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[隔离式次级反馈芯片] 具有软启动功能待机功耗交直流转换芯片--PN8135[ 2017-06-17 ]

: PN8135内部集成了脉宽调制控制器和功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源。该芯片提供了性能优异的智能化保护功能，包括周期式过流保护(外部可调）、过载保护、过压保护、CS短路保护、软启动功能。通过Hi-mode、Eco-mode、Burst-mode的三种脉冲功率模式混合技术和特殊器件低功耗结构技术实现了的待机功耗，电压范围下的效率。[查看]; http://zm699.com/Products/jyrqdgndjg.html

[隔离式原边反馈芯片] 用于高性能,高精度CC CV原边反馈交直流转换器--PN8232[ 2017-06-16 ]

: PN8232是一款高精度的恒压、恒流原边控制器。用于高性能、外围元器件精简的充电器和LED照明。PN8232工作在原边调整模式，可省略光耦和TL431。该芯片提供了的自恢复保护功能，包含逐周期过流保护、过压保护、开环保护、过温保护、输出短路保护和CS电阻开/短路保护等。极低的芯片启动电流能够满足的待机功耗标准。在恒流模式，电流和输出功率可通过CS脚的Rs 电阻进行调节；在恒压模式，PFM工作模式可获得较高的性能和效率。轻载时，该芯片采用较小的峰值电流工作以减小音频噪声。另外，输出线电阻补偿功能有助于获得较好的负载调整率。[查看]; http://zm699.com/Products/yygxngjdcc.html

[芯朋微开关电源芯片] 待机功耗准谐振原边反馈交直流转换器--PN6370P[ 2017-06-16 ]

: PN6370P集成待机功耗准谐振原边控制器及690V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。PN6370P为原边反馈工作模式，可省略光耦和TL431。内置启动电路，可实现芯片空载损耗（230VAC ）小于30mW。在恒压模式，采用准谐振与多模式技术清除音频噪声，使得系统满足6级能效标准，可调输出线补偿功能能使系统获得较好的负载调整率；在恒流模式，输出电流和功率可通过CS脚的电阻进行调节。该芯片提供的智能保护功能，包含逐周期过流保护、过压保护、开环保护、过温保护、输出短路保护和CS开/短路保护,同时还集成AC电压过压保护功能，可通过系统分压电阻调节。[查看]; http://zm699.com/Products/djghzxzy0bf.html

[隔离式原边反馈芯片] 690V高雪崩能力待机功耗准谐振原边反馈交直流转换器-PN6370M[ 2017-06-16 ]

: PN6370M六级能效集成待机功耗准谐振原边控制器及690V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。PN6370M为原边反馈工作模式，可省略光耦和TL431。内置高压启动电路，可实现芯片空载损耗（230VAC ）小于30mW。[查看]; http://zm699.com/Products/690vgxbnld.html

[同步整流芯片] 内置电压降极低的功率MOSFET的高性能同步整流器--PN8306M[ 2017-06-16 ]

: PN8306M包括同步整流控制器及N型功率MOSFET,用于在高性能反激系统中替代次级整流肖特基二极管。PN8306M内置电压降极低的功率MOSFET以提高电流输出能力，提升转换效率并降低芯片温度。[查看]; http://zm699.com/Products/nzdyjjddgl.html

[同步整流芯片] 用于高性能反激系统内置功率MOS的高性能同步整流器--PN8306[ 2017-06-16 ]

: PN8306包括同步整流控制器及N型功率MOSFET,用于在高性能反激系统中替代次级整流肖特基二极管。PN8306内置电压降极低的功率MOSFET以提高电流输出能力，提升转换效率并降低芯片温度。[查看]; http://zm699.com/Products/yygxnfjxtn.html

[DC-DC芯片] 500kHz,5A同步整流升压转换器--AP2007[ 2017-05-09 ]

: AP2007是一款紧凑型，效率高同步升压转换器，内置功率MOSFET,在关闭输出时实现真正关断功能。AP2007静态电流仅为70uA(典型值)，空载或轻载时，AP2007为节能的PFM工作模式。当负载大于150mA时，采用500KHz固定频率PWM工作模式。内部补偿的电流控制模式实现快速瞬态响应。[查看]; http://zm699.com/Products/500khz5atb.html

[非隔离开关电源芯片] 650V高雪崩能力宽输出范围非隔离交直流转换芯片--PN8046[ 2017-04-25 ]

: PN8046集成PFM控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于外围元器件精简的小功率非隔离开关电源。 PN8046内置650V高压启动模块，实现系统快速启动、待机功能。该芯片提供了智能化保护功能，包括过载保护，欠压保护，过温保护。另外PN8046的降频调制技术有助于EMI特性。[查看]; http://zm699.com/Products/650vgxbnlk.html

[同步整流芯片] 集成高压启动的同步整流控制器--PN8300[ 2017-04-25 ]

: PN8300是一款内置高压启动同步整流控制器，通过外驱N型功率MOSFET，用于在高性能反激系统中替代次级整流肖特基二极管，以提升系统的转换效率。 PN8300处于开关工作模式，只适用于DCM和QR工作模式的开关电源系统。当芯片检测到VDET<-400mV，控制器驱动外部的功率MOSFET开启；当芯片检测到功率MOSFET流过的电流降低到阈值-10mV时，控制器驱动功率MOSFET关闭。该芯片提供了优异的辅助功能，包含输出欠压保护等功能。PN8300内置高压启动电路可支持输出电压2V时，系统仍能正常工作。[查看]; http://zm699.com/Products/jcgyqddtbz.html

[DC-DC芯片] 1MHz,微功率同步升压型转换器--AP2000[ 2017-03-31 ]

: AP2000 是一款1.2MHz 固定开关频率，效率高，同步升压转换器。能够用于单节干电池产生3.3V电压并提供100mA 以上的驱动能力。AP2000 内部集成了NMOS 主开关管和PMOS 的同步整流管，1.2MHz的开关频率可以使用小型化的电感和陶瓷电容，减小了整体应用方案尺寸。电流模式PWM 方式的内部补偿，减少了外围元件，提高了瞬态响应能力。内部振铃抑制电路减少了开关端EMI辐射。当关断电路时，AP2000自身消耗电流低于1uA。AP2000采用6引脚的扁平SOT-23 封装。可提供固定输出电压版本和可调输出电压版本。[查看]; http://zm699.com/Products/1mhzwgltbs.html

[LED驱动芯片] 内部集成MCU接口LED驱动控制电路--AIP1668[ 2017-03-24 ]

: AIP1668是带键盘扫描口的LED驱动控制电路,内部集成有MCU数字接口,数据锁存器,键盘扫描等电路。本产品主要应用于VCR,VCD,DVD及家庭影院等产品的显示屏驱动。[查看]; http://zm699.com/Products/nbjcmcujkl.html

[电机驱动芯片] 具有保护功能的门极驱动芯片--PN7003[ 2017-03-23 ]

: PN7003是一款可以提供大电流输出、方便易用的智能化IGBT驱动，该芯片集成了欠压锁定、过压锁定、IGBT导通时间控制、IGBT SOA保护以及故障后“软关断”等功能，保障IGBT工作。并且PN7003可与MCU进行故障通信，将故障信号反馈给MCU，同时接收MCU唤醒或重置信号。[查看]; http://zm699.com/Products/jybhgndmjq.html

[DC-DC芯片] 1MHz,2A升压转换器--AP2008[ 2017-03-23 ]

: AP2008是一个恒定频率峰值电流模式的异步PWM升压转换器。需要一个外部肖特基二极管。在轻负载时，AP2008工作在轻负载模式。静态电流为100uA，内部NMOS管导通电阻为200mΩ，保证在整个输出负载范围内效率高。2A峰值电流使得AP2008可以提供1A输出负载电流，非常适应于MID和移动电源。输入电压范围3V~ 25V。内部工作频率是设定在1.0MHz。 AP2008采用6引脚的扁平SOT-23封装。[查看]; http://zm699.com/Products/1mhz2asyzh.html

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