SVSP60R090P7(L)(FJD)(T)(S)HD4 N沟道增强型高压功率MOSFET采用士兰微电子超结MOS技术制造，具有很低的传导损耗和开关损耗，使得功率转换器具有高效，高功率密度，提高热行为。此外，SVSP60R090P7(L)(FJD)(T)(S)HD4 应用广泛。如适用于硬/软开关拓扑。[查看]

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IP6831是一款高集成度、高效率，符合WPC Qi标准的无线充电接收芯片。芯片内部集成高效同步整流电路、功率输出电路，反向保护电路，极低的热损耗，非常好的应用体验。内部集 成的动态整流电压控制，有效提升了芯片的瞬态响应及系统效率。IP6831 采用 QFN16（3mm*3mm）极小封装，配合外围精简的应用电路，极大的节省了PCB占板面积，可以方便的 集成到空间紧凑的产品里。同时，该芯片进行了整体阻抗优化，大大降低了芯片本身的发热，提升了小空间产品应用的充电性能。另外，该芯片可以通过外围电阻改变输出电压，提高芯 片的应用灵活性，同时设计上保证不会带来芯片额外的热量。IP6831 在设计上针对小线圈、不规则线圈应用做了优化，增强了对各类线圈的支持，进而提升了客户关心的自由度体验。[查看]

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PN8733电源管理芯片内部集成了脉搏控制控制器和功率率MOSFET，专用于高性能，外国元器件精筒的交直流转换开关电源。该芯片提供了极为全面和性能优异的智能化保护功能，包括周期式过流保护(外部可调)，过载保护，过压保护，CS短路保护，软启动功能。通辻Hi-mode.Eco-mode.Burst-mode的三种脉冲功率调节模式混合技木和特殊器件低功耗结构技木突现了超低的待机功耗，全电压范围下的最佳效率。良好的EMI表现由频率调制技术和Soft Driver技术充分保证。该芯片还内置智能高压启动模快。PN8733为需求超低待机功耗的高性价比反激式开关电源系统提供了一个先进的实现平台，非常适合智能电表，Eur2.o.能源之星的应用。[查看]

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SGTQ40T120SDB2P7 绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子第四代槽栅场截止（Trench Field Stop IV）工艺制作，具有较低的导通损耗和开关损耗，该产品可应用于光伏，UPS，SMPS 以及 PFC 等领域。[查看]

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SGTP5T60SD1D/F/S绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子第三代场截止(Field Stop)工艺制作，具有较低的导通损耗和开关损耗，该产品可应用于UPS，SMPS以及PFC等领域。[查看]

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PN8601W是一款同步整流控制芯片，主要用于在高性能AC/DC反激系统中驱动次级同步整流MOS管以提升转换效率，适用于CCM、DCM和QR多种工作模式，使系统效率可以满足6级能效标准。[查看]

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PN8309H同步整流控制芯片包括同步整流控制器及N型功率MOSFET，用于在高性能AC/DC反激系统中替代次级整流肖特基二极管。PN8309H内置电压降极低的功率MOSFET以提高电流输出能力，提升转换效率，使得系统效率可以满足6级能效的标准，并留有足够的裕量。PN8309H集成了极为全面的辅助功能，包含电源欠压保护、最小导通时间等功能。双供电电源设计支持低压侧应用时更宽的输出电压范围，并得到更好的可靠性。[查看]

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PN8213内部集成了电流模式控制器和高压启动模块，专用于高性能的快速充电开关电源。PN8213根据输入电压、输出电压和负载自适应切换QR-Lock Mode、PFM和Burst Mode,多模式调制技术和特殊器件低功耗结构技术实现了全负载范围内的高效率和低待机功耗，同时避免了开关变换器进入CCM模式工作，降低次级整流管的电压应力。[查看]

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PN8212内部集成了电流模式控制器和高压启动模块，专用于高性能的快速充电开关电源。PN8212根据输入电压、输出电压和负载自适应切换QR-Lock Mode、PFM和BM工作模式，多模式调制技术和特殊器件低功耗结构技术实现了全负载范围内的高效率和低待机功耗，同时避免了高压输入时开关变换器进入CCM模式工作，降低次级整流管的电压应力。频率调制技术充分保证系统的良好EMI表现。内置了线电压补偿模块,提高了在全输入电压范围内的带载能力-致性。同时,PN8212还提供了极为全面和性能优异的智能化保护功能，包括输入欠压/过压保护、输出过压保护、过温保护、次级整流管短路保护、逐周期过流保护、过载保护等功能。[查看]

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PN8211 内部集成了电流模式控制器和高压启动 模块，专用于高性能宽输出快速充电器。[查看]

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PN8273内部集成了电流模式控制器和高压启动模块,专用于高性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源。该芯片通过PWM、PFM、Burst-mode的 三种模式混合调制技术和特殊器件低功耗结构技术实现了超低的待机功耗、全电压范围下的最佳效率。[查看]

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AP8265是-款电流模脉宽调制控制器,专用于高性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源。该芯片工作于准谐振开关模式，通过检测变压器的消磁信号，芯片使外部功率MOS管在谷底开通。集成的线电压前馈补偿功能可根据输入电压来调整电感峰值电流以保持全电压范围内功率恒定。准谐振工作模式以及轻载条件下的降频模式实现了全电压范围下的最佳效率和超低的待机功耗。AP8265提供了极为全面和性能优异的智能化保护功能，包括周期式过流保护(外部可调) .VDD欠压保护、VDD箝位保护、软启动、DMG外部使能等功能。为需要超低待机功耗的高性价比反激式开关电源系统提供了- -个先进的实现平台。[查看]

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概述 PN8715H内部集成了脉宽调制控制器和功率MOSFET,专用于高性能，外围元器件精简的交直流转换开关电源。非常适合工业辅助电源、电源适配器等应用。PN8715H芯片内置智能高压启动模块，无需启动电阻。芯片内部集成误差放大器，可设计于反激非隔离或者隔离应用环境，满足不同的应用需求。芯片通过PWM模式，降频模式、BM模式三种工作模式混合调节，以及特殊器件低功耗结构技术实现了超低的待机功耗。全电压范围下的最佳效率。驱动优化和频率调制使得芯片具有良好的EMI表现。同时，PN8715H提供了极为全面和性能优异的智能化保护功能，包括过载保护、逐周期过流保护、VDD过压保护、线电压过压保护、线电压欠压保护、CS短路保护、过温保护。[查看]

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PN8192C集成PFM控制器以及730V高可靠性MOSFET，用于高性能、外围元器件精简、低功耗的交直流转换电源。PN8192C内置730V高压启动与自供电模块，实现系统快速启动、超低待机、自供电功能。同时该芯片提供了完整的智能化保护功能，包括过流保护，过载保护，过温保护等。[查看]

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PN8145T电源管理芯片内部集成了脉宽调制控制器和功率MOSFET,专用于高性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源。该芯片提供了极为全面和性能优异的智能化保护功能，包括周期式过流保护(外部可调) .过载保护、过压保护、CS短路保护、软启动功能。通过Hi-mode.Eco-mode.Burst-mode的三种脉冲功率调节模式混合技术和特殊器件低功耗结构技术实现了超低的待机功耗，全电压范围下的最佳效率。[查看]

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PN8143T电源管理芯片内部集成了脉宽调制控制器和功率MOSFET，专用于高性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源。该芯片提供了极为全面和性能优异的智能化保护功能，包括周期式过流保护（外部可调）、过载保护、过压保护、CS短路保护、软启动功能。[查看]

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PN8580电源管理芯片集成低待机功耗准谐振原边控制器及650V高雪崩能力功率MOSFET,用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。PN8580为原边反馈工作模式，可 省略光耦和TL431。 在恒压模式，采用准谐振与多模式技术提高效率并消除音频噪声,使得系统满足6级能效标准，可调输出线补偿功能能使系统获得较好的负载调整率;在恒流模式，输 出电流和功率可通过Cs脚的电阻进行调节。该芯片提供了极为全面的智能保护功能，包含逐周期过流保护、过压保护、开环保护、过温保护、输出短路保护和CS开路保护等。[查看]

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PN8570电源管理芯片集成低待机功耗准谐振原边控制器及BJT，用于低成本、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。PN8570为原边反馈工作模式，可省略光耦和TL431。在恒压 模式，采用准谐振与多模式技术提高效率并消除音频噪声，使得系统满足6级能效标准，可调输出线补偿功能能使系统获得较好的负载调整率；在恒流模式，输出电流和功率可通过CS脚的电阻进行调节。[查看]

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PN8680P电源管理芯片集成超低待机功耗原边控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。PN8680P为原边反馈工作模式，可省略光耦和TL431。内置高压启动电路，可实现芯片空载损耗（230VAC）小于50mW。[查看]

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PN6795C电源管理芯片集成超低待机功耗准谐振原边控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。PN6795C为原边反馈工作模式，可省略光耦和TL431，支持CCM和DCM两种工作模式。[查看]

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