IP6821 是一款高集成度，符合 WPC qi 标准的 无线充电发射控制芯片。芯片内部集成 H 桥驱动模 块、ASK 通讯解调模块、适配器快充 Sink 协议等 必要的无线充电资源。[查看]

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IP6822是一款高集成度，符合WPCQI标准的无线充电发射控制芯片。芯片内部集成H桥驱动模块、ASK通讯解调模块、适配器快充Sink协议等必要的无线充电资源。IP6822内置8-bit MCU和丰富的外设资源，支持协议、异物检测灵敏度、指示灯等功能定制。IP6822 采用 QFN16（3mm*3mm）封装，配合外围精简的应用电路，极大的节省了PCB占板面积，方便应用到空间紧凑的产品设计中。[查看]

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IP6823是一款高集成度，符合WPC qi标准的无线充电发射控制芯片。芯片内部集成H桥驱动模块、ASK 通讯解调模块、适配器快充Sink协议等必要的无线充电资源。IP6823支持协议、异物检测灵敏度、指示灯等功能定制。IP6823采用 QFN24封装，PIN脚功能排布针对无线充电应用进行了优化，非常便于方案PCB绘制。[查看]

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IP6862是一款支持一芯多充的无线充电发射端控制SOC芯片，内部集成32位MCU、ADC、Timer、I2C、H桥驱动、ASK解调&解码以及丰富的IO资源，可以定制各类Qi协议无线充电方案并通过认证测试。IP6862集成多种充电头快充协议，支持高压无线快充。IP6862集成丰富IO资源，支持指示灯效果定制，用户也可以通过PC端上位机自定义指示灯。IP6862支持Qi BPP，EPP，MPP认证，可以根据不同方案定制固件通过认证。[查看]

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NSG27511单通道高速低侧栅极驱动器器件可有效驱动金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）和绝缘栅极双极型晶体管（IGBT）电源开关。NSG27511采用的设计方案可最大程度减少击穿电流，从而为电容负载提供较高的峰值拉/灌电流脉冲，同时提供到轨驱动能力以及超短的传播延迟。[查看]

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NSG2103是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。NSG2103 采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至 3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。NSG2103其浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET，浮地通道最高工作电压可达700V。NSG2103采用SOIC8封装，可以在-40℃至125℃温度范围内工作。[查看]

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NSG2104是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。NSG2104采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至 3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。 NSG2104其浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率 MOSFET，浮地通道最高工作电压可达700V。NSG2104采用SOIC8封装，可以在-40℃至125℃温度范围内工作。[查看]

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NSG2105是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。NSG2105采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至 3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。NSG2105其浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET，浮地通道最高工作电压可达700V。NSG2105采用SOIC8封装，可以在-40℃至125℃温度范围内工作。[查看]

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NSG2106是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。NSG2106采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至 3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。NSG2106其浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET，浮地通道最高工作电压可达700V。NSG2106采用SOIC8封装，可以在-40℃至125℃温度范围内工作。[查看]

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NSG6000R是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道，适用于5A以内MOS的直接驱动。NSG6000R采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。NSG6000R 其浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET，浮地通道最高工作电压可达600V。NSG6000R采用 SOP8 封装，可以在-40℃至125℃温度范围内工作。[查看]

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NSG6001是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。NSG6001采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至 3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。NSG6001其浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET，浮地通道最高工作电压可达600V。NSG6001采用SOP8封装，可以在-40℃至125℃温度范围内工作。[查看]

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NSG6003是一款高压、高速功率 MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。NSG6003采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至 3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。NSG6003其浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET，浮地通道最高工作电压可达600V。NSG6003采用SOP8封装，可以在-40℃至125℃温度范围内工作。[查看]

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NSG21364是N型高压、高速功率MOSFET/IGBT高低侧三相栅极驱动芯片，包含三路独立的半桥驱动电路。内部集成了欠压保护和过流保护功能，出现异常时立即关断六通道输出。提供外部使能控制可同时关断六通道输出。通过连接到RCIN输入的RC网络在外部编程延时后，过电流故障情况自动清除 。NSG21364集成有自举二极管，对高侧进行充电，简化了芯片外围电路。逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平，其浮地通道最高工作电压可达700V 。 可用于驱动N沟道高压功率MOSFET/IGBT等器件。[查看]

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G2061Q是一组高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片，采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。G2061Q逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平，输出具有大电流脉冲能力，和防直通的死区逻辑。G2061Q 浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET，浮地通道最高工作电压可达250V。G2061Q为QFN24 封装，可以在-40℃至125℃温度范围内工作。[查看]

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NSG2065是一款三相高压功率MOSFET和IGBT栅极驱动器，可以同时驱动高侧和低侧功率晶体管的栅极。浮动通道驱动设计可以容纳总线电压高达250V。NSG2065输出能够提供较大的驱动能力，输出拉灌电流可以到达1.2A/1.5A。NSG2065工作电压范围宽，高、低侧栅极驱动电压都可经优化以达到最佳驱动效率。内部防直通和死区电路可以防止两个晶体管同时导通，进一步降低了开关损耗。NSG2065的欠压锁定功能确保了当供电电压较低时，两个驱动器输出都是低电平。NSG2065集成自举二极管，可最大优化芯片外围电路。[查看]

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NSH803PQ is a 8A,300V half-bridge intelligencepower module designed for motor drive applications,integrated 8A/300V MOSFET gate driver andbootstrap functionality in a small PQFN 5×6mmpackage. It can be flexibly applied to single-phase andthree-phase DC brushless motor drive.[查看]

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NSH405PQ is a 4A,500V half-brigdeintelligencepower module designed for motor driveapplications,integrated 4A/500V MOSFET gatedriverandbootstrap functionality in a small PQFN5×6mmpackage. It can be flexibly applied tosingle-phaseand three-phase DC brushless motor drive.[查看]

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NSH505PQ is a 5A,500V half-brigde intelligence power module designed for motor drive applications, integrated 5A/500V MOSFET gate driver and bootstrap functionality in a small PQFN 5×6mm package. It can be flexibly applied to single-phase and three-phase DC brushless motor drive.[查看]

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NSG4426 是功率开关驱动器。在对功率开关的栅极进行充电和放电时，它具有匹配的上升和下降时间。NSG4426 在其额定功率和电压范围内的任何条件下都具有高度的锁存抵抗能力。当接地引脚上出现高达5V的噪声尖峰（任一极性）时，NSG4426 不会受到损坏。NSG4426可以接受高达500mA的反向电流强制返回其输出，而不会造成损坏或逻辑混乱。所有端子均受到高达2.0kV静电放电 (ESD) 的全面保护。[查看]

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