PN6360H集成PFM控制器及800V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于外围元器件精简的非隔离开关电源，输出电压可通过FB电阻调整，PN6360H内置高压启动模块，实现系统快速启动、超低待机、自供电功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能，包括过载保护，欠压保护，过温保护。[查看]

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PN8733电源管理芯片内部集成了脉搏控制控制器和功率率MOSFET，专用于高性能，外国元器件精筒的交直流转换开关电源。该芯片提供了极为全面和性能优异的智能化保护功能，包括周期式过流保护(外部可调)，过载保护，过压保护，CS短路保护，软启动功能。通辻Hi-mode.Eco-mode.Burst-mode的三种脉冲功率调节模式混合技木和特殊器件低功耗结构技木突现了超低的待机功耗，全电压范围下的最佳效率。良好的EMI表现由频率调制技术和Soft Driver技术充分保证。该芯片还内置智能高压启动模快。PN8733为需求超低待机功耗的高性价比反激式开关电源系统提供了一个先进的实现平台，非常适合智能电表，Eur2.o.能源之星的应用。[查看]

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PN8213内部集成了电流模式控制器和高压启动模块，专用于高性能的快速充电开关电源。PN8213根据输入电压、输出电压和负载自适应切换QR-Lock Mode、PFM和Burst Mode,多模式调制技术和特殊器件低功耗结构技术实现了全负载范围内的高效率和低待机功耗，同时避免了开关变换器进入CCM模式工作，降低次级整流管的电压应力。[查看]

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PN8212内部集成了电流模式控制器和高压启动模块，专用于高性能的快速充电开关电源。PN8212根据输入电压、输出电压和负载自适应切换QR-Lock Mode、PFM和BM工作模式，多模式调制技术和特殊器件低功耗结构技术实现了全负载范围内的高效率和低待机功耗，同时避免了高压输入时开关变换器进入CCM模式工作，降低次级整流管的电压应力。频率调制技术充分保证系统的良好EMI表现。内置了线电压补偿模块,提高了在全输入电压范围内的带载能力-致性。同时,PN8212还提供了极为全面和性能优异的智能化保护功能，包括输入欠压/过压保护、输出过压保护、过温保护、次级整流管短路保护、逐周期过流保护、过载保护等功能。[查看]

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PN8211 内部集成了电流模式控制器和高压启动 模块，专用于高性能宽输出快速充电器。[查看]

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PN8273内部集成了电流模式控制器和高压启动模块,专用于高性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源。该芯片通过PWM、PFM、Burst-mode的 三种模式混合调制技术和特殊器件低功耗结构技术实现了超低的待机功耗、全电压范围下的最佳效率。[查看]

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概述 PN8715H内部集成了脉宽调制控制器和功率MOSFET,专用于高性能，外围元器件精简的交直流转换开关电源。非常适合工业辅助电源、电源适配器等应用。PN8715H芯片内置智能高压启动模块，无需启动电阻。芯片内部集成误差放大器，可设计于反激非隔离或者隔离应用环境，满足不同的应用需求。芯片通过PWM模式，降频模式、BM模式三种工作模式混合调节，以及特殊器件低功耗结构技术实现了超低的待机功耗。全电压范围下的最佳效率。驱动优化和频率调制使得芯片具有良好的EMI表现。同时，PN8715H提供了极为全面和性能优异的智能化保护功能，包括过载保护、逐周期过流保护、VDD过压保护、线电压过压保护、线电压欠压保护、CS短路保护、过温保护。[查看]

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PN8192C集成PFM控制器以及730V高可靠性MOSFET，用于高性能、外围元器件精简、低功耗的交直流转换电源。PN8192C内置730V高压启动与自供电模块，实现系统快速启动、超低待机、自供电功能。同时该芯片提供了完整的智能化保护功能，包括过流保护，过载保护，过温保护等。[查看]

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PN8145T电源管理芯片内部集成了脉宽调制控制器和功率MOSFET,专用于高性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源。该芯片提供了极为全面和性能优异的智能化保护功能，包括周期式过流保护(外部可调) .过载保护、过压保护、CS短路保护、软启动功能。通过Hi-mode.Eco-mode.Burst-mode的三种脉冲功率调节模式混合技术和特殊器件低功耗结构技术实现了超低的待机功耗，全电压范围下的最佳效率。[查看]

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PN8143T电源管理芯片内部集成了脉宽调制控制器和功率MOSFET，专用于高性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源。该芯片提供了极为全面和性能优异的智能化保护功能，包括周期式过流保护（外部可调）、过载保护、过压保护、CS短路保护、软启动功能。[查看]

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PN8580电源管理芯片集成低待机功耗准谐振原边控制器及650V高雪崩能力功率MOSFET,用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。PN8580为原边反馈工作模式，可 省略光耦和TL431。 在恒压模式，采用准谐振与多模式技术提高效率并消除音频噪声,使得系统满足6级能效标准，可调输出线补偿功能能使系统获得较好的负载调整率;在恒流模式，输 出电流和功率可通过Cs脚的电阻进行调节。该芯片提供了极为全面的智能保护功能，包含逐周期过流保护、过压保护、开环保护、过温保护、输出短路保护和CS开路保护等。[查看]

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PN8570电源管理芯片集成低待机功耗准谐振原边控制器及BJT，用于低成本、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。PN8570为原边反馈工作模式，可省略光耦和TL431。在恒压 模式，采用准谐振与多模式技术提高效率并消除音频噪声，使得系统满足6级能效标准，可调输出线补偿功能能使系统获得较好的负载调整率；在恒流模式，输出电流和功率可通过CS脚的电阻进行调节。[查看]

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PN8680P电源管理芯片集成超低待机功耗原边控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。PN8680P为原边反馈工作模式，可省略光耦和TL431。内置高压启动电路，可实现芯片空载损耗（230VAC）小于50mW。[查看]

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PN6795C电源管理芯片集成超低待机功耗准谐振原边控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。PN6795C为原边反馈工作模式，可省略光耦和TL431，支持CCM和DCM两种工作模式。[查看]

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PN8018电源管理芯片集成PFM控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源。PN8018内置高压启动模块，实现系统快速启动、超低待机 功能。PN8018电源管理芯片提供了完整的智能化保护功能，包括过载保护，欠压保护，过温保护。另外PN8018的降频调制技术有助于改善EMI特性。[查看]

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PN8035集成PFM控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源。PN8035内置高压启动模块，实现系统快速启动、超低待机功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能，包括过载保护，欠压保护，过温保护。另外PN8035的降频调制技术有助于改善EMI特性。[查看]

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PN8009电源管理芯片集成PFM控制器及650V高可靠性MOSFET，用于外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源。PN8009内置650V高压启动，实现系统快速启动、超低待机功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能，包括过载保护，欠压保护，过温保护。另外PN8009电源管理芯片具有优异的EMI特性。[查看]

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PN8039集成PFM控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源。PN8039内置高压启动模.块，实现系统快速启动、超低待机。该芯片提供了完整的智能化保护功能，包括过载保护、欠压保护、过温保护。另外PN8039的降频调制技术有助于改善EMI特性。[查看]

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IP2363是一款集成PD3.0和DP&DM输入快充协议和同步升降压转换器的锂电池充电管理芯片，充电功率高达30W；IP2363支持2/3/4/5节串联电芯，可通过外接电阻设置选择电池串联节数；IP2363内置IC温度、电池 NTC温度和输入电压控制检测环路，可以根据识别到的充电器功率，智能调节充电电流。[查看]

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PN8054E集成PFM控制器及670V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源。PN8054E内置高压启动模块，实现系统快速启动、超低待机功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能，包括过载保护，欠压保护，过温保护。另外PN8054E的降频调制技术有助于改善EMI特性。[查看]

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