8051(12T)指令周期,具有更快的运行速度,同时兼容标准8051指令。BF6910AS10Y包含外设有看门狗、电容触摸按键检测、IIC、UART、低电压检测、掉电复位、1路12bit PWM、Timer0、Timer1、12bit高精度逐次逼近ADC、低功耗管理等。BF6910AS10Y集成多路电容检测通道,可以用于近距离感应或者触摸检测。各通道可灵活配置实现按键、滚轮、滑条等多种应用,并且每个通道都能通过对相应的功能寄存器来调节触摸灵敏度。[查看]
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士兰微代理商10A、600V绝缘栅双极型晶体管SGT10T60SDM1P7-IGBT单管
SGT10T60SDM1P7绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子第三代场截止(Field StoplII)工艺制作,具有较低的导通损耗和开关损耗,该产品可应用于UPS,SMPS以及电机类应用等领域。[查看]
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龙腾10A,N渠道650V超级MOS管--LND10N65
Power MOSFET is fabricated using the VDSS advanced planer VDMOS technology.The resulting device has low conduction resistance,superior switching performance and high avalanche energy.[查看]
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10A功率密度较高,同步升压转换器--AP2016
AP2016是一款功率密度,同步升压转换器,可由宽输入电压范围 2.7V ~12V 供电。宽泛的输入电压范围非常适用于单节或双节锂离子电池便携设备,例如带有高压的充电端口HVDCP的移动电源。[查看]
http://zm699.com/Products/10aglmdjgt.html3星
600kHz,15V,10A 高功率密度SO8-EP封装同步升压转换器--AP2018
AP2018是一款高功率密度,同步升压转换器,可由宽输入电压范围2.7V~9V供电。宽泛的输入电压范围非常适用于单节或双节锂离子电池便携设备,例如带有高压充电端口HVDCP的移动电源。由于采用电流模PWM控制架构,AP2018在定频时可获得瞬态响应,在轻载时处于PFM模式可获得省电效果。芯片集成了低RDS(ON) 功率开关,在轻载和重载下都保持。其他保护特性包括软启动,逐周期峰值限流,热关断,输入欠压保护和栅极驱动UVLO。AP2018采用SO8-EP封装,既有利于紧凑的解决方案又能较好的散热。[查看]
http://zm699.com/Products/600khz15v1.html3星
性价比高触摸IC芯片-BF6916AX
BF6910AX是基于27个电容检测通道的芯片,它可以用来检测近距离感应或者触摸。其内置MCU,可灵活配置,通过配置可实现按键、滚轮、滑条等多种应用。 BF6916AX通过IIC和UART与主机进行通信。[查看]
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10A、650V N沟道增强型场效应管--SVF10N65T/F/K/S
SVF10N65T/F/K/S N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子的F-CellTM平面高压VDMOS工艺技术制造。[查看]
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比亚迪触摸按键ic--BF6910AS/11AX
BF6910AX/11AX是基于10/14/22个电容检测通道的芯片,它可以用来检测近距离感应或者触摸,其内置MCU,可灵活配置,通过配置可实现按键、滚轮,滑条等多种应用。 10/14/22个按键都能独立的运行,并且每个按键都能通过对相应的特殊功能寄存器写命令来调节灵敏度。 BF6910AX/11AX通过IIC与主机进行通信。 BF6910AX/11AX包含一个主频为24MHZ的单片机内核和一些其它外围设备[查看]
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