SVSP60R033P7HD4 N 沟道增强型高压功率MOSFET采用士兰微电子超结MOS技术制造，具有很低的传导损耗和开关损耗，使得功率转换器具有高效，高功率密度，提高热行为。此外，SVSP60R033P7HD4 应用广泛。如，适用于硬/软开关拓扑。[查看]

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SVS7N65F/D/MJ N沟道增强型高压功率MOSFET采用士兰微电子超结MOS技术平台制造，具有很低的传导损耗和开关损耗。使得功率转换器具有高效，高功率密度，提高热行为。此外，SVS7N65F应用广泛。如，适用于硬/软开关拓扑。.[查看]

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SGT40N60F2P7绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子第二代场截止(Field Stop II)工艺制作，具有低的导通损耗和开关损耗，正温度系数易于并联应用等特点。该产品可应用于感应加热UPS，SMPS以及PFC等领域。[查看]

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SGT40N60FD1P7绝缘栅双极型晶体管采用穿通工艺制作,具有低的导通损耗和开关损耗，正温度系数易于并联应用等特点。该产品可应.用于感应加热UPS，SMPS以及PFC等领域。[查看]

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SGT75T65SDM1P7 绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子第三代场截 止（Field Stop III）工艺制作，具有较低的导通损耗和开关损耗，该产品可 应用于 UPS，SMPS 以及 PFC 等领域。[查看]

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SGT25U120FD1P7绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子场截止4Plus (Field Stop IV+)工艺制作，具有较低的导通损耗和开关损耗，该产品可应用于UPS, SMPS以及PFC等领域。[查看]

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SGT60U65FD1PN(PT)(P7)绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子场截止4 Plus (Field Stop IV+)工艺制作，具有较低的导通损耗和开关损耗, .该产品可应用于UPS，SMPS以及PFC等领域。[查看]

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SGTP40V120FDB2P7绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子第五代场截止(Field Stop 5)工艺制作，具有较低的导通损耗和开关损耗，该产品可应用于光伏，UPS，SMPS以及PFC等领域。[查看]

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SGT160V65S1PW绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子第五代场截止（Field Stop 5）工艺制作，具有较低的导通损耗和开关损耗，该产品可应用于车驱，UPS，SMPS等领域。[查看]

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SGT40N60FD2PN(P7)(PT)绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子第三代场截止( Field Stop II)工艺制作，具有低的导通损耗和开关损耗，正温度系数易于并联应用等特点。该产品可应用于感应加热UPS,SMPS以及PFC等领域。[查看]

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SGT30T60SDM1P7绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子第三代场截止(Field Stop II)工艺制作，具有较低的导通损耗和开关损耗，该产品可应用于UPS，SMPS 以及PFC等领域。[查看]

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SGT50T65SDM1P7绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子第三代场截止(Field Stop I)工艺制作，具有较低的导通损耗和开关损耗，该产品可应用于UPS，SMPS以及PFC等领域。[查看]

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SGT10T60SDM1P7绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子第三代场截止(Field StoplII)工艺制作，具有较低的导通损耗和开关损耗，该产品可应用于UPS，SMPS以及电机类应用等领域。[查看]

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SGT15T60SD1T/F/S绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子第三代场截止(Field Stop 1)工艺制作，具有较低的导通损耗和开关损耗，该产品可应用于UPS,SMPS，电机应用以及PFC等领域。[查看]

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SGT20T60SDM1P7绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子第三代场截止(FieldStop)工艺制作，具有较低的导通损耗和开关损耗，该产品可应用于UPS，SMPS以及PFC等领域。[查看]

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The series of devices use advanced trench gate superjunction technology and design to provide excellent RDS(ON)with low gate charge. This super junction MOSFET fits theindustry’s AC-DC SMPS requirements for PFC, AC/DCpower conversion, and industrial power applications[查看]

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SGT60N60FD1PN/P7/PS/PT绝缘栅双极型晶体管采用场截止( FieldStop)工艺制作，具有较低的导通损耗和开关损耗，该产品可应用于UPS,SMPS以及PFC等领域。[查看]

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SGT70N65FDM1P7绝缘栅双极型晶体管采用场截止(Field Stop )工艺制作，具有较低的导通损耗和开关损耗，该产品可应用于UPS,SMPS以及PFC等领域。.[查看]

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SGT70N65FD1P7绝缘栅双极型晶体管采用场截止(Field Stop) 工艺制作，具有较低的导通损耗和开关损耗，该产品可应用于UPS,SMPS以及PFC等领域。[查看]

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SVSP24N60FJD(T)D2 N沟道增强型高压功率MOSFET 采用士兰微电子超结MOS技术平台制造，具有很低的传导损耗和开关损耗。使得功率转换器具有高效，高功率密度，提高热行为.此外，SVSP24N60FJD(T)D2 应用广泛。如，适用于硬/软开关拓扑。[查看]

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