DK8607AD是一款集成了两颗GaN功率器件的有源钳位反激控制AC-DC功率开关芯片。DK8607AD利用漏感能量，可以实现原边功率管ZVS，副边整流管ZCS，从而提高电源系统效率，降低功率管的应力，减小开关损耗并改善电磁干扰（EMI）。DK8607AD极大的简化了反激式AC-DC转换器的设计和制造，尤其是需要高转化效率和高功率密度的产品。DK8607AD具备完善的保护功能：输出过压保护（OVP），VCC过、欠压保护，过温保护（OTP），开环保护，初级过流保护（OCP），输出短路保护等。[查看]

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SVS7N65F/D/MJ N沟道增强型高压功率MOSFET采用士兰微电子超结MOS技术平台制造，具有很低的传导损耗和开关损耗。使得功率转换器具有高效，高功率密度，提高热行为。此外，SVS7N65F应用广泛。如，适用于硬/软开关拓扑。.[查看]

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PN8039集成PFM控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源。PN8039内置高压启动模.块，实现系统快速启动、超低待机。该芯片提供了完整的智能化保护功能，包括过载保护、欠压保护、过温保护。另外PN8039的降频调制技术有助于改善EMI特性。[查看]

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BF7807AMXX 是基于 ARM Cortex-M0+内核的 32 位高性能微控制器。Cortex-M0+内核基于 ARMv6-M 架构，支持Thumb 指令集，BF7807AMXX包含外设有看门狗、LED行列矩阵驱动、LCD驱动、电容触摸按键检测、IIC主从机、SPI主从机、多路UART、PWM、Timer0、Timer1、Timer2、Timer3、12bit逐次,逼近ADC、CRC、低电压检测、掉电复位、低功耗管理等模块。BF7807AMXX 集成多路电容检测通道，可以用于近距离感应或者触摸检测。各通道可灵活配置实现按键、滚轮、滑条等多种应用，并且每个通道都能通过对相应的功能寄存器来调节触摸灵敏度。[查看]

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BF7807AMXX 是基于 ARM Cortex-M0+内核的 32 位高性能微控制器。Cortex-M0+内核基于 ARMv6-M 架构，支持Thumb 指令集，BF7807AMXX包含外设有看门狗、LED行列矩阵驱动、LCD驱动、电容触摸按键检测、IIC主从机、SPI主从机、多路UART、PWM、Timer0、Timer1、Timer2、Timer3、12bit逐次,逼近ADC、CRC、低电压检测、掉电复位、低功耗管理等模块。BF7807AMXX 集成多路电容检测通道，可以用于近距离感应或者触摸检测。各通道可灵活配置实现按键、滚轮、滑条等多种应用，并且每个通道都能通过对相应的功能寄存器来调节触摸灵敏度。[查看]

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AP2900是一款高效率同步降压稳压器，在6V~ 40V宽输入范围内可提供 0.7A输出电流。AP2900的输出电压可通过与FB相连的分压电阻进行调节，开关频率为100kHz 。[查看]

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AP2905是一款效率高同步降压稳压器，在6V~ 40V宽输入范围内可提供0.7A输出电流。AP2905的输出电压为固定5V，开关频率为100kHz。 AP2905内部集成了低导通电阻的主功率管和同步功率管，既降低了导通阻抗又省掉了外部肖特基二极管。此外，内置补偿架构不需要使用外置 RC补偿电路，固定输出方式无需外部分压电阻，进一步减少了外围元器件的使用。所以AP2905非常适合于外围元件、单层 PCB布 局需求的应用。特别设计的EMI优化电路架构非常适合有安规认证的应用场合。完整的保护特性包括过流保护，过温保护，短路保护以及欠压锁定保护等。AP2905采用SOT23-5L封装，可节约布局空间。[查看]

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The Power MOSFET is fabricated using the advanced planar VDMOS technology. The resulting device has low conduction resistance,superior switching performance and high avalance energy.[查看]

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Description The NCE3407A uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications[查看]

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SVF7N80T/F N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子F-CellTM平面高压VDMOS 工艺技术制造。[查看]

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SVF4N65T/F/K/S N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子的F-CellTM平面高压VDMOS工艺技术制造。[查看]

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SVS47N60PN N沟道增强高压功率MOSFET采用士兰微电子DP MOS技术新平台制造，具有很低的传导损耗和开关损耗。[查看]

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SVS7N60D/F N沟道增强高压功率MOSFET采用士兰微电子DP MOS技术新平台制造，具有很低的传导损耗和开关损耗。[查看]

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SVS7N65F/D N沟道增强高压功率MOSFET采用士兰微电子DP MOS技术新平台制造，具有很低的传导损耗和开关损耗。[查看]

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SVS7N70M/MJ/F N沟道增强高压功率MOSFET采用士兰微电子DP MOS技术新平台制造，具有很低的传导损耗和开关损耗。[查看]

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