PN7114是一款高压、高速的功率MOSFET和IGBT驱动芯片，其具有独立的高低侧输出通道。PN7114浮地通道能在600V的高压下工作，可用于驱动N沟道功率MOSFET或IGBT构成的半桥拓扑结构。其输入信号可以兼容CMOS和LSTTL信号，逻辑输入电平低至3V。芯片良好的延时匹配功能可以轻松的适用于高频应用场合。[查看]

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PN8213内部集成了电流模式控制器和高压启动模块，专用于高性能的快速充电开关电源。PN8213根据输入电压、输出电压和负载自适应切换QR-Lock Mode、PFM和Burst Mode,多模式调制技术和特殊器件低功耗结构技术实现了全负载范围内的高效率和低待机功耗，同时避免了开关变换器进入CCM模式工作，降低次级整流管的电压应力。[查看]

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PN8273内部集成了电流模式控制器和高压启动模块,专用于高性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源。该芯片通过PWM、PFM、Burst-mode的 三种模式混合调制技术和特殊器件低功耗结构技术实现了超低的待机功耗、全电压范围下的最佳效率。[查看]

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PN8580电源管理芯片集成低待机功耗准谐振原边控制器及650V高雪崩能力功率MOSFET,用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。PN8580为原边反馈工作模式，可 省略光耦和TL431。 在恒压模式，采用准谐振与多模式技术提高效率并消除音频噪声,使得系统满足6级能效标准，可调输出线补偿功能能使系统获得较好的负载调整率;在恒流模式，输 出电流和功率可通过Cs脚的电阻进行调节。该芯片提供了极为全面的智能保护功能，包含逐周期过流保护、过压保护、开环保护、过温保护、输出短路保护和CS开路保护等。[查看]

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PN8039集成PFM控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源。PN8039内置高压启动模.块，实现系统快速启动、超低待机。该芯片提供了完整的智能化保护功能，包括过载保护、欠压保护、过温保护。另外PN8039的降频调制技术有助于改善EMI特性。[查看]

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PN7922是-款隔离式双通道栅极驱动芯片，该芯片可以作为大功率MOSFET和IGBT的驱动开关。PN7922每- -路至少提供4A拉电流和8A灌电流的峰值电流，并且具有较小的传播延时和脉冲宽度失真。[查看]

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PN8058P集成PFM控制器及690V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源。PN8058P内置 高压启动模块,实现系统快速启动、超低待机功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能，包括过载保护，欠压保护，过温保护。另外PN8058P的降频调制技术有助于改善EMI特性。[查看]

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PN7193是- -款单相半桥智能功率模块，用于无刷电机驱动，模块内部集成一- 颗智能HVIC和两.颗低Rs(on)的FR-MOSFET。模块采用CSOP10封装，使用非常方便。输入兼容CMOS和LSTTL信号，逻辑输入电平兼容3..3V/5V/15V。模块内置多种保护功能，包括电源欠压保护、过流保护、过温保护;模块集成输入信号互锁、输出死区、开-漏极输出的FAULT和输入的使能等功能。[查看]

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AP5056是一个完整的单片锂离子电池恒流/恒压线性电源管理芯片，其SOP/MSOP 封装和较少的外围元件非常适合应用于便携式产品，而且 AP5056专门设计适用于USB的供电规格。基于内部MOSFET结构，不需要外部感应电阻和隔离二极管，当外部环境温度过高或在大功率工作时，热反馈可以调节充电电流以降低芯片温度。充电电压被固定在4.2V，充电电流可通过外部电阻设置。当充电电流在达到浮充电压之后降至设定值 1/10 时，AP5056 将自动终止充电循环。 当输入端（适配器或USB电源）拔掉后，AP5056自动进入低电流状态，电池漏电流将降到2μA以下。 AP5056还可被设置于停机状态，使电源电流降到50μA。 其余特性包括：电池温度监测，欠压锁闭，自动再充电和两个状态引脚以显示充电和充电终止。[查看]

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PN8505A基于高压同步整流架构，集成PFM控制器以及550V高可靠性MOSFET，用于外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源。PN8505A内置550V高压启动，实现系统快速启动、待机功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能，包括过流保护，欠压保护，过温保护。另外PN8505A具有优异的EMI特性。[查看]

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PN8275内部集成了电流模式控制器和启动模块，用于高性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源。该芯片通过QR-PWM、QR-PFM、Burst-mode的三种模式混合调制技术和特殊器件低功耗结构技术实现了的待机功耗、电压范围下的效率。频率调制技术和SoftDriver技术充分保证系统的良好EMI表现。同时，PN8275还提供性能优异的智能化保护功能，包括输入欠/过压保护、X电容放电功能、输出过压保护、外部OTP保护、周期式过流保护、过载保护、软启动功能。[查看]

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AP8505M基于高压同步整流架构，集成PFM控制器以及500V高可靠性MOSFET，用于外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源。AP8505M内置500V高压启动，实现系统快速启动、待机功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能，包括过流保护，欠压保护，过温保护。另外AP8505M具有优异的EMI特性。[查看]

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PN8147H内部集成了脉宽调制控制器和功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源。该芯片提供了性能优异的智能化保护功能，包括周期式过流保护（外部可调）、过载保护、过压保护、CS短路保护、软启动功能。通过Hi-mode、Eco-mode、Burst-mode的三种脉冲功率调节模式混合技术和特殊器件低功耗结构技术实现了的待机功耗、电压范围下的效率。良好的EMI表现由频率调制技术和Soft Driver技术充分保证。该芯片还内置智能高压启动模块。[查看]

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AP2952A是一款单片同步整流降压稳压器，它集成了导通阻抗130m?的MOSFET，可以在很宽的输入电压范围（4.75V-18V）内提供2A的负载能力。电流模式控制使其具有很好的瞬态响应和单周期内的限流功能。 可调的软启动时间能避免开启瞬间的冲击电流，在停机模式下，输入电流小于1uA。 AP2952A封装为SOP8-PP, 同时提供了紧凑的系统方案，可以限度的减少外围元件。[查看]

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PN7113是一款基于P_SUBP_EPI工艺的高压、高速功率MOSFET和IGBT高低侧驱动芯片。其浮地通道能工作在600V的高压下，可用于驱动2个N型功率MOSFET或IGBT结构。该芯片逻辑输入电平兼容低至3V的CMOS 或LSTTL逻辑输出电平。输出具有大电流脉冲能力。传输延时具有匹配性，以简化在高频下的应用。[查看]

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PN8016集成PFM控制器及800V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源， 输出电压可通过FB 电阻调整。PN8016内置800V高压启动与自供电模块，实现系统快速启动、待机、自供电功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能，包括过载保护，欠压保护，过温保护。另外PN8016的降频调制技术有助于 EMI特性。[查看]

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PN8044M集成PFM控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于外围元器件的小功率非隔离开关电源， PN8044M 内置650V高压启动模块，实现系统快速启动、待机功能。该芯片提供的智能化保护功能，包括过载保护，欠压保护，过温保护。另外PN8044M的降频调制技术有助于EMI特性。[查看]

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PN8026R芯片内部集成了脉宽调制控制器和高雪崩能力的功率MOSFET，适用于小功率非隔离开关电源。该芯片提供了智能化保护功能，包括过流保护，过压保护，欠压保护，过温保护；降频调制技术有助于EMI特性。该芯片还内置启动模块，保证系统能迅速启动。应用系统的外围元件更加简洁。[查看]

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PN7136是一款具有三相独立输出的高压、高速功率MOSFET和IGBT高低侧驱动芯片，其浮地通道能工作在600V的高压下，可用于驱动2个N型功率MOSFET或IGBT结构。该芯片逻辑输入电平兼容3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。该芯片可以通过外部电流感应电阻传送信号对六个输出进行关断，实现过流保护功能。使能端可以同时关断六个输出通道。FAULT端信号用于提示过流或者欠压情况的发生，过流信号的自动清除时间可以通过外部可编程的RC延时网络提供。输出具有大电流脉冲能力。传输延时具有匹配性，以简化在高频下的应用。[查看]

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