POWER MOSFET--5N60
- 11A，600V DP MOS功率管--SVS11N60T/F
- SVS11N60T/F N沟道增强高压功率MOSFET采用士兰微电子DP MOS技术新平台制造，具有很低的传导损耗和开关损耗。使得功率转换器高功率密度，提高热行为。
- 高精密气压、高度传感器--HP206C
- HP206C 是高分辨率（0.1meter）压力传感器，带有 I2C 接口，包括一个硅压阻压力元件和一个高分辨率 24 位△∑ ADC 。HP206C 提供高精度 24 位压力和温度数字输出，客户可以根据应用需要转换速度和高度，所有内置计算采用了高速 4MHz 的浮点运算，计算误差小，数据补偿是内部集成，通讯连接非常简单，高度及温度上下限比较的可编程事件及中断输出控制。HP206C 传感器是采用不锈钢盖子表面封装和符合 RoHS 标准 。
- POWER MOSFET-- 4N60-C
- The UTC 4N60-C is a high voltage power MOSFET and is designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, low on-state resistance and have a high rugged avalanche characteristics. This power MOSFET is usually used at high speed switching applications in power TO-251TO-220F2supplies, PWM motor controls, high efficient DC to DC converters and bridge circuits.
POWER MOSFET
MODEL: 5N60
一、DESCRIPTION
The UTC 5N60 is a high voltage power MOSFET and is designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, low on-state resistance and have a high rugged avalanche characteristics. This power MOSFET is usually used at high speed switching applications in power supplies, PWM motor controls, high efficient DC to DC converters and bridge circuits.
二、FEATURES
* RDS(ON) < 2.2
* Ultra Low Gate Charge ( Typical 15 nC )
* Low Reverse Transfer Capacitance ( C RSS = Typical 6.5 pF )
* Fast Switching Capability
* Avalanche Energy Specified
* Improved dv/dt Capability, High Rugged
三、SYMBOL/PACKAGE
四、ORDERING INFORMATION
五、ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
.jpg){kind=small}
全国咨询热线：18929103949 唐小姐
销售部电话：0769-81150556
工程部电话：0769-85638990
QQ：1923681612
邮箱：dgzm699@163.com
总部地址：东莞市大岭山镇矮岭冚村沿河东街8号
佛山办事处：佛山市顺德区容桂镇细滘德宝北路合安街19号
中铭官网：www.zm699.com
| * 联系人： | 请填写您的真实姓名 |
| * 手机号码： | 请填写您的联系电话 |
| 电子邮件： | |
| * 采购意向描述： | |
| 请填写采购的产品数量和产品描述，方便我们进行统一备货。 | |
| 验证码： |
|
- 11A，600V DP MOS功率管--SVS11N60T/F
- SVS11N60T/F N沟道增强高压功率MOSFET采用士兰微电子DP MOS技术新平台制造，具有很低的传导损耗和开关损耗。使得功率转换器高功率密度，提高热行为。
- 高精密气压、高度传感器--HP206C
- HP206C 是高分辨率（0.1meter）压力传感器，带有 I2C 接口，包括一个硅压阻压力元件和一个高分辨率 24 位△∑ ADC 。HP206C 提供高精度 24 位压力和温度数字输出，客户可以根据应用需要转换速度和高度，所有内置计算采用了高速 4MHz 的浮点运算，计算误差小，数据补偿是内部集成，通讯连接非常简单，高度及温度上下限比较的可编程事件及中断输出控制。HP206C 传感器是采用不锈钢盖子表面封装和符合 RoHS 标准 。
- POWER MOSFET-- 4N60-C
- The UTC 4N60-C is a high voltage power MOSFET and is designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, low on-state resistance and have a high rugged avalanche characteristics. This power MOSFET is usually used at high speed switching applications in power TO-251TO-220F2supplies, PWM motor controls, high efficient DC to DC converters and bridge circuits.
相关资讯
| 我要评论: | |
| 内 容： |
（内容最多500个汉字，1000个字符） |
| 验证码： | 看不清？！ |
销售电话：0769-81150556
工程电话：0769-85638990
传真：0769-83351643
地址：东莞市矮岭冚村沿河东街8号
共有-条评论【我要评论】