NSG27325Q是功率开关系列驱动器。在对功率开关的栅极进行充电和放电时，它具有匹配的上升和下降时间。NSG27325Q在其额定功率和电压范围内的任何条件下都具有高度的锁存抵抗能力。当接地引脚上出现高达5V的噪声尖峰（任一极性）时，NSG27325Q不会受到损坏。NSG27325Q可以接受高达500mA的反向电流强制返回其输出，而不会造成损坏或逻辑混乱。所有端口均受到高达2.0kV静电放电(ESD)的全面保护。[查看]

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NSG3100C 4A栅极驱动器设计为通过在短开关间隔内提供高峰值电流脉冲，驱动低边开关应用驱动中的一个N沟道增强MOSFET。此驱动器可以提供NSG3100C输入阈值。内部电路可使输出保持低电平状态。NSG3100C提供快速MOSFET开关性能，可在高频功率转换器设计中最大限度提高效率。[查看]

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NSG27517是一款低电压功率MOSFET和IGBT同相位栅驱动器。专有的闩锁免疫CMOS技术可以实现高鲁棒性的单芯片集成结构。NSG27517逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。输出驱动器具有宽VCC范围、带滞后的欠压锁定和输出电流缓冲级。可以在-40℃至125℃温度范围内工作。[查看]

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AGM4013A-CP采用先进沟槽型MOSFET工艺搭配低阻封装，可实现极低的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于负载开关及电池保护场景。[查看]

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NSG2113是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片，采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成。具有独立的高、低侧传输通道NSG2113的逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平，输出具有大电流脉冲能力，其浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET，浮地通道最高工作电压可达700V。NSG2113内部集成高低侧shutdown逻辑，可用于故障条件下的通断关断。NSG2113采用宽体SOP16（W）封装，可以在-40℃至125℃温度范围内工作。[查看]

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NSG21851是一款高压、高速功率MOSFET/IGBT高侧驱动芯片。内部集成了高侧欠压锁定电路、过压钳位电路等保护电路，具备大电流脉冲输出能力，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平，输出电流能力最大可达4A，其浮地通道最高工作电压可达700V。可用于驱动N沟道高压功率MOSFET/IGBT等器件。[查看]

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NSH405M0PC是一款4A、500V半桥智能功率模块，专为电机驱动应用设计。该模块集成了4A/500V MOSFET栅极驱动器与自举升压功能，采用紧凑的ESOP13封装。它可灵活应用于单相及三相直流无刷电机驱动系统。[查看]

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NSG2023是一款高压、高速功率MOSFET高低侧栅极驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。NSG2023采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平，输出具有大电流脉冲能力和防直通的死区逻辑。NSG2023集成有自举二极管，对高侧进行充电，简化了芯片外围电路。NSG2023其浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET，浮地通道最高工作电压可达250V。NSG2023采用SOIC8封装，可以在-40℃至125℃温度范围内工作。[查看]

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NSG27531是一款低电压功率MOSFET和IGBT同相位 栅驱动器。专有的闩锁免疫CMOS技术可以实现高鲁 棒性的单芯片集成结构。NSG27531逻辑输入电平兼容[查看]

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NSG21814是高压、高速功率MOSFET/IGBT高低侧驱动系列芯片，具有两个独立传输通道，逻辑地与功率地分离，可以更好的减少功率级噪声对逻辑电路的干扰。内部集成了高、低侧欠压锁定电路、过压钳位电路等保护电路，具备大电流脉冲输出能力，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平，输出电流能力最大可达4A，其浮地通道最高工作电压可达700V 。 可用于驱动N沟道高压功率MOSFET/IGBT等器件。[查看]

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NSG2184 是高压、 高速功率 MOSFET/IGBT 高低侧驱 动系列芯片， 具有单输入信号同时控制两个传输通道。 内部集成了高、 低侧欠压锁定电路、 过压钳位电路、 和防直通锁定电路等保护电路， 具备大电流脉冲输出 能力， 逻辑输入电平兼容低至 3.3V 的 CMOS 或 LSTTL 逻辑输出电平， 输出电流能力最大可达 4A， 其 浮地通道最高工作电压可达 700V。 可用于驱动 N 沟道 高压功率 MOSFET/IGBT 等器件。[查看]

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NSG6020是一款高压、高速功率MOSFET/IGBT高低侧驱动芯片，具有两个独立地传输通道。内部集成了高、低侧欠压锁定电路、过压钳位电路等保护电路，具备大电流脉冲输出能力，逻辑输入电平兼容低至 3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平，输出电流能 力最大可达4A，其浮地通道最高工作电压可达700V。 可用于驱动N沟道高压功率MOSFET/IGBT等器件。[查看]

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NSG27517是一款低电压功率MOSFET和IGBT同相位栅驱动器。专有的门锁免疫CMOS技术可以实现高鲁棒性的单芯片集成结构。NSG27517逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。输出驱动器具有宽VCC范围、带滞后的欠压锁定和输出电流缓冲级。可以在-40℃至125℃温度范围内工作。[查看]

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NSG27526器件是双通道、高速、低侧栅极驱动器，此器件能够有效地驱动MOSFET和绝缘栅极型功率管（IGBT）电源开关。NSG27526能够将高达4A拉电流和4A灌电流的高峰值电流脉冲传送到电容负载，此器件还具有轨到轨驱动能力和典型值为20ns的极小传播延迟。[查看]

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NSG27524是功率开关驱动器。在对功率开关的栅极进行充电和放电时，它具有匹配的上升和下降时间。NSG27524在其额定功率和电压范围内的任何条件下都具有高度的锁存抵抗能力。当接地引脚上出现高达5V的噪声尖峰（任一极性）时，NSG27524不会受到损坏。NSG27524可以接受高达500mA的反向电流强制返回其输出，而不会造成损坏或逻辑混乱。所有端口均受到高达2.0kV静电放电（ESD)的全面保护。[查看]

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NSG21867 是一款高压、高速功率 MOSFET/IGBT 高低 侧驱动芯片，具有两个独立地传输通道。内部集成了 高、低侧欠压锁定电路、过压钳位电路等保护电路， 具备大电流脉冲输出能力，逻辑输入电平兼容低至 3.3V 的 CMOS 或 LSTTL 逻辑输出电平，输出电流能力 最大可达 4A，其浮地通道最高工作电压可达 700V。可 用于驱动 N 沟道高压功率 MOSFET/IGBT 等器件。[查看]

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NSH406PQ是一款4A、600V半桥智能功率模块，专为电机驱动应用设计。该模块集成了4A/600V IGBT栅极驱动器和自举功能，采用紧凑的PQFN 5×6mm封装。可灵活应用于单相和三相直流无刷电机驱动系统。[查看]

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PN7921是一款隔离式双通道栅极驱动芯片，该芯片可以作为大功率MOSFET和IGBT的驱动开关。PN7921每一路提供4A拉电流和8A灌电流的峰值电流，并且具有较小的传播延时和脉冲宽度失真。[查看]

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NSH405PQ是一款4A、500V半桥智能功率模块，专为电机驱动应用而设计。该模块集成了4A/500V MOSFET栅极驱动器及自举升压功能，采用紧凑型PQFN 5×6mm封装，可灵活应用于单相和三相直流无刷电机驱动系统。[查看]

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NSG27324 是功率开关系列驱动器。在对功率开关的栅极进行充电和放电时，它具有匹配的上升和下降时间。NSG27324在其额定功率和电压范围内的任何条件下都具有高度的锁存抵抗能力。当接地引脚上出现高达5V的噪声尖峰（任一极性）时，NSG27324不会受到损坏。NSG27324可以接受高达500mA的反向电流强制返回其输出，而不会造成损坏或逻辑混乱。所有端口均受到高达2.0kV静电放电(ESD)的全面保护。[查看]

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