基于 Arm? Cortex?-M3 的 32 位 MCU (72 MHz) 闪存：高达 512KB，SRAM：高达 64KB 支持 muxed-NOR 闪存、muxed-PSRAM、NAND 闪存 64/100 引脚，多达 80 个快速 I/O 低功耗模式 ：睡眠、停止、待机 三个 12 位 ADC，两个 12 位 DAC 12 个通道的 DMA 控制器 多达 11 个定时器 两个 I2C，三个 USART，两个 UART，三个 SPI (两个 I2S) CAN 接口 USB 2.0 全速接口 SDIO 接口 CRC 计算单元 LCD 并行接口[查看]

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基于 Arm Cortex-M3 的 32 位 MCU (72 MHz) 闪存：高达 512KB，SRAM：高达 64KB 支持 muxed-NOR 闪存、muxed-PSRAM、NAND 闪存 64/100 引脚，多达 80 个快速 I/O 低功耗模式 ：睡眠、停止、待机 三个 12 位 ADC，两个 12 位 DAC 12 个通道的 DMA 控制器 多达 11 个定时器 两个 I2C，三个 USART，两个 UART，三个 SPI (两个 I2S) CAN 接口 USB 2.0 全速接口 SDIO 接口 CRC 计算单元 LCD 并行接口[查看]

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基于 Arm? Cortex?-M3 的 32 位 MCU (72 MHz) 闪存：高达 128 KB，SRAM：高达 20 KB 36/48/64 引脚，多达 51 个快速 I/O 低功耗模式：睡眠、停止、待机 两个 12 位 ADC 7 个通道 DMA 控制器 多达 7 个定时器 两个 I2C，三个 USART，两个 SPI CAN 接口 USB 2.0 全速接口 CRC 计算单元[查看]

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SVGP101R8NP7-2HS N沟道增强型功率MOS场效应晶体管采用士兰的LVMOS工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。该产品可广泛应用于不间断电源及逆变器系统的电源管理领域。[查看]

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SVG083R4NT(S)(P7) N沟道增强型功率MOS场效应晶体管采用士兰的LVMOS工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。该产品可广泛应用于不间断电源及逆变器系统的电源管理领域。[查看]

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SVGP153R8NP7 N 沟道增强型功率MOS场效应晶体管采用士兰的LVMOS工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。该产品可广泛应用于不间断电源及逆变器系统的电源管理领域。[查看]

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SVGP103R0NT(P7) N 沟道增强型功率 MOS 场效应晶体管采用 士兰的 LVMOS 工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有 较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。 该产品可广泛应用于不间断电源及逆变器系统的电源管理领域。[查看]

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SVT034R6ND(T) N 沟道增强型功率MOS场效应晶体管采用士兰的LVMOS工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。该产品可广泛应用于不间断电源及逆变器系统的电源管理领域。[查看]

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SVT035R5ND(MJ)(T) N沟道增强型功率MOS场效应晶体管采用士兰的LVMOS工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。该产品可广泛应用于不间断电源及逆变器系统的电源管理领域。[查看]

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SVT03100NDN沟道增强型功率MOS场效应晶体管采用士兰的LVMOS工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。该产品可广泛应用于不间断电源及逆变器系统的电源管理领域。[查看]

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SVT068R5NT/D/S/L5 N沟道增强型功率MOS场效应晶体管采用先进的LVMOS工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。该产品可广泛应用于不间断电源及逆变器系统电源管理。[查看]

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SVT10111ND N 沟道增强型功率MOS场效应晶体管采用士兰LVMOS工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。该产品可广泛应用于不间断电源及逆变器系统的电源管理领域。[查看]

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SVSP60R033P7HD4 N 沟道增强型高压功率MOSFET采用士兰微电子超结MOS技术制造，具有很低的传导损耗和开关损耗，使得功率转换器具有高效，高功率密度，提高热行为。此外，SVSP60R033P7HD4 应用广泛。如，适用于硬/软开关拓扑。[查看]

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SVS7N65F/D/MJ N沟道增强型高压功率MOSFET采用士兰微电子超结MOS技术平台制造，具有很低的传导损耗和开关损耗。使得功率转换器具有高效，高功率密度，提高热行为。此外，SVS7N65F应用广泛。如，适用于硬/软开关拓扑。.[查看]

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SGT40N60F2P7绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子第二代场截止(Field Stop II)工艺制作，具有低的导通损耗和开关损耗，正温度系数易于并联应用等特点。该产品可应用于感应加热UPS，SMPS以及PFC等领域。[查看]

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SGT40N60FD1P7绝缘栅双极型晶体管采用穿通工艺制作,具有低的导通损耗和开关损耗，正温度系数易于并联应用等特点。该产品可应.用于感应加热UPS，SMPS以及PFC等领域。[查看]

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SGT75T65SDM1P7 绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子第三代场截 止（Field Stop III）工艺制作，具有较低的导通损耗和开关损耗，该产品可 应用于 UPS，SMPS 以及 PFC 等领域。[查看]

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SGT25U120FD1P7绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子场截止4Plus (Field Stop IV+)工艺制作，具有较低的导通损耗和开关损耗，该产品可应用于UPS, SMPS以及PFC等领域。[查看]

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SGT60U65FD1PN(PT)(P7)绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子场截止4 Plus (Field Stop IV+)工艺制作，具有较低的导通损耗和开关损耗, .该产品可应用于UPS，SMPS以及PFC等领域。[查看]

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SGTP40V120FDB2P7绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子第五代场截止(Field Stop 5)工艺制作，具有较低的导通损耗和开关损耗，该产品可应用于光伏，UPS，SMPS以及PFC等领域。[查看]

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