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[Multi-Epi DPMOS] 7A, 650V超结MOS功率管-SVS7N65F/D/MJ[ 2024-09-29 ]

: SVS7N65F/D/MJ N沟道增强型高压功率MOSFET采用士兰微电子超结MOS技术平台制造，具有很低的传导损耗和开关损耗。使得功率转换器具有高效，高功率密度，提高热行为。此外，SVS7N65F应用广泛。如，适用于硬/软开关拓扑。.[查看]; http://zm699.com/Products/7a650vcjmo.html

[非隔离开关电源芯片] 12V0.7A非隔离电源管理芯片-PN8039[ 2024-07-31 ]

: PN8039集成PFM控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源。PN8039内置高压启动模.块，实现系统快速启动、超低待机。该芯片提供了完整的智能化保护功能，包括过载保护、欠压保护、过温保护。另外PN8039的降频调制技术有助于改善EMI特性。[查看]; http://zm699.com/Products/12v07afgld.html

[单片机系列/触摸芯片] 家电32位三合一 MCU-BF7807AM64-LJTA/BF7807AM64-LJTX[ 2024-07-13 ]

: BF7807AMXX 是基于 ARM Cortex-M0+内核的 32 位高性能微控制器。Cortex-M0+内核基于 ARMv6-M 架构，支持Thumb 指令集，BF7807AMXX包含外设有看门狗、LED行列矩阵驱动、LCD驱动、电容触摸按键检测、IIC主从机、SPI主从机、多路UART、PWM、Timer0、Timer1、Timer2、Timer3、12bit逐次,逼近ADC、CRC、低电压检测、掉电复位、低功耗管理等模块。BF7807AMXX 集成多路电容检测通道，可以用于近距离感应或者触摸检测。各通道可灵活配置实现按键、滚轮、滑条等多种应用，并且每个通道都能通过对相应的功能寄存器来调节触摸灵敏度。[查看]; http://zm699.com/Products/jd34552wshymc.html

[单片机系列/触摸芯片] 家电32位三合一 MCU-BF7807AM44国产32位单片机[ 2024-07-09 ]

: BF7807AMXX 是基于 ARM Cortex-M0+内核的 32 位高性能微控制器。Cortex-M0+内核基于 ARMv6-M 架构，支持Thumb 指令集，BF7807AMXX包含外设有看门狗、LED行列矩阵驱动、LCD驱动、电容触摸按键检测、IIC主从机、SPI主从机、多路UART、PWM、Timer0、Timer1、Timer2、Timer3、12bit逐次,逼近ADC、CRC、低电压检测、掉电复位、低功耗管理等模块。BF7807AMXX 集成多路电容检测通道，可以用于近距离感应或者触摸检测。各通道可灵活配置实现按键、滚轮、滑条等多种应用，并且每个通道都能通过对相应的功能寄存器来调节触摸灵敏度。[查看]; http://zm699.com/Products/jd32wshymc.html

[DC-DC芯片] 高性能易用型同步降压稳压器--AP2900[ 2022-01-04 ]

: AP2900是一款高效率同步降压稳压器，在6V~ 40V宽输入范围内可提供 0.7A输出电流。AP2900的输出电压可通过与FB相连的分压电阻进行调节，开关频率为100kHz 。[查看]; http://zm699.com/Products/gxnyyxtbjy.html

[DC-DC芯片] 40V, 0.7A高性能易用型同步降压稳压器--AP2905[ 2019-11-29 ]

: AP2905是一款效率高同步降压稳压器，在6V~ 40V宽输入范围内可提供0.7A输出电流。AP2905的输出电压为固定5V，开关频率为100kHz。 AP2905内部集成了低导通电阻的主功率管和同步功率管，既降低了导通阻抗又省掉了外部肖特基二极管。此外，内置补偿架构不需要使用外置 RC补偿电路，固定输出方式无需外部分压电阻，进一步减少了外围元器件的使用。所以AP2905非常适合于外围元件、单层 PCB布局需求的应用。特别设计的EMI优化电路架构非常适合有安规认证的应用场合。完整的保护特性包括过流保护，过温保护，短路保护以及欠压锁定保护等。AP2905采用SOT23-5L封装，可节约布局空间。[查看]; http://zm699.com/Products/40v07agxny.html

[功率器件] 龙腾N渠道650V,7A超级MOS管--LND7N65D[ 2019-04-24 ]

: The Power MOSFET is fabricated using the advanced planar VDMOS technology. The resulting device has low conduction resistance,superior switching performance and high avalance energy.[查看]; http://zm699.com/Products/ltnqd650v7.html

[功率器件] MOS管--NCE3407A[ 2017-03-08 ]

: Description The NCE3407A uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications[查看]; http://zm699.com/Products/mosgnce340.html

[新洁能] 7A、800V N沟道增强型场效应管--SVF7N80T/F[ 2014-11-28 ]

: SVF7N80T/F N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子F-CellTM平面高压VDMOS 工艺技术制造。[查看]; http://zm699.com/Products/7a800vngdz.html

[新洁能] 7A、650V N沟道增强型场效应管--SVF7N65T/F/K/S[ 2014-11-28 ]

: SVF4N65T/F/K/S N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子的F-CellTM平面高压VDMOS工艺技术制造。[查看]; http://zm699.com/Products/7a650vngdz.html

[cool mos管] 47A，600V DP MOS功率管--SVS47N60PN[ 2014-11-25 ]

: SVS47N60PN N沟道增强高压功率MOSFET采用士兰微电子DP MOS技术新平台制造，具有很低的传导损耗和开关损耗。[查看]; http://zm699.com/Products/47a600vdpm.html

[cool mos管] 7A，600V DP MOS功率管--SVS7N60D/F[ 2014-11-25 ]

: SVS7N60D/F N沟道增强高压功率MOSFET采用士兰微电子DP MOS技术新平台制造，具有很低的传导损耗和开关损耗。[查看]; http://zm699.com/Products/7a600vdpmo.html

[cool mos管] 7A，650V DP MOS功率管--SVS7N65F/D[ 2014-11-25 ]

: SVS7N65F/D N沟道增强高压功率MOSFET采用士兰微电子DP MOS技术新平台制造，具有很低的传导损耗和开关损耗。[查看]; http://zm699.com/Products/7a650vdpmo.html

[cool mos管] 7A，700V DP MOS功率管--SVS7N70M/MJ/F[ 2014-11-25 ]

: SVS7N70M/MJ/F N沟道增强高压功率MOSFET采用士兰微电子DP MOS技术新平台制造，具有很低的传导损耗和开关损耗。[查看]; http://zm699.com/Products/7a700vdpmo.html

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