IP2710是一款集成USB TYPEC输入端口PD快充的协议IC， 支持USB TYPEC/PD2.0/PD3.0协议，支持自动检测USB TYPEC设备的插入和拔出，集成硬件PD协议模块，自动解析PD协议包，获取电压能力，并据此请求与之匹配的电压。[查看]

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PN8600W是一款同步整流控制器，主要用于在高性能AC/DC反激系统中驱动次级同步整流MOS管以提升转换效率，适用于CCM、 DCM和QR多种工作模式，使系统效率可以满足6级能效标准。[查看]

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PN8276W内部集成了电流模式控制器和高压启动模块，专用于高性能的快速充电开关电源。PN8276W内置Boost电路以适应3- -20V的可变宽范围输出应用。该芯片通过检测输入电压、输出电压和负载变化自适应切换PWM、强制DCM、PFM和Burst _Mode工作模式，多模式的调制技术和特殊器件低功耗结构技术实现了超低的待机功耗、全电压范围下的最佳效率。频率调制技术和Soft-Driver 技术充分保证系统的良好EMI表现。[查看]

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基于 ArmCortex-M3 的 32 位 MCU (72 MHz) 闪存：高达 128 KB，SRAM：高达 20 KB 36/48/64 引脚，多达 51 个快速 I/O 低功耗模式：睡眠、停止、待机 两个 12 位 ADC 7 个通道 DMA 控制器 多达 7 个定时器 两个 I2C，三个 USART，两个 SPI CAN 接口 USB 2.0 全速接口 CRC 计算单元[查看]

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基于 Arm Cortex -M3 的 32 位 MCU (72 MHz) 闪存：高达 128 KB，SRAM：高达 20 KB 36/48/64 引脚，多达 51 个快速 I/O 低功耗模式：睡眠、停止、待机 两个 12 位 ADC 7 个通道 DMA 控制器 多达 7 个定时器 两个 I2C，三个 USART，两个 SPI CAN 接口 USB 2.0 全速接口 CRC 计算单元[查看]

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基于 Arm Cortex-M3 的 32 位 MCU (72 MHz) 闪存：高达 128 KB，SRAM：高达 20 KB 36/48/64 引脚，多达 51 个快速 I/O 低功耗模式：睡眠、停止、待机 两个 12 位 ADC 7 个通道 DMA 控制器 多达 7 个定时器 两个 I2C，三个 USART，两个 SPI CAN 接口 USB 2.0 全速接口 CRC 计算单元[查看]

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基于 Arm? Cortex?-M3 的 32 位 MCU (72 MHz) 闪存：高达 512KB，SRAM：高达 64KB 支持 muxed-NOR 闪存、muxed-PSRAM、NAND 闪存 64/100 引脚，多达 80 个快速 I/O 低功耗模式 ：睡眠、停止、待机 三个 12 位 ADC，两个 12 位 DAC 12 个通道的 DMA 控制器 多达 11 个定时器 两个 I2C，三个 USART，两个 UART，三个 SPI (两个 I2S) CAN 接口 USB 2.0 全速接口 SDIO 接口 CRC 计算单元 LCD 并行接口[查看]

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基于 Arm Cortex-M3 的 32 位 MCU (72 MHz) 闪存：高达 512KB，SRAM：高达 64KB 支持 muxed-NOR 闪存、muxed-PSRAM、NAND 闪存 64/100 引脚，多达 80 个快速 I/O 低功耗模式 ：睡眠、停止、待机 三个 12 位 ADC，两个 12 位 DAC 12 个通道的 DMA 控制器 多达 11 个定时器 两个 I2C，三个 USART，两个 UART，三个 SPI (两个 I2S) CAN 接口 USB 2.0 全速接口 SDIO 接口 CRC 计算单元 LCD 并行接口[查看]

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基于 Arm? Cortex?-M3 的 32 位 MCU (72 MHz) 闪存：高达 512KB，SRAM：高达 64KB 支持 muxed-NOR 闪存、muxed-PSRAM、NAND 闪存 64/100 引脚，多达 80 个快速 I/O 低功耗模式 ：睡眠、停止、待机 三个 12 位 ADC，两个 12 位 DAC 12 个通道的 DMA 控制器 多达 11 个定时器 两个 I2C，三个 USART，两个 UART，三个 SPI (两个 I2S) CAN 接口 USB 2.0 全速接口 SDIO 接口 CRC 计算单元 LCD 并行接口[查看]

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基于 Arm Cortex-M3 的 32 位 MCU (72 MHz) 闪存：高达 512KB，SRAM：高达 64KB 支持 muxed-NOR 闪存、muxed-PSRAM、NAND 闪存 64/100 引脚，多达 80 个快速 I/O 低功耗模式 ：睡眠、停止、待机 三个 12 位 ADC，两个 12 位 DAC 12 个通道的 DMA 控制器 多达 11 个定时器 两个 I2C，三个 USART，两个 UART，三个 SPI (两个 I2S) CAN 接口 USB 2.0 全速接口 SDIO 接口 CRC 计算单元 LCD 并行接口[查看]

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基于 Arm? Cortex?-M3 的 32 位 MCU (72 MHz) 闪存：高达 128 KB，SRAM：高达 20 KB 36/48/64 引脚，多达 51 个快速 I/O 低功耗模式：睡眠、停止、待机 两个 12 位 ADC 7 个通道 DMA 控制器 多达 7 个定时器 两个 I2C，三个 USART，两个 SPI CAN 接口 USB 2.0 全速接口 CRC 计算单元[查看]

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SVGP101R8NP7-2HS N沟道增强型功率MOS场效应晶体管采用士兰的LVMOS工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。该产品可广泛应用于不间断电源及逆变器系统的电源管理领域。[查看]

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SVG083R4NT(S)(P7) N沟道增强型功率MOS场效应晶体管采用士兰的LVMOS工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。该产品可广泛应用于不间断电源及逆变器系统的电源管理领域。[查看]

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SVGP153R8NP7 N 沟道增强型功率MOS场效应晶体管采用士兰的LVMOS工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。该产品可广泛应用于不间断电源及逆变器系统的电源管理领域。[查看]

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SVGP103R0NT(P7) N 沟道增强型功率 MOS 场效应晶体管采用 士兰的 LVMOS 工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有 较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。 该产品可广泛应用于不间断电源及逆变器系统的电源管理领域。[查看]

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SVT034R6ND(T) N 沟道增强型功率MOS场效应晶体管采用士兰的LVMOS工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。该产品可广泛应用于不间断电源及逆变器系统的电源管理领域。[查看]

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SVT035R5ND(MJ)(T) N沟道增强型功率MOS场效应晶体管采用士兰的LVMOS工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。该产品可广泛应用于不间断电源及逆变器系统的电源管理领域。[查看]

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SVT03100NDN沟道增强型功率MOS场效应晶体管采用士兰的LVMOS工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。该产品可广泛应用于不间断电源及逆变器系统的电源管理领域。[查看]

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SVT068R5NT/D/S/L5 N沟道增强型功率MOS场效应晶体管采用先进的LVMOS工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。该产品可广泛应用于不间断电源及逆变器系统电源管理。[查看]

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SVT10111ND N 沟道增强型功率MOS场效应晶体管采用士兰LVMOS工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。该产品可广泛应用于不间断电源及逆变器系统的电源管理领域。[查看]

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