POWER MOSFET-- 4N60-C
- 11A，600V DP MOS功率管--SVS11N60T/F
- SVS11N60T/F N沟道增强高压功率MOSFET采用士兰微电子DP MOS技术新平台制造，具有很低的传导损耗和开关损耗。使得功率转换器高功率密度，提高热行为。
- 高精密气压、高度传感器--HP206C
- HP206C 是高分辨率（0.1meter）压力传感器，带有 I2C 接口，包括一个硅压阻压力元件和一个高分辨率 24 位△∑ ADC 。HP206C 提供高精度 24 位压力和温度数字输出，客户可以根据应用需要转换速度和高度，所有内置计算采用了高速 4MHz 的浮点运算，计算误差小，数据补偿是内部集成，通讯连接非常简单，高度及温度上下限比较的可编程事件及中断输出控制。HP206C 传感器是采用不锈钢盖子表面封装和符合 RoHS 标准 。
- POWER MOSFET--5N60
- The UTC 5N60 is a high voltage power MOSFET and is designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, low on-state resistance and have a high rugged avalanche characteristics. This power MOSFET is usually used at high speed switching applications in power supplies, PWM motor controls, high efficient DC to DC converters and bridge circuits.
POWER MOSFET
MODEL: 4N60-C
一、DESCRIPTION
The UTC 4N60-C is a high voltage power MOSFET and is designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, low on-state resistance and have a high rugged avalanche characteristics. This power MOSFET is usually used at high speed switching applications in power TO-251TO-220F2supplies, PWM motor controls, high efficient DC to DC converters and bridge circuits.
二、FEATURES
* RDS(ON) < 2.5
* Fast Switching Capability
* Avalanche Energy Specified
* Improved dv/dt Capability, high Ruggedness
三、SYMBOL/PACKAGE
四、ORDERING INFORMATION
五、MARKING
六、ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
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