SGT160V65S1PW绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子第五代场截止（Field Stop 5）工艺制作，具有较低的导通损耗和开关损耗，该产品可应用于车驱，UPS，SMPS等领域。[查看]

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SGT40N60FD2PN(P7)(PT)绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子第三代场截止( Field Stop II)工艺制作，具有低的导通损耗和开关损耗，正温度系数易于并联应用等特点。该产品可应用于感应加热UPS,SMPS以及PFC等领域。[查看]

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SGT30T60SDM1P7绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子第三代场截止(Field Stop II)工艺制作，具有较低的导通损耗和开关损耗，该产品可应用于UPS，SMPS 以及PFC等领域。[查看]

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SGT50T65SDM1P7绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子第三代场截止(Field Stop I)工艺制作，具有较低的导通损耗和开关损耗，该产品可应用于UPS，SMPS以及PFC等领域。[查看]

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SGT10T60SDM1P7绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子第三代场截止(Field StoplII)工艺制作，具有较低的导通损耗和开关损耗，该产品可应用于UPS，SMPS以及电机类应用等领域。[查看]

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SGT15T60SD1T/F/S绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子第三代场截止(Field Stop 1)工艺制作，具有较低的导通损耗和开关损耗，该产品可应用于UPS,SMPS，电机应用以及PFC等领域。[查看]

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SGT20T60SDM1P7绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子第三代场截止(FieldStop)工艺制作，具有较低的导通损耗和开关损耗，该产品可应用于UPS，SMPS以及PFC等领域。[查看]

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The series of devices use advanced trench gate superjunction technology and design to provide excellent RDS(ON)with low gate charge. This super junction MOSFET fits theindustry’s AC-DC SMPS requirements for PFC, AC/DCpower conversion, and industrial power applications[查看]

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SGT60N60FD1PN/P7/PS/PT绝缘栅双极型晶体管采用场截止( FieldStop)工艺制作，具有较低的导通损耗和开关损耗，该产品可应用于UPS,SMPS以及PFC等领域。[查看]

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SGT70N65FDM1P7绝缘栅双极型晶体管采用场截止(Field Stop )工艺制作，具有较低的导通损耗和开关损耗，该产品可应用于UPS,SMPS以及PFC等领域。.[查看]

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SGT70N65FD1P7绝缘栅双极型晶体管采用场截止(Field Stop) 工艺制作，具有较低的导通损耗和开关损耗，该产品可应用于UPS,SMPS以及PFC等领域。[查看]

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SVSP24N60FJD(T)D2 N沟道增强型高压功率MOSFET 采用士兰微电子超结MOS技术平台制造，具有很低的传导损耗和开关损耗。使得功率转换器具有高效，高功率密度，提高热行为.此外，SVSP24N60FJD(T)D2 应用广泛。如，适用于硬/软开关拓扑。[查看]

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SVSP20N60FJD(K)(T)(PN)(S)(P7)D2 N沟道增强型高压功率MOSFET采用士兰微电子超结MOS技术平台制造，具有很低的传导.损耗和开关损耗。使得功率转换器具有高效，高功率密度，提高热行为。此外，SVSP20N60FJD(K)(T)(PN)(S)(P7)D2应用广泛。如，适用于硬/软开关拓扑。[查看]

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PN8280是- -款功率因数校正(PFC)控制器，可与后级DC-DC通讯实现启动时序和系统的保护。[查看]

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BF7611AMXX-SJLX采用高速8051内核，1T指令周期，相比于标准的8051(12T)指令周期，具有更快的运行速度，同时兼容标准8051指令。[查看]

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IP6832是一款高集成度，支持WPC Qi标准的无线充电接收SOC芯片。芯片内部集成高效全桥同步整流电路，实现AC-DC转换。[查看]

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BF7611AMXX-SJLX采用高速8051内核，1T指令周期，相比于标准的8051(12T)指令周期，具有更快的运行速度，同时兼容标准8051指令。BF7611AMXX-SJLX包含外设有看门狗、电容 触摸按键检测、IIC、UART、低电压检测、掉电复位、1路12bit PWM、Timer0、Timer1、12bit高精度逐次逼近ADC、低功耗管理等。BF7611AMXX-SJLX 集成多路电容检测通道，可 以用于近距离感应或者触摸检测。各通道可灵活配置实现按键、滚轮、滑条等多种应用，并且每个通道都能通过对相应的功能寄存器来调节触摸灵敏度。[查看]

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IP2369是一款集成AFC/FCP/PD2.0/PD3.0/PD3.1 等输入输出快充协议和同步升降压转换器的锂电池充放电管理芯片，充放电功率高达45W；IP2369的高集成度与丰富功能，内部集成 BUCK-BOOST升降压功率NMOS，只需一个电感实现同步降升压功能，在应用时仅需极少的外围器件，有效减小整体方案的尺寸，降低BOM成本。[查看]

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PN6360H集成PFM控制器及800V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于外围元器件精简的非隔离开关电源，输出电压可通过FB电阻调整，PN6360H内置高压启动模块，实现系统快速启动、超低待机、自供电功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能，包括过载保护，欠压保护，过温保护。[查看]

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