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SVSP20N60FJD(K)(T)(PN)(S)(P7)D2 N沟道增强型高压功率MOSFET采用士兰微电子超结MOS技术平台制造，具有很低的传导.损耗和开关损耗。使得功率转换器具有高效，高功率密度，提高热行为。此外，SVSP20N60FJD(K)(T)(PN)(S)(P7)D2应用广泛。如，适用于硬/软开关拓扑。[查看]

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PN8280是- -款功率因数校正(PFC)控制器，可与后级DC-DC通讯实现启动时序和系统的保护。[查看]

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BF7611AMXX-SJLX采用高速8051内核，1T指令周期，相比于标准的8051(12T)指令周期，具有更快的运行速度，同时兼容标准8051指令。[查看]

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IP6832是一款高集成度，支持WPC Qi标准的无线充电接收SOC芯片。芯片内部集成高效全桥同步整流电路，实现AC-DC转换。[查看]

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BF7611AMXX-SJLX采用高速8051内核，1T指令周期，相比于标准的8051(12T)指令周期，具有更快的运行速度，同时兼容标准8051指令。BF7611AMXX-SJLX包含外设有看门狗、电容 触摸按键检测、IIC、UART、低电压检测、掉电复位、1路12bit PWM、Timer0、Timer1、12bit高精度逐次逼近ADC、低功耗管理等。BF7611AMXX-SJLX 集成多路电容检测通道，可 以用于近距离感应或者触摸检测。各通道可灵活配置实现按键、滚轮、滑条等多种应用，并且每个通道都能通过对相应的功能寄存器来调节触摸灵敏度。[查看]

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IP2369是一款集成AFC/FCP/PD2.0/PD3.0/PD3.1 等输入输出快充协议和同步升降压转换器的锂电池充放电管理芯片，充放电功率高达45W；IP2369的高集成度与丰富功能，内部集成 BUCK-BOOST升降压功率NMOS，只需一个电感实现同步降升压功能，在应用时仅需极少的外围器件，有效减小整体方案的尺寸，降低BOM成本。[查看]

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PN6360H集成PFM控制器及800V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于外围元器件精简的非隔离开关电源，输出电压可通过FB电阻调整，PN6360H内置高压启动模块，实现系统快速启动、超低待机、自供电功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能，包括过载保护，欠压保护，过温保护。[查看]

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IP2262是一款集成多种用于USB Type-C输出端口的快充协议IC。支持多种快充协议，包括USB Type-C PD2.0/PD3.1 DFP。IP2262支持定制系统功率，可以自动识别外部电阻值来 配置系统功率。支持多重异常保护。[查看]

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IP2263是一款集成多种用于USB Type-C输出端口的快充协议IC。支持多种快充协议，包括USB Type-C PD2.0/PD3.1 DFP, HVDCP QC3+/QC3.0/QC2.0（Quick Charge），FCP（Hisilicon? Fast Charge Protocol），SCP （Super Fast Charge），AFC（Samsung? Adaptive Fast Charge），Apple 2.4A，BC1.2 以及三星 2.0A。IP2263 支持自动识别系统功率控制，可以自动识别外部电阻值来配置系统功率。支持多重异常保护。IP2263集成驱动光耦调压，可通过直接驱动前端光耦的方式来实现调压。IP2263具备高集成度和丰富的功能，应用方案外围器件最少化，有效减小整体方案的尺寸和复杂度，降低BOM成本，为适配器、车充等单向输出应用提供快充解决方案[查看]

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SVSP60R090P7(L)(FJD)(T)(S)HD4 N沟道增强型高压功率MOSFET采用士兰微电子超结MOS技术制造，具有很低的传导损耗和开关损耗，使得功率转换器具有高效，高功率密度，提高热行为。此外，SVSP60R090P7(L)(FJD)(T)(S)HD4 应用广泛。如适用于硬/软开关拓扑。[查看]

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IP6831是一款高集成度、高效率，符合WPC Qi标准的无线充电接收芯片。芯片内部集成高效同步整流电路、功率输出电路，反向保护电路，极低的热损耗，非常好的应用体验。内部集 成的动态整流电压控制，有效提升了芯片的瞬态响应及系统效率。IP6831 采用 QFN16（3mm*3mm）极小封装，配合外围精简的应用电路，极大的节省了PCB占板面积，可以方便的 集成到空间紧凑的产品里。同时，该芯片进行了整体阻抗优化，大大降低了芯片本身的发热，提升了小空间产品应用的充电性能。另外，该芯片可以通过外围电阻改变输出电压，提高芯 片的应用灵活性，同时设计上保证不会带来芯片额外的热量。IP6831 在设计上针对小线圈、不规则线圈应用做了优化，增强了对各类线圈的支持，进而提升了客户关心的自由度体验。[查看]

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PN8733电源管理芯片内部集成了脉搏控制控制器和功率率MOSFET，专用于高性能，外国元器件精筒的交直流转换开关电源。该芯片提供了极为全面和性能优异的智能化保护功能，包括周期式过流保护(外部可调)，过载保护，过压保护，CS短路保护，软启动功能。通辻Hi-mode.Eco-mode.Burst-mode的三种脉冲功率调节模式混合技木和特殊器件低功耗结构技木突现了超低的待机功耗，全电压范围下的最佳效率。良好的EMI表现由频率调制技术和Soft Driver技术充分保证。该芯片还内置智能高压启动模快。PN8733为需求超低待机功耗的高性价比反激式开关电源系统提供了一个先进的实现平台，非常适合智能电表，Eur2.o.能源之星的应用。[查看]

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SGTQ40T120SDB2P7 绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子第四代槽栅场截止（Trench Field Stop IV）工艺制作，具有较低的导通损耗和开关损耗，该产品可应用于光伏，UPS，SMPS 以及 PFC 等领域。[查看]

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SGTP5T60SD1D/F/S绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子第三代场截止(Field Stop)工艺制作，具有较低的导通损耗和开关损耗，该产品可应用于UPS，SMPS以及PFC等领域。[查看]

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PN8601W是一款同步整流控制芯片，主要用于在高性能AC/DC反激系统中驱动次级同步整流MOS管以提升转换效率，适用于CCM、DCM和QR多种工作模式，使系统效率可以满足6级能效标准。[查看]

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PN8309H同步整流控制芯片包括同步整流控制器及N型功率MOSFET，用于在高性能AC/DC反激系统中替代次级整流肖特基二极管。PN8309H内置电压降极低的功率MOSFET以提高电流输出能力，提升转换效率，使得系统效率可以满足6级能效的标准，并留有足够的裕量。PN8309H集成了极为全面的辅助功能，包含电源欠压保护、最小导通时间等功能。双供电电源设计支持低压侧应用时更宽的输出电压范围，并得到更好的可靠性。[查看]

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PN8213内部集成了电流模式控制器和高压启动模块，专用于高性能的快速充电开关电源。PN8213根据输入电压、输出电压和负载自适应切换QR-Lock Mode、PFM和Burst Mode,多模式调制技术和特殊器件低功耗结构技术实现了全负载范围内的高效率和低待机功耗，同时避免了开关变换器进入CCM模式工作，降低次级整流管的电压应力。[查看]

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PN8212内部集成了电流模式控制器和高压启动模块，专用于高性能的快速充电开关电源。PN8212根据输入电压、输出电压和负载自适应切换QR-Lock Mode、PFM和BM工作模式，多模式调制技术和特殊器件低功耗结构技术实现了全负载范围内的高效率和低待机功耗，同时避免了高压输入时开关变换器进入CCM模式工作，降低次级整流管的电压应力。频率调制技术充分保证系统的良好EMI表现。内置了线电压补偿模块,提高了在全输入电压范围内的带载能力-致性。同时,PN8212还提供了极为全面和性能优异的智能化保护功能，包括输入欠压/过压保护、输出过压保护、过温保护、次级整流管短路保护、逐周期过流保护、过载保护等功能。[查看]

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PN8211 内部集成了电流模式控制器和高压启动 模块，专用于高性能宽输出快速充电器。[查看]

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