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- ID7S625半桥驱动芯片是一款基于P衬底、 P外延的高压、高速功率的MOSFET和IGBT栅极驱动器，具有独立的高低侧输出通道。其浮地通道能工作在600V的高压下，可用于驱动一个N 沟道功率.MOSFE或IGBT半桥拓扑结构。输入信号可以兼容CMOS和LSTTL信号，逻辑输入电平低至3V。具有大电流输出能力。ID7S625半桥驱动芯片内置的延时匹配功能可以为更好的 适配高频应用。[查看]
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http://zm699.com/Products/xpwdzid7s6.html
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- PN8034M电源管理芯片集成PFM控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源， PN8034M 内置650V高压启动模块，实现系统快速启动、待机功能。该芯片提供的智能化保护功能，包括过流保护，欠压保护，过温保护。另外PN8034M的降频调制技术有助于EMI特性。[查看]
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http://zm699.com/Products/xpwdz12v03.html
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