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- PN6370M六级能效集成待机功耗准谐振原边控制器及690V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。PN6370M为原边反馈工作模式，可省略光耦和TL431。内置高压启动电路，可实现芯片空载损耗（230VAC ）小于30mW。[查看]
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http://zm699.com/Products/690vgxbnld.html
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- PN6370P集成待机功耗准谐振原边控制器及690V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。PN6370P为原边反馈工作模式，可省略光耦和TL431。内置启动电路，可实现芯片空载损耗（230VAC ）小于30mW。在恒压模式，采用准谐振与多模式技术清除音频噪声，使得系统满足6级能效标准，可调输出线补偿功能能使系统获得较好的负载调整率；在恒流模式，输出电流和功率可通过CS脚的电阻进行调节。该芯片提供的智能保护功能，包含逐周期过流保护、过压保护、开环保护、过温保护、输出短路保护和CS开/短路保护,同时还集成AC电压过压保护功能，可通过系统分压电阻调节。[查看]
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http://zm699.com/Products/djghzxzy0bf.html
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- AP2008是一个恒定频率峰值电流模式的异步PWM升压转换器。需要一个外部肖特基二极管。在轻负载时，AP2008工作在轻负载模式。静态电流为100uA，内部NMOS管导通电阻为200mΩ，保证在整个输出负载范围内效率高。2A峰值电流使得AP2008可以提供1A输出负载电流，非常适应于MID和移动电源。输入电压范围3V~ 25V。内部工作频率是设定在1.0MHz。 AP2008采用6引脚的扁平SOT-23封装。[查看]
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