AP2203系列是PFM控制的开关型DC/DC升压稳压芯片，其内部主要由参考电压基准，振荡器，比较器组成，输出电压纹波低，转换效率高，带载能力强。AP2203外围仅需一个电感和一个电容。当CONT点电压超过限定值时保护电路会关断内置场效应管以防止器件损坏。其保护特性及小封装和低功耗特性非常适合应用于便携式产品。[查看]

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AP2018是一款高功率密度，同步升压转换器，可由宽输入电压范围2.7V~9V供电。宽泛的输入电压范围非常适用于单节或双节锂离子电池便携设备，例如带有高压充电端口HVDCP的移动电源。由于采用电流模PWM控制架构,AP2018在定频时可获得瞬态响应，在轻载时处于PFM模式可获得省电效果。芯片集成了低RDS(ON) 功率开关，在轻载和重载下都保持。其他保护特性包括软启动，逐周期峰值限流，热关断，输入欠压保护和栅极驱动UVLO。AP2018采用SO8-EP封装，既有利于紧凑的解决方案又能较好的散热。[查看]

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The PN7101 is a high voltage, high speed power MOSFET and IGBT driver based on P_SUB P_EPI process. The floating channel driver can be used to drive two N-channel power MOSFET or IGBT independently which operates up to 600 V. Logic inputs are compatible with standard CMOS or LSTTL output, down to 3.3V logic. The output drivers feature a high pulse current buffer stage designed for minimum driver c[查看]

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The PN7103 is a high voltage, high speed power MOSFET and IGBT driver based on P_SUB P_EPI process. The floating channel driver can be used to drive two N-channel power MOSFET or IGBT in a half-bridge configuration which operates up to 600 V. Logic inputs are compatible with standard CMOS or LSTTL output, down to 3.3V logic.[查看]

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The PN7106A/B is a high voltage, high speed power MOSFET and IGBT driver based on P_SUB P_EPI process. The floating channel driver can be used to drive two N-channel power MOSFET or IGBT in a half-bridge configuration (versionB) or any other high-side& low-side configuration (version A) which operates up to 600V. Logic inputs are compatible with standard CMOS or LSTTL output, down to 3.3V logic.[查看]

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The PN7008 is a high voltage, high speed power MOSFET and IGBT driver. The floating channel driver can be used to drive two N-channel power MOSFET or IGBT independently which operates up to 600 V. Logic inputs are compatible with standard CMOS or LSTTL output, down to 3.3V logic. The output drivers feature a high pulse current buffer stage designed for minimum driver cross conduction.[查看]

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PN8160内部集成了电流模式控制器和功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源。该芯片提供了性能优异的智能化保护功能，包括输出过压保护、周期式过流保护、过载保护、软启动功能。通过QR-PWM、QR-PFM、Burst-mode的三种模式混合调制技术和器件低功耗结构技术实现了待机功耗、电压范围下的效率。频率调制技术和SoftDriver技术充分保证良好的EMI表现。PN8160为需要待机功耗的高性价比反激式开关电源系统提供了一个平台，非常适合六级能效、CoC Tier 2应用。[查看]

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PN8036M集成PFM控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET ，用于外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源。 PN8036M内置650V高压启动模块，实现系统快速启动、待机功能。该芯片提供了智能化保护功能，包括过流保护，欠压保护，过温保护。另外PN8036M的降频调制技术有助于EMI特性 。[查看]

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PN8038M集成PFM控制器及650V 高雪崩能力智能功率MOSFET ，用于外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源。 PN8038M内置650V高压启动模块，实现系统快速启动、待机功能。该芯片提供的智能化保护功能，包括过流保护，欠压保护，过温保护。另外PN8038M 的降频调制技术有助于EMI特性。[查看]

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PN8046M 集成PFM控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET ，用于外围元器件的高功率非隔离开关电源。 PN8046M内置650V高压启动模块，实现系统快速启动、待机功能。该芯片提供的智能化保护功能，包括过载保护，欠压保护，过温保护。另外PN8046M的降频调制技术有助于EMI特性。[查看]

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PN8048M集成PFM控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET ，用于外围元器件小功率非隔离开关电源。 PN8048M内置650V高压启动模块，实现系统快速启动、待机功能。该芯片提供的智能化保护功能，包括过载保护，欠压保护，过温保护。另外PN8048M 的降频调制技术有助于EMI特性。[查看]

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The PN7006 is a high voltage, high speed power MOSFET and IGBT driver based on P_SUB P_EPI process. The floating channel driver can be used to drive two N-channel power MOSFET or IGBT independently which operates up to 120 V.Logic inputs are compatible with standard CMOS or LSTTL output, down to 3.3V logic. The output drivers feature a high pulse current buffer stage designed for minimum driver .[查看]

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PN8306L包括同步整流控制器及高雪崩能力功率MOSFET,用于在高性能AC/DC反激系统中替代次级整流肖特基二极管。PN8306L内置电压降极低的功率MOSFET以提高电流输出能力，提升转换效率,使得系统效率可以满足6级能效的标准，并留有足够的裕量。PN8306L集成的辅助功能，包含输出欠压保护、输出过压钳位、防误开启等功能。[查看]

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PN8328包括高精度的恒流原边控制器及功率MOSFET，用于高可靠、隔离双绕组、精简外围元器件的中小功率LED照明，该芯片工作在原边调整模式，可省略光耦、TL431，采用了DMOS自供电的技术可节省变压器辅助绕组和启动电阻。该芯片提供了自恢复保护功能，包含逐周期过流保护、开环保护、过温保护、Rcs开/短路保护和LED开/短路保护等，内置启动电路和低的芯片功耗有助于获取较高的工作效率。在恒流模式下，电流和输出功率可通过CS脚的Rcs电阻进行调节。[查看]

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PN6012芯片内部集成了脉宽调制控制器和功率MOSFET，适用于小功率离线式开关电源。该芯片提供了完整的智能化保护功能，包括过流保护，欠压保护，过温保护和软启动功能。间歇工作模式能够降低系统处于待机模式时的功耗；抖频技术有助于EMI特性。该芯片还内置高压启动模块，保证系统能迅速启动。[查看]

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PN8016集成PFM控制器及800V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源， 输出电压可通过FB 电阻调整。PN8016内置800V高压启动与自供电模块，实现系统快速启动、待机、自供电功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能，包括过载保护，欠压保护，过温保护。另外PN8016的降频调制技术有助于 EMI特性。[查看]

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PN8147T内部集成了脉宽调制控制器和功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源。该芯片提供了性能优异的智能化保护功能，包括周期式过流保护(外部可调）、过载保护、过压保护、CS短路保护、软启动功能。通过Hi-mode、Eco-mode、Burst-mode的三种脉冲功率模式混合技术和特殊器件低功耗结构技术实现了的待机功耗，电压范围下的效率。良好的EMI表现由频率调制技术和Soft Driver技术充分保证。该芯片还内置智能启动模块。PN8147T为需要待机功耗的高性价比反激式开关电源系统提供了一个平台，非常适合智能电表、Eur2.0、能源之星的应用。[查看]

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PN8145T内部集成了脉宽调制控制器和功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源。该芯片提供了性能优异的智能化保护功能，包括周期式过流保护(外部可调）、过载保护、过压保护、CS短路保护、软启动功能。通过Hi-mode、Eco-mode、Burst-mode的三种脉冲功率模式混合技术和器件低功耗结构技术实现了的待机功耗，电压范围下的效率。良好的 EMI表现由频率调制技术和SoftDriver技术充分保证。[查看]

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PN8135H内部集成了脉宽调制控制器和功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源。该芯片提供了性能优异的智能化保护功能，包括周期式过流保护(外部可调）、过载保护、过压保护、CS短路保护、软启动功能。通过Hi-mode、Eco-mode、Burst-mode的三种脉冲功率模式混合技术和特殊器件低功耗结构技术实现了的待机功耗以及电压范围下的效率。良好的 EMI表现由频率调制技术和SoftDriver技术充分保证。该芯片还内置智能高压启动模块。非常适用于DVB和智能电表应用。[查看]

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