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士兰微代理商25A、1200V绝缘栅双极型晶体管SGT25U120FD1P7-IGBT单管
SGT25U120FD1P7绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子场截止4Plus (Field Stop IV+)工艺制作,具有较低的导通损耗和开关损耗,该产品可应用于UPS, SMPS以及PFC等领域。[查看]
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士兰微代理商60A、650V绝缘栅双极型晶体管SGT60U65FD1PN(PT)(P7)-IGBT模块
SGT60U65FD1PN(PT)(P7)绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子场截止4 Plus (Field Stop IV+)工艺制作,具有较低的导通损耗和开关损耗, .该产品可应用于UPS,SMPS以及PFC等领域。[查看]
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士兰微代理商40A、1200V绝缘栅双极型晶体管SGTP40V120FDB2P7-IGBT模块
SGTP40V120FDB2P7绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子第五代场截止(Field Stop 5)工艺制作,具有较低的导通损耗和开关损耗,该产品可应用于光伏,UPS,SMPS以及PFC等领域。[查看]
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士兰微160A、650V绝缘栅双极型晶体管SGT160V65S1PW-IGBT模块
SGT160V65S1PW绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子第五代场截止(Field Stop 5)工艺制作,具有较低的导通损耗和开关损耗,该产品可应用于车驱,UPS,SMPS等领域。[查看]
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40A, 600V绝缘栅双极型晶体管SGT40N60FD2PN-IGBT模块
SGT40N60FD2PN(P7)(PT)绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子第三代场截止( Field Stop II)工艺制作,具有低的导通损耗和开关损耗,正温度系数易于并联应用等特点。该产品可应用于感应加热UPS,SMPS以及PFC等领域。[查看]
http://zm699.com/Products/40a600vjyz.html3星
士兰微代理商30A、600V绝缘栅双极型晶体管SGT30T60SDM1P7-IGBT模块
SGT30T60SDM1P7绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子第三代场截止(Field Stop II)工艺制作,具有较低的导通损耗和开关损耗,该产品可应用于UPS,SMPS 以及PFC等领域。[查看]
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士兰微代理商50A、650V绝缘栅双极型晶体管SGT50T65SDM1P7-IGBT模块
SGT50T65SDM1P7绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子第三代场截止(Field Stop I)工艺制作,具有较低的导通损耗和开关损耗,该产品可应用于UPS,SMPS以及PFC等领域。[查看]
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士兰微代理商10A、600V绝缘栅双极型晶体管SGT10T60SDM1P7-IGBT单管
SGT10T60SDM1P7绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子第三代场截止(Field StoplII)工艺制作,具有较低的导通损耗和开关损耗,该产品可应用于UPS,SMPS以及电机类应用等领域。[查看]
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士兰微代理商15A、600V绝缘栅双极型晶体管SGT15T60SD1T/F/S-IGBT模块
SGT15T60SD1T/F/S绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子第三代场截止(Field Stop 1)工艺制作,具有较低的导通损耗和开关损耗,该产品可应用于UPS,SMPS,电机应用以及PFC等领域。[查看]
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士兰微代理商20、600V绝缘栅双极型晶体管SGT20T60SDM1P7-IGBT模块
SGT20T60SDM1P7绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子第三代场截止(FieldStop)工艺制作,具有较低的导通损耗和开关损耗,该产品可应用于UPS,SMPS以及PFC等领域。[查看]
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NCE65NF190V场效应管新洁能代理商
The series of devices use advanced trench gate superjunction technology and design to provide excellent RDS(ON)with low gate charge. This super junction MOSFET fits theindustry’s AC-DC SMPS requirements for PFC, AC/DCpower conversion, and industrial power applications[查看]
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士兰微SGT60N60FD1 PN/P7/PS/PT-IGBT功率模块
SGT60N60FD1PN/P7/PS/PT绝缘栅双极型晶体管采用场截止( FieldStop)工艺制作,具有较低的导通损耗和开关损耗,该产品可应用于UPS,SMPS以及PFC等领域。[查看]
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士兰微70A、650V晶体管SGT70N65FDM1P7-IGBT模块
SGT70N65FDM1P7绝缘栅双极型晶体管采用场截止(Field Stop )工艺制作,具有较低的导通损耗和开关损耗,该产品可应用于UPS,SMPS以及PFC等领域。.[查看]
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士兰微70A、650V晶体管SGT70N65FD1P7-IGBT模块
SGT70N65FD1P7绝缘栅双极型晶体管采用场截止(Field Stop) 工艺制作,具有较低的导通损耗和开关损耗,该产品可应用于UPS,SMPS以及PFC等领域。[查看]
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SVSP24N60FJD(T)D2场效应管
SVSP24N60FJD(T)D2 N沟道增强型高压功率MOSFET 采用士兰微电子超结MOS技术平台制造,具有很低的传导损耗和开关损耗。使得功率转换器具有高效,高功率密度,提高热行为.此外,SVSP24N60FJD(T)D2 应用广泛。如,适用于硬/软开关拓扑。[查看]
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SVS60R190FJD(F)(D)(L8A)(T)(S)(K)(P7)(PN)D4 场效应管
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SVSP20N60TD2-场效应管
SVSP20N60FJD(K)(T)(PN)(S)(P7)D2 N沟道增强型高压功率MOSFET采用士兰微电子超结MOS技术平台制造,具有很低的传导.损耗和开关损耗。使得功率转换器具有高效,高功率密度,提高热行为。此外,SVSP20N60FJD(K)(T)(PN)(S)(P7)D2应用广泛。如,适用于硬/软开关拓扑。[查看]
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芯朋微临界导通模式的功率因数校正(PFC))控制芯片-PN8280
PN8280是- -款功率因数校正(PFC)控制器,可与后级DC-DC通讯实现启动时序和系统的保护。[查看]
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8位家电低功耗mcu-BF7611AM28-SJLX
BF7611AMXX-SJLX采用高速8051内核,1T指令周期,相比于标准的8051(12T)指令周期,具有更快的运行速度,同时兼容标准8051指令。[查看]
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英集芯一级代理商10W无线充电接收芯片-IP6832
IP6832是一款高集成度,支持WPC Qi标准的无线充电接收SOC芯片。芯片内部集成高效全桥同步整流电路,实现AC-DC转换。[查看]
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