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- PN7791是一款单相无刷直流电机驱动芯片,内部集成功率MOSFETs和霍尔效应传感器,可以驱动峰值电流1A以内的单相无刷直流风扇电机。PN7791通过PWM引脚输入的PWM信号控制转速,改变PWM输入占空比,控制输出速度。PN7791在FG/RD引I脚具有转速检测、显示转子锁定故障功能。为了减少风扇驱动器的噪音和功率损耗,PN7791具有软开关、可编程提前换向功能。PN7791集成了可编程转子锁定保护、过温保护、过压保护、欠压锁定、限流、短路保护等功能。[查看]
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- PN7114是一款高压、高速的功率MOSFET和IGBT驱动芯片,其具有独立的高低侧输出通道。PN7114浮地通道能在600V的高压下工作,可用于驱动N沟道功率MOSFET或IGBT构成的半桥拓扑结构。其输入信号可以兼容CMOS和LSTTL信号,逻辑输入电平低至3V。芯片良好的延时匹配功能可以轻松的适用于高频应用场合。[查看]
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- PN7921是一款隔离式双通道栅极驱动芯片,该芯片可以作为大功率MOSFET和IGBT的驱动开关。PN7921每一路提供4A拉电流和8A灌电流的峰值电流,并且具有较小的传播延时和脉冲宽度失真。[查看]
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- PN7903是一款光耦兼容型单通道隔离栅极驱动芯片,该芯片可以作为大功率MOSFET. SiC和IGBT的驱动开关。PN7903的输入级和光耦特性-致,并且引脚分配保持兼容,在良好兼容采用传统光耦设计的原理图、PCB的同时,提供了更好的可靠性和使用寿命。[查看]
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- PN7922是-款隔离式双通道栅极驱动芯片,该芯片可以作为大功率MOSFET和IGBT的驱动开关。PN7922每- -路至少提供4A拉电流和8A灌电流的峰值电流,并且具有较小的传播延时和脉冲宽度失真。[查看]
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- IDS609是一款基于P衬底、P外延的高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动芯片。其浮地通道能工作在600V的高压下。可用于驱动2个N沟道功率MOSFET或IGBT构成的半桥拓扑结构。输入信号可以兼容CMOS和LSTTL信号,逻辑输入电平低至3.3V。具有大电流输出能力,输入端具有有效电平逻辑互锁功能,能够有效的防止输出功率管共态导通。芯片良好的延时匹配功能可以轻松的适用于高频应用场合。[查看]
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- PN7736是一款具有保护功能的四通道低侧驱动器,其内部低侧集成了四个N沟道MOSFET,高侧集成了四个功率二=极管,可为电感负载提供续提供1.5A 持续输出电流;同时输出时可提供800mA的持续工作电流。该芯片输出由简单的并行输入接口控制,内部集成了欠压保护、过温保护、输出短路保护等功能。[查看]
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- PN7705是一款具有功耗睡眠模式的两通道直流马达驱动芯片,其可以控制马达进入正转、反转、刹车和功耗睡眠模式。该芯片集成了欠压保护、过温保护、输出短路保护和外部可调节驱动限流等功能,并且可以将错误状态反馈给MCU,保障马达工作。该芯片的两个输入管脚IN1和IN2兼容5V和3.3V信号控制,具有良好的抗干扰性。芯片驱动级为HVCMOS结构,高侧导通电阻0.5ohm,低侧导通电阻0.3ohm。[查看]
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- PN7136是一款具有三相独立输出的高压、高速功率MOSFET和IGBT高低侧驱动芯片,其浮地通道能工作在600V的高压下,可用于驱动2个N型功率MOSFET或IGBT结构。该芯片逻辑输入电平兼容3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。该芯片可以通过外部电流感应电阻传送信号对六个输出进行关断,实现过流保护功能。使能端可以同时关断六个输出通道。FAULT端信号用于提示过流或者欠压情况的发生,过流信号的自动清除时间可以通过外部可编程的RC延时网络提供。输出具有大电流脉冲能力。传输延时具有匹配性,以简化在高频下的应用。[查看]
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