高精密气压、高度传感器--HP206C
- 11A，600V DP MOS功率管--SVS11N60T/F
- SVS11N60T/F N沟道增强高压功率MOSFET采用士兰微电子DP MOS技术新平台制造，具有很低的传导损耗和开关损耗。使得功率转换器高功率密度，提高热行为。
- POWER MOSFET--5N60
- The UTC 5N60 is a high voltage power MOSFET and is designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, low on-state resistance and have a high rugged avalanche characteristics. This power MOSFET is usually used at high speed switching applications in power supplies, PWM motor controls, high efficient DC to DC converters and bridge circuits.
- POWER MOSFET-- 4N60-C
- The UTC 4N60-C is a high voltage power MOSFET and is designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, low on-state resistance and have a high rugged avalanche characteristics. This power MOSFET is usually used at high speed switching applications in power TO-251TO-220F2supplies, PWM motor controls, high efficient DC to DC converters and bridge circuits.
高精密气压、高度传感器
型号:HP206C
一、产品描述
HP206C是高分辨率（0.1meter）压力传感器，带有I²C 接口，包括一个硅压阻压力元件和一个高分辨率24位△∑ADC 。HP206C提供高精度24位压力和温度数字输出，客户可以根据应用需要转换速度和高度，所有内置计算采用了高速4MHz的浮点运算，计算误差小，数据补偿是内部集成，通讯连接非常简单，高度及温度上下限比较的可编程事件及中断输出控制。HP206C传感器是采用不锈钢盖子表面封装和符合RoHS标准。
二、主要特点
l 直接读取压力值，高度值，温度值
l 供电电压：1.8V ~ 3.6V
l 扩展压力量程：300~1200mbar
l 直接读数，补偿：
--气压：20位有效测量位（帕）
--高度：20位有效测量位（米）
--温度：20位有效测量位（摄氏度）
l 可编程事件中断及输出选择
l 高分辨率：10cm
l 待机功耗：<0.1uA
l 工作温度：-40~+85℃
l I²C接口
l 尺寸：6.8X6.2X3.0(+0.2)mm
三、典型应用
l 手持高度计、气压计
l 工业压力和温度传感器系统
l 汽车系统
l 个人电子产品测高计
l 户外运动手表
l 医疗气体控制系统
l 气象站设备
l 室内导航和地图协助
l 供暖、通风、空调
四、绝对最大额定值
五、方块图
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- SVS11N60T/F N沟道增强高压功率MOSFET采用士兰微电子DP MOS技术新平台制造，具有很低的传导损耗和开关损耗。使得功率转换器高功率密度，提高热行为。
- POWER MOSFET--5N60
- The UTC 5N60 is a high voltage power MOSFET and is designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, low on-state resistance and have a high rugged avalanche characteristics. This power MOSFET is usually used at high speed switching applications in power supplies, PWM motor controls, high efficient DC to DC converters and bridge circuits.
- POWER MOSFET-- 4N60-C
- The UTC 4N60-C is a high voltage power MOSFET and is designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, low on-state resistance and have a high rugged avalanche characteristics. This power MOSFET is usually used at high speed switching applications in power TO-251TO-220F2supplies, PWM motor controls, high efficient DC to DC converters and bridge circuits.
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