PN8775P集成PFM控制器及750V高可靠性MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源。PN8775P内置750V高压启动与自供电模块，实现系统快速启动、超低待机、自供电功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能，包括输入欠压保护、过载保护、过流保护、过温保护、过压保护功能。另外PN8775P的降频调制技术有助于改善EMI特性。[查看]

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PN8182集成PFM控制器以及750V高可靠性MOSFET，用于高性能交直流转换电源。PN8182内置750V高压启动与自供电模块，实现系统快速启动、超低待机、自供电功能。PN8182内部集成过零检测电路，可输出交流过零信号。PN8182内部集成了输入过压保护功能，当输入电压超过设定的阈值时禁止MOS管开关。同时该芯片提供了完整的智能化保护功能，包括过流保护，VDD欠压保护，过载保护，过温保护等。[查看]

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PN8770集成PFM控制器及750V高可靠性MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源。PN8770内置750V高压启动与自供电模块，实现系统快速启动、超低待机、自供电功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能，包括输入欠压保护、过载保护、过流保护、过温保护、过压保护功能。另外PN8770的降频调制技术有助于改善EMI特性。[查看]

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PN8754内部集成了多模式PWM控制器及800V高可靠性智能功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源。PN8754根据输入电压、输出电压和负载自适应切换全频PWM、PFM、低频PWM和BurstMode，实现了全负载范围内的高效率。内置800V高压启动模块，实现了系统快速启动以及超低的待机功耗。频率调制技术充分保证系统良好的EMI表现。优异的软启动功能降低了启机时的功率器件应力。同时，PN8754还提供了极为全面和性能优异的智能化保护功能，包括输入过欠压保护、输出过载保护、逐周期过流保护、过温保护、输出过压保护等。[查看]

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PN8757内部集成了多模式PWM控制器及800V高可靠性智能功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源。PN8757根据输入电压、输出电压和负载自适应切换全频PWM、PFM、低频PWM和Burst Mode，实现了全负载范围内的高效率。内置800V高压启动模块，实现了系统快速启动以及超低的待机功耗。频率调制技术充分保证系统良好的EMI表现。优异的软启动功能降低了启机时的功率器件应力。同时，PN8757还提供了极为全面和性能优异的智能化保护功能，包括输入过欠压保护、輸出过载保护、逐周期过流保护、过温保护、输出过压保护等。[查看]

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BS7612AMXX-XJLX 采用高速8051内核，1T指令周期，相比于标准的8051(12T)指令周期，具有更快的运行速度，同时兼容标准8051指令。BS7612AMXX-XJLX 包含外设有看门狗、电容触摸按键检测、LED串行点阵驱动、IIC、UART、低电压检测、掉电复位、3路16bitPWM、Timer0、Timer1、Timer2、12bit高精度逐次逼近ADC、低功耗管理等。BS7612AMXX-XJLX 集成多路电容检测通道，可以用于近距离感应或者触摸检测。各通道可灵活配置实现按键、滚轮、滑条等多种应用，并且每个通道都能通过对相应的功能寄存器来调节触摸灵敏度。[查看]

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BS7612AMXX-XJLX 采用高速8051内核，1T指令周期，相比于标准的8051(12T)指令周期，具有更快的运行速度，同时兼容标准8051指令。BS7612AMXX-XJLX 包含外设有看门狗、电容触摸按键检测、LED串行点阵驱动、IIC、UART、低电压检测、掉电复位、3路16bitPWM、Timer0、Timer1、Timer2、12bit高精度逐次逼近ADC、低功耗管理等。BS7612AMXX-XJLX 集成多路电容检测通道，可以用于近距离感应或者触摸检测。各通道可灵活配置实现按键、滚轮、滑条等多种应用，并且每个通道都能通过对相应的功能寄存器来调节触摸灵敏度。[查看]

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BS7612AMXX-XJLX 采用高速8051内核，1T指令周期，相比于标准的8051(12T)指令周期，具有更快的运行速度，同时兼容标准8051指令。BS7612AMXX-XJLX 包含外设有看门狗、电容触摸按键检测、LED串行点阵驱动、IIC、UART、低电压检测、掉电复位、3路16bitPWM、Timer0、Timer1、Timer2、12bit高精度逐次逼近ADC、低功耗管理等。BS7612AMXX-XJLX 集成多路电容检测通道，可以用于近距离感应或者触摸检测。各通道可灵活配置实现按键、滚轮、滑条等多种应用，并且每个通道都能通过对相应的功能寄存器来调节触摸灵敏度。[查看]

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PN8779集成PFM控制器及750V高可靠性MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源。PN8779内置750V高压启动与自供电模块，实现系统快速启动、超低待机、自供电功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能，包括输入欠压保护、过载保护、过流保护、过温保护、过压保护功能。另外PN8779的降频调制技术有助于改善EMI特性。[查看]

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PN8778集成PFM控制器及750V高可靠性MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源。PN8778内置750V高压启动与自供电模块，实现系统快速启动、超低待机、自供电功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能，包括输入欠压保护、过载保护、过流保护、过温保护、过压保护功能。另外PN8778的降频调制技术有助于改善EMI特性。[查看]

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PN8776集成PFM控制器及750V高可靠性MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源。PN8776内置750V高压启动与自供电模块，实现系统快速启动、超低待机、自供电功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能，包括输入欠压保护、过载保护、过流保护、过温保护、过压保护功能。另外PN8776的降频调制技术有助于改善EMI特性。[查看]

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PN8777集成PFM控制器及750V高可靠性MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源。PN8777内置750V高压启动与自供电模块，实现系统快速启动、超低待机、自供电功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能，包括输入欠压保护、过载保护、过流保护、过温保护、过压保护功能。另外PN8777的降频调制技术有助于改善EMI特性。[查看]

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PN8732内部集成了脉宽调制控制器和功率MOSFET，专用于高性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源。[查看]

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PN8703内部集成了电流模式控制器、高压启动模块及1700VSiC器件，专用于高性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源。该芯片采用CCM、QR-PFM、QR-Burst-mode的三种模式混合调制技术，搭配上特殊器件低功耗结构技术实现了超低的待机功耗、全电压范围下的最佳效率。频率调制技术和SoftDriver技术充分保证系统的良好EMI表现。同时，PN8703还提供了极为全面和性能优异的智能化保护功能，包括输入欠压保护、逐周期式过流保护、过载保护、输出过压保护、过温保护等。[查看]

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NSG6388 是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。NSG6388采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。NSG6388其浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET，浮地通道最高工作电压可达600V。NSG6388采用SOP8封装，可以在-40℃至125℃温度范围内工作。[查看]

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PN8282是一款高性能的功率因数校正控制器。它通过对功率管漏端波形的监控来实现零电流检测技术，节省辅助绕组。PN8282采用SOT-23-6L封装，使用较少外围器件，有效地降低系统成本。 为提升效率，PN8282工作于电感电流的临界连续模式（BCM)或断续模式（DCM）。同时由于内置THD优化功能，PN8282可以在全负载条件下实现高PF值和低THD。PN8282内置线电压前馈功能，可以根据工作状态自动计算补偿，不需要额外管脚检测线电压，使电压控制环路补偿更简单。PN8282还针对不同的外围器件参数提供了可配置的谷底开启时间功能，优化开关损耗。PN8282集成完善的保护功能，例如：过流保护、输出过压/欠压保护、过温保护等。[查看]

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PN8201是一款X电容放电专用芯片。由于放电电阻和X电容可灵活选择，电源系统易满足日益严苛的待机和安规标准，并可简化整机EMI设计难度。PN8201内置了两个高压VDMOS开关，可有效 的耐受雷击或浪涌测试的应力。芯片通过两个放电电阻接入到开关电源的交流输入端，当AC接入时，会有极低的电流流进芯片，芯片的待机损耗功率在5mW以内；当AC断电后，可通过放电电阻对X电容放电，避免人体触电。[查看]

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PN8215内部集成了电流模式控制器和高压启动模块，专用于高性能的快速充电开关电源。PN8215内置输入电压电测模块及X电容放电功能，通过检测输入电压、输出电压和负载变化自适应切换PWM、强制DCM、PFM和BurstMode工作模式，多模式的调制技术和特殊器件低功耗结构技术实现了超低的待机功耗、全电压范围下的最佳效率。频率调制技术和Soft-Driver技术充分保证系统的良好EMI表现。同时，PN8215还提供了极为全面和性能优异的智能化保护功能，包括输入欠压/过压保护, 输出欠压/过压保护、过温保护、次级整流管短路保护、逐周期过流保护、过载保护等功能。[查看]

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PN7001L是一款单通道、高速低侧栅极驱动芯片，该芯片可以作为功率MOSFET和IGBT的驱动开关。PN7001L的输出可以提供3.5A拉/灌电流的峰值电流脉冲，且输入信号到输出信号传播延时典型值为2Ons。该芯片的IN+输入管脚兼容5V和3.3V信号控制，具有良好的抗干扰性。芯片驱动级为HVCMOS结构，高侧导通电阻1.4ohm，低侧导通电阻0.8ohm。[查看]

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PN7213是一款高压、高速MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高低侧输出通道。输入信号可以兼容CMOS和LSTTL信号，低至3.3V。PN7213为最小驱动器跨导而设计的高脉冲电流缓冲级，芯片内置的延时匹配功能可以更好的适配高频应用。浮地通道可用于驱动高侧的N沟道功率MOSFET或IGBT，其工作电压高达1200V。[查看]

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