AGM302D1结合了先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装，实现了极低的导通电阻RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。[查看]

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AGM305AP 结合了先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装，实现了极低的导通电阻 RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。[查看]

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AGM605Q 结合了先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装，实现了极低的导通电阻 RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。[查看]

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FM33FR0是基于ARM Cortex-M0+的低功耗MCU，支持最大384KB程序flash、8KB数据flash和最大32KB RAM；集成12bit SAR-ADC，最大14通道按键触摸控制器，LCD/LED段码驱动，比较器等丰富外设；具备超宽工作电压范围和优异的低功耗性能。[查看]

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AGM40P30A结合了先进的沟槽式MOSFET技术与低电阻封装，可提供极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。[查看]

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AGM405Q结合了先进的超级沟槽II MOSFET技术与低电阻封装，可提供极低的RDS(ON)。该器件非常适用于负载开关和电池保护应用。该器件非常适用于负载开关和电池保护应用。[查看]

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AGM4025Q结合了先进的沟槽式MOSFET技术与低电阻封装，可提供极低的RDS(ON)。该器件非常适用于负载开关和电池保护应用。[查看]

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AGM1010A2结合了先进的超级沟槽II MOSFET技术与低电阻封装，可提供极低的RDS(ON)。该器件非常适用于负载开关和电池保护应用。[查看]

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AGM65R180F结合了先进的沟槽式MOSFET技术与低电阻封装，可提供极低的RDS(ON)。该器件非常适用于负载开关和电池保护应用。[查看]

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AGM30P10A结合了先进的沟槽式MOSFET技术与低电阻封装，可提供极低的RDS(ON)。该器件非常适用于负载开关和电池保护应用。[查看]

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宽电压范围：2.2~5.5V 工作温度范围：-40℃~+105℃[查看]

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宽电压范围：2.2~5.5V 工作温度范围：-40℃~+105℃[查看]

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宽电压范围：2.2~5.5V 工作温度范围：-40℃~+105℃[查看]

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宽电压范围：2.2~5.5V 工作温度范围：-40℃~+105℃[查看]

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FM33FR0是基于ARM Cortex-M0+的低功耗MCU，支持最大384KB程序flash、8KB数据flash和最大32KB RAM；集成12bit SAR-ADC，最大14通道按键触摸控制器，LCD/LED段码驱动，比较器等丰富外设；具备超宽工作电压范围和优异的低功耗性能。[查看]

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FM33FR0是基于ARM Cortex-M0+的低功耗MCU，支持最大384KB程序flash、8KB数据flash和最大32KB RAM；集成12bit SAR-ADC，最大14通道按键触摸控制器，LCD/LED段码驱动，比较器等丰富外设；具备超宽工作电压范围和优异的低功耗性能。[查看]

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宽电压范围：2.2~5.5V 工作温度范围：-40℃~+105℃ 处理器内核 ARMCortex-M0 支持用户/特权模式 支持中断向量表重映射 最高主频48MHz SWD调试接口 24bit Systick定时器[查看]

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PN523B集成PFM控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源。PN523B内置650V高压启动模块，实现系统快速启动、超低待机功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能，包括过载保护，过温保护。另外PN523B的降频调制技术有助于改善EMI特性。[查看]

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PN8031集成PFM控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源。PN8031内置650V高压启动模块，实现系统快速启动、超低待机功能。 该芯片提供了完整的智能化保护功能，包括过流保护，欠压保护，过温保护。另外PN8031的降频调制技术有助于改善EMI特性。[查看]

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AP2931是一款高效率同步降压稳压器，在7V～40V宽输入范围内可提供0.7A输出电流。AP2931的输出电压为固定5V，开关频率为230kHz。AP2931内部集成了低导通电阻的主功率管和同 步功率管，既降低了导通阻抗又省掉了外部肖特基二极管。此外，内置补偿架构不需要使用外置RC补偿电路，固定输出方式无需外部分压电阻，进一步减少了外围元器件的使用。所以 AP2931非常适合于精简外围元件、单层PCB布局需求的应用。特别设计的EMI优化电路架构非常适合有安规认证的应用场合。完整的保护特性包括过流保护，过温保护，短路保护以及欠压锁定保护等。AP2931采用SOT23-6L封装，可节约布局空间。[查看]

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