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600V高性能半桥驱动- PN7195
PN7195是- -款单相半桥智能功率模块,用于无刷电机驱动,模块内部集成- - 颗智能HVIC和两颗低Rs(on)的FR-MOSFET。模块采用CSOP10封装,使用非常方便。输入兼容CMOS和LSTTL信号,逻辑输入电平兼容3.3V/5V/15V。模块内置多种保护功能,包括电源欠压保护、过流保护、过温保护...
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芯朋微代理600V高性能半桥马达驱动芯片- PN7193
PN7193是- -款单相半桥智能功率模块,用于无刷电机驱动,模块内部集成一- 颗智能HVIC和两.颗低Rs(on)的FR-MOSFET。模块采用CSOP10封装,使用非常方便。输入兼容CMOS和LSTTL信号,逻辑输入电平兼容3..3V/5V/15V。模块内置多种保护功能,包括电源欠压保护、过流保护、过温保...
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四输出通道并行接口低侧驱动器-PN7736
PN7736是一款具有保护功能的四通道低侧驱动器,其内部低侧集成了四个N沟道MOSFET,高侧集成了四个功率二=极管,可为电感负载提供续提供1.5A 持续输出电流;同时输出时可提供800mA的持续工作电流。该芯片输出由简单的并行输入接口控制,内部集成了欠压保护、过温保护、输出短路保护等功能。
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功耗睡眠模式的四通道直流马达驱动芯片--PN7719
PN7719是一款具有功耗睡眠模式的四通道直流马达驱动芯片,其可以控制马达进入正转、反转和功耗睡眠模式。该芯片集成了欠压保护、过温保护、输出短路保护等功能。该芯片的两个输入管脚IN1和IN2兼容5V和3.3V信号控制,具有抗干扰性。芯片驱动级为HVCMOS结构,高侧导通电阻0.6ohm,低侧导通电阻0.4oh...
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具有低功耗睡眠模式、外部限流可调的两通道直流马达驱动芯片--PN7707
PN7707是一款具有低功耗睡眠模式的两通道直流马达驱动芯片,其可以控制马达进入正转、反转、刹车、滑行和功耗睡眠模式。该芯片集成了欠压保护、过温保护、输出短路保护和外部可调节驱动限流等功能,并且可以将错误状态反馈给MCU,保障马达工作。该芯片的两个输入管脚IN1和IN2兼容5V和3.3V信号控制,具有抗干扰性...
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基于P衬底、P外延的高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动芯片--PN7103
PN7103 是一款基于 P衬底、P外延的高压、高速功率 MOSFET和 IGBT驱动芯片。其浮地通道能工作在600V的高压下,可用于驱动 2个N型功率 MOSFET或 IGBT组成的半桥结构。该芯片逻辑输入电平兼容 3.3V的CMOS或 LSTTL逻辑输出电平。输出具有大电流脉冲能力。传输延时具有匹...
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芯朋微授权代理商三相全桥栅极驱动芯片--PN7336
PN7336是-款用于三相全桥栅极驱动芯片,内置三个独立的半桥驱动电路,可用于高压,高速MOSFET和IGBT,输入信号可以兼容CMOS和LSTTL信号,逻辑输入电平低至3.3V,芯片内部集成了过流检测功能,当检测到过流信号时会关断6路驱动输出信号,芯片集成了一个漏极开路啊FAULT功能指示,可用于提示过流或...
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具有功耗睡眠模式的两通道马达驱动芯片--PN7705
PN7705是一款具有功耗睡眠模式的两通道直流马达驱动芯片,其可以控制马达进入正转、反转、刹车和功耗睡眠模式。该芯片集成了欠压保护、过温保护、输出短路保护和外部可调节驱动限流等功能,并且可以将错误状态反馈给MCU,保障马达工作。该芯片的两个输入管脚IN1和IN2兼容5V和3.3V信号控制,具有良好的抗干扰性。...
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网格状高压力高功率MOSFET--PN7308
The PN7308 is a high voltage, high speed power MOSFET and IGBT driver based on P_SUB P_EPI process. The floating channel driver can be used to drive two N-...
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网格状高功率MOSFET--PN7303
The PN7303 is a high voltage, high speed power MOSFET and IGBT driver based on P_SUB P_EPI process. The floating channel driver can be used to drive two N-...
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高压力,高功率MOSFET--PN7106A/B
The PN7106A/B is a high voltage, high speed power MOSFET and IGBT driver based on P_SUB P_EPI process. The floating channel driver can be used to drive two...
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芯朋微代理高低侧栅极驱动IC--PN7113
PN7113是一款基于P_SUBP_EPI工艺的高压、高速功率MOSFET和IGBT高低侧驱动芯片。其浮地通道能工作在600V的高压下,可用于驱动2个N型功率MOSFET或IGBT结构。该芯片逻辑输入电平兼容低至3V的CMOS 或LSTTL逻辑输出电平。输出具有大电流脉冲能力。传输延时具有匹配性,以简化在高频...
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高电压,高功率驱动MOSFET--PN7104
The PN7104 is a high voltage, high speed power MOSFET and IGBT driver based on P_SUB P_EPI process. The floating channel driver can be used to drive two N-...
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网格状电机驱动芯片--PN7103
The PN7103 is a high voltage, high speed power MOSFET and IGBT driver based on P_SUB P_EPI process. The floating channel driver can be used to drive two N-...
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高、低驱动程序电机驱动芯片--PN7101
The PN7101 is a high voltage, high speed power MOSFET and IGBT driver based on P_SUB P_EPI process. The floating channel driver can be used to drive two N-...
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高压供电驱动芯片--PN7008A/B
The PN7008 is a high voltage, high speed power MOSFET and IGBT driver. The floating channel driver can be used to drive two N-channel power MOSFET or IGBT ...
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120V高、低驱动程序电机驱动芯片--PN7006A/B
The PN7006 is a high voltage, high speed power MOSFET and IGBT driver based on P_SUB P_EPI process. The floating channel driver can be used to drive two N-...
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芯朋微电子一级代理商授权半桥驱动芯片-PN7103
PN7103是一款基于P衬底、P外延的高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动芯片,其浮地通道能工作在600V的高压下,可用于驱动2个N型功率MOSFET或IGBT组成半桥结构,该芯片逻辑输入电平兼容3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。输出具有大电流脉冲能力,传输延时具有匹配性,以简化在高频下的应用。
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