AP8505M基于高压同步整流架构，集成PFM控制器以及500V高可靠性MOSFET，用于外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源。AP8505M内置500V高压启动，实现系统快速启动、待机功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能，包括过流保护，欠压保护，过温保护。另外AP8505M具有优异的EMI特性。[查看]

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PN8011集成PFM控制器及800V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源，输出电压可通过FB电阻调整。PN8011内置800V高压启动与自供电模块，实现系统快速启动、待机、自供电功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能，包括过载保护，欠压保护，过温保护。另外PN8011的降频调制技术有助于 EMI特性。[查看]

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PN8007集成PFM控制器及650V高可靠性MOSFET，用于外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源。 PN8007内置650V高压启动，实现系统快速启动、待机功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能，包括过载保护，欠压保护，过温保护。另外PN8007具有优异的EMI特性。[查看]

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PN7336是-款用于三相全桥栅极驱动芯片，内置三个独立的半桥驱动电路，可用于高压，高速MOSFET和IGBT，输入信号可以兼容CMOS和LSTTL信号，逻辑输入电平低至3.3V，芯片内部集成了过流检测功能，当检测到过流信号时会关断6路驱动输出信号，芯片集成了一个漏极开路啊FAULT功能指示，可用于提示过流或欠压导致芯片输出关断的情况，在通过连接到RCIN输入的RC网络进行外部编程的延迟后，过电流故障条件将条件将自动清除。芯片内置的延时匹配功能可简化在高频中应用。[查看]

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PN8386P集成待机功耗准谐振原边控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。PN8386P为原边反馈工作模式，可省略光耦和TL431。内置高压启动电路，可实现芯片空载损耗（264VAC）小于50mW。在恒压模式，采用准谐振与多模式技术清除音频噪声，使得系统满足 6级能 效标准，可调输出线补偿功能能使系统获得较好的负载调整率；在恒流模式，输出电流和功率可通过CS脚的电阻进行调节。该芯片提供包含逐周期过流保护、过压保护、开环保护、过温保护、输出短路保护和CS开/短路保护等。[查看]

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PN8161内部集成了准谐振工作的电流模式控制器和功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源。该芯片提供性能优异的智能化保护功能，包括输出过压保护、周期式过流保护、过载保护、软启动功能。通过QR-PWM、QR-PFM、Burst-mode的三种模式混合调制技术和器件低功耗结构技术实现了待机功耗、电压范围下的效率。频率调制技术和SoftDriver技术充分保证良好的EMI表现。[查看]

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PN8386F集成待机功耗准谐振原边控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。PN8386F为原边反馈工作模式，可省略光耦和TL431。内置启动电路，可实现芯片空载损耗（264VAC）小于50mW。在恒压模式，采用准谐振与多模式技术清除音频噪声，使得系统满足 6级能效标准，可调输出线补偿功能能使系统获得较好的负载调整率；在恒流模式，输出电流和功率可通过CS脚的电阻进行调节。该芯片提供保护功能，包含逐周期过流保护、过压保护、开环保护、过温保护、输出短路保护和CS开/短路保护等。[查看]

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PN6795D集成待机功耗准谐振原边控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。PN6795D为原边反馈工作模式，可省略光耦和TL431，支持CCM和DCM两种工作模式。内置高压启动电路，可实现芯片空载损（230VAC）小于50mW。在恒压模式，采用准谐振、多模式技术与PWM频率切换技术清除音频噪声，使得系统满足6级能效，频率抖动技术可实现的EMI特性；在恒流模式，输出电流和功率可通过CS脚的电阻进行调节。该芯片提供了智能保护功能，包含逐周期过流保护、过压保护、开环保护、过温保护、输出短路保护和CS开/短路保护等。[查看]

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AP2004H是一个恒定频率峰值电流模式的异步PWM 升压转换器。需要一个外部肖特基二极管。在轻负载时，AP2004H工作在轻负载模式。静态电流为100uA，关断电流小于1uA。内部 NMOS管导通电阻130兆欧姆，保证在整个输出负载范围内。3A峰值电流使得 AP2004H可以提供1.5A输出负载电流。非常适应于MID和移动电源。输入电压范围2.5 ~ 5.5V。内部工作频率是设定在1.0MHz。[查看]

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PN8034A集成PFM控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源。 PN8034A内置高压启动模块，实现系统快速启动、待机功能。该芯片提供了的智能化保护功能，包括过载保护，欠压保护，过温保护。另外PN8034A的降频调制技术有助于EMI特性。[查看]

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PN8147H内部集成了脉宽调制控制器和功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源。该芯片提供了性能优异的智能化保护功能，包括周期式过流保护（外部可调）、过载保护、过压保护、CS短路保护、软启动功能。通过Hi-mode、Eco-mode、Burst-mode的三种脉冲功率调节模式混合技术和特殊器件低功耗结构技术实现了的待机功耗、电压范围下的效率。良好的EMI表现由频率调制技术和Soft Driver技术充分保证。该芯片还内置智能高压启动模块。[查看]

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PN8149H内部集成了脉宽调制控制器和功率MOSFET，高性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源。该芯片提供了性能优异的智能化保护功能，包括周期式过流保护（外部可调）、过载保护、过压保护、CS短路保护、软启动功能。通过Hi-mode、Eco-mode、Burst-mode的三种脉冲功率调节模式混合技术和特殊器件低功耗结构技术实现了的待机功耗、电压范围下的效率。良好的EMI表现由频率调制技术和Soft Driver技术充分保证。[查看]

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MD22H芯片内部集成了脉宽调制控制器和800V高雪崩能力智能功率MOSFET，适用于小功率离线式开关电源。该芯片提供了完整的智能化保护功能，包括过流保护，欠压保护，过温保护和软启动功能。间歇工作模式能够降低系统处于待机模式时的功耗；抖频技术有助于EMI特性。该芯片还内置高压启动模块，保证系统能迅速启动。[查看]

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AP8505基于高压同步整流架构，集成PFM控制器以及500V高可靠性MOSFET，用于外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源。AP8505内置500V高压启动，实现系统快速启动、待机功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能，包括过流保护，欠压保护，过温保护。另外AP8505具有优异的EMI特性。[查看]

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PN8395集成待机功耗准谐振原边控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。PN8395为原边反馈工作模式，可省略光耦和TL431，支持CCM和DCM两种工作模式。内置启动电路，可实现芯片空载损耗（230VAC）小于50mW。在恒压模式，采用准谐振、多模式技术与PWM频率切换技术清除音频噪声，使得系统满足6级能效标准，频率抖动技术可实现较好的EMI特性；在恒流模式，输出电流和功率可通过CS脚的电阻进行调节。该芯片提供的智能保护功能，包含逐周期过流保护、过压保护、开环保护、过温保护、输出短路保护和CS开/短路保护等。[查看]

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PN8370P集成待机功耗准谐振原边控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。PN8370P为原边反馈工作模式，可省略光耦和TL431。内置启动电路，可实现芯片空载损耗（230VAC）小于30mW。在恒压模式，采用准谐振与多模式技术清除音频噪声，使得系统满足6级能效标准，可调输出线补偿功能能使系统获得较好的负载调整率；在恒流模式，输出电流和功率可通过CS脚的电阻进行调节。该芯片提供的智能保护功能，包含逐周期过流保护、过压保护、开环保护、过温保护、输出短路保护和CS开/短路保护等。[查看]

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PN6367集成零待机模式的准谐振原边控制器及典型720V高雪崩能力智能功率MOSFET，适用于高性能、外围元器件精简的智能断路器电源。PN6367为原边反馈工作模式，可省略光耦和TL431，并且PN6367提供可控零待机模式，此时相线电流平均值可小于0.10mA。在恒压模式，输出电压通过FB脚的电阻比例进行调节；在恒流模式，输出电流通过CS脚的电阻值进行调节。该芯片还提供的智能保护功能，包含逐周期过流保护、过压保护、开环保护、过温保护、输出短路保护和CS 开/短路保护等。[查看]

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PN6380集成准谐振原边控制器及200V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的低直流输入电压隔离电源和电动自行车内置电源。PN6380为原边反馈工作模式，可省略光耦和TL431。内置启动电路，可实现芯片空载损耗（120VDC）小于150mW。在恒压模式，采用准谐振与多模式技术清除音频噪声，可调输出线补偿功能能使系统获得较好的负载调整率；在恒流模式，输出电流和功率可通过CS脚的电阻进行调节。该芯片提供了智能保护功能，包含逐周期过流保护、过压保护、开环保护、过温保护、输出短路保护和CS开/短路保护等。[查看]

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PN8366集成待机功耗准谐振原边控制器及高雪崩能力智能功率MOSFET(PN8366M 700V, PN8366H 800V)，用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。PN8366为原边反馈工作模式，可省略光耦和TL431。内置启动电路，可实现芯片空载损耗（230VAC）小于30mW。在恒压模式，采用准谐振与多模式技术清除音频噪声，使得系统满足6级能效标准，可调输出线补偿功能能使系统获得较好的负载调整率；在恒流模式，输出电流和功率可通过CS脚的电阻进行调节。该芯片提供了的智能保护功能，包含逐周期过流保护、过压保护、开环保护、过温保护、输出短路保护和CS开/短路保护等。[查看]

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AP8022H芯片内部集成了脉宽调制控制器和800V高雪崩能力智能功率MOSFET，适用于小功率离线式开关电源。该芯片提供的智能化保护功能，包括过流保护，欠压保护，过温保护和软启动功能。间歇工作模式能够降低系统处于待机模式时的功耗；抖频技术有助于EMI特性。该芯片还内置高压启动模块，保证系统能迅速启动。[查看]

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