- PN8147H内部集成了脉宽调制控制器和功率MOSFET,用于高性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源。该芯片提供了性能优异的智能化保护功能,包括周期式过流保护(外部可调)、过载保护、过压保护、CS短路保护、软启动功能。通过Hi-mode、Eco-mode、Burst-mode的三种脉冲功率调节模式混合技术和特殊器件低功耗结构技术实现了的待机功耗、电压范围下的效率。良好的EMI表现由频率调制技术和Soft Driver技术充分保证。该芯片还内置智能高压启动模块。[查看]
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- PN8149H内部集成了脉宽调制控制器和功率MOSFET,高性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源。该芯片提供了性能优异的智能化保护功能,包括周期式过流保护(外部可调)、过载保护、过压保护、CS短路保护、软启动功能。通过Hi-mode、Eco-mode、Burst-mode的三种脉冲功率调节模式混合技术和特殊器件低功耗结构技术实现了的待机功耗、电压范围下的效率。良好的EMI表现由频率调制技术和Soft Driver技术充分保证。[查看]
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- MD22H芯片内部集成了脉宽调制控制器和800V高雪崩能力智能功率MOSFET,适用于小功率离线式开关电源。该芯片提供了完整的智能化保护功能,包括过流保护,欠压保护,过温保护和软启动功能。间歇工作模式能够降低系统处于待机模式时的功耗;抖频技术有助于EMI特性。该芯片还内置高压启动模块,保证系统能迅速启动。[查看]
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- AP8505基于高压同步整流架构,集成PFM控制器以及500V高可靠性MOSFET,用于外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源。AP8505内置500V高压启动,实现系统快速启动、待机功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能,包括过流保护,欠压保护,过温保护。另外AP8505具有优异的EMI特性。[查看]
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- IP2721 是一款集成 USB TYPEC 输入端口 PD 快充的协议 IC,支持 USB TYPEC/PD2.0/ PD3.0 协议,支持自动检测 USB TYPEC 设备的插入和拔出,集成硬件 PD 协议模块,自动解析 PD 协议包,获取电压能力,并据此请求与之匹配的电压。[查看]
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- IP6503S是一款集成同步开关的降压转换器、支持DCP(BC1.2、Apple2.4A、三星)输出协议,为车载充电器、适配器、智能排插、行车记录仪提供完.整的解决方案。 IP6503S内置功率 MOS,输入电压范围是8V到32V,输出电压5V,能提供3.1A的输出电流, IP6503S的降压转换效率达94%。[查看]
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- IP6515是一款集成同步开关的降压转换器、支持DCP(BC1.2、Apple、三星)协议的双口输出SOC,为车载充电器、适配器、智能排插、行车记录仪提供完.整的解.决方案。 IP6515支持双口输出,单独使用任意一口支持5V@2.4A 输出,当双口同时使用时,总功率支持5V@4.8A 输出。[查看]
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- IP6525T 是一款集成同步开关的降压转换器、支持 4 种输出快充协议,为车载充电器、快充适配器、智能排插提供的解决方案。 IP6525T 内置功率MOS,输入电压范围是9.6V到 32V,输出电压范围是 3V 到 12V,能提供 18W 的输出功率,能够根据识别到的快充协议自动调整输出电压和电流,典型输出电压和电流有 5V@ 3.4A, 9V@2.0A,12V@1.5A。IP6525T 的降压转换效率98%。 IP6525T 的输出具有 CV/CC 特性,当输出电流小于设定值,输出 CV 模式,输出电压恒定;当输出电流大于设定值,输出 CC 模式,输出电压降低。[查看]
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- PN8395集成待机功耗准谐振原边控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET,用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。PN8395为原边反馈工作模式,可省略光耦和TL431,支持CCM和DCM两种工作模式。内置启动电路,可实现芯片空载损耗(230VAC)小于50mW。在恒压模式,采用准谐振、多模式技术与PWM频率切换技术清除音频噪声,使得系统满足6级能效标准,频率抖动技术可实现较好的EMI特性;在恒流模式,输出电流和功率可通过CS脚的电阻进行调节。该芯片提供的智能保护功能,包含逐周期过流保护、过压保护、开环保护、过温保护、输出短路保护和CS开/短路保护等。[查看]
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- PN7705是一款具有功耗睡眠模式的两通道直流马达驱动芯片,其可以控制马达进入正转、反转、刹车和功耗睡眠模式。该芯片集成了欠压保护、过温保护、输出短路保护和外部可调节驱动限流等功能,并且可以将错误状态反馈给MCU,保障马达工作。该芯片的两个输入管脚IN1和IN2兼容5V和3.3V信号控制,具有良好的抗干扰性。芯片驱动级为HVCMOS结构,高侧导通电阻0.5ohm,低侧导通电阻0.3ohm。[查看]
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- AP2952是一款单片同步整流降压稳压器,它集成了导通阻抗130m?的MOSFET,可以在很宽的输入电压范围(4.75V-18V)内提供2A的负载能力。电流模式控制使其具有很好的瞬态响应和单周期内的限流功能。 可调的软启动时间能避免开启瞬间的冲击电流,在停机模式下,输入电流小于1uA。 AP2952封装为SOP8, 同时提供了紧凑的系统方案,可以限度的减少外围元件。[查看]
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- AP2952A是一款单片同步整流降压稳压器,它集成了导通阻抗130m?的MOSFET,可以在很宽的输入电压范围(4.75V-18V)内提供2A的负载能力。电流模式控制使其具有很好的瞬态响应和单周期内的限流功能。 可调的软启动时间能避免开启瞬间的冲击电流,在停机模式下,输入电流小于1uA。 AP2952A封装为SOP8-PP, 同时提供了紧凑的系统方案,可以限度的减少外围元件。[查看]
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- PN8366集成待机功耗准谐振原边控制器及高雪崩能力智能功率MOSFET(PN8366M 700V, PN8366H 800V),用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。PN8366为原边反馈工作模式,可省略光耦和TL431。内置启动电路,可实现芯片空载损耗(230VAC)小于30mW。在恒压模式,采用准谐振与多模式技术清除音频噪声,使得系统满足6级能效标准,可调输出线补偿功能能使系统获得较好的负载调整率;在恒流模式,输出电流和功率可通过CS脚的电阻进行调节。该芯片提供了的智能保护功能,包含逐周期过流保护、过压保护、开环保护、过温保护、输出短路保护和CS开/短路保护等。[查看]
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- AP8022H芯片内部集成了脉宽调制控制器和800V高雪崩能力智能功率MOSFET,适用于小功率离线式开关电源。该芯片提供的智能化保护功能,包括过流保护,欠压保护,过温保护和软启动功能。间歇工作模式能够降低系统处于待机模式时的功耗;抖频技术有助于EMI特性。该芯片还内置高压启动模块,保证系统能迅速启动。[查看]
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- AP2961A是一款宽输入范围, CC/CV功能的降压芯片,既可以CV(恒压)输出也可以CC(恒流)输出。AP2961A可在125kHz的开关频率下提供3A输出电流。 AP2961A 不需要使用高成本的精密电流采样电阻,非常适用于有精确恒流需求的电池和适配器应用场合。通过清除产生功耗的电流采样电阻,AP2961A相比传统恒流开关稳压器拥有较高的转换效率。 AP2961A提供了OVP引脚可实现过压保护功能。 AP2961A 内部集成自适应栅极驱动,拥有 EMI 表现,在没有附加外围 EMI 器件的情形下仍可以通过 EN55022 Class B EMC 标准,这也进一步保证了高转换效率。[查看]
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- AP2962是一款宽输入范围,CC/CV功能的降压芯片,既可以CV(恒压)输出也可以CC(恒流)输出。AP2962可在230kHz的开关频率下提供3A输出电流。 AP2962不需要使用高成本的精密电流采样电阻,非常适用于有精确恒流需求的电池和适配器应用场合。通过清除产生功耗的电流采样电阻, AP2962相比传统恒流开关稳压器拥有较高的转换效率。 保护特性包括逐周期限流,热关断以及短路频率折回等功能。芯片提供 SOP8-PP封装,工作时仅需要较少的外围器件。[查看]
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- AP8012H芯片内部集成了脉宽调制控制器和功率MOSFET,适用于小功率离线式开关电源。该芯片提供了完整的智能化保护功能,包括过流保护,欠压保护,过压保护,过温保护和软启动功能。间歇工作模式能够降低系统处于待机模式时的功耗;抖频技术有助于EMI特性。该芯片还内置高压启动模块,保证系统能迅速启动。[查看]
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- AP2203系列是PFM控制的开关型DC/DC升压稳压芯片,其内部主要由参考电压基准,振荡器,比较器组成,输出电压纹波低,转换效率高,带载能力强。AP2203外围仅需一个电感和一个电容。当CONT点电压超过限定值时保护电路会关断内置场效应管以防止器件损坏。其保护特性及小封装和低功耗特性非常适合应用于便携式产品。[查看]
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- The PN7101 is a high voltage, high speed power MOSFET and IGBT driver based on P_SUB P_EPI process. The floating channel driver can be used to drive two N-channel power MOSFET or IGBT independently which operates up to 600 V. Logic inputs are compatible with standard CMOS or LSTTL output, down to 3.3V logic. The output drivers feature a high pulse current buffer stage designed for minimum driver c[查看]
- http://zm699.com/Products/gdqdcxdjqd.html
- The PN7103 is a high voltage, high speed power MOSFET and IGBT driver based on P_SUB P_EPI process. The floating channel driver can be used to drive two N-channel power MOSFET or IGBT in a half-bridge configuration which operates up to 600 V. Logic inputs are compatible with standard CMOS or LSTTL output, down to 3.3V logic.[查看]
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