PN7136是一款具有三相独立输出的高压、高速功率MOSFET和IGBT高低侧驱动芯片，其浮地通道能工作在600V的高压下，可用于驱动2个N型功率MOSFET或IGBT结构。该芯片逻辑输入电平兼容3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。该芯片可以通过外部电流感应电阻传送信号对六个输出进行关断，实现过流保护功能。使能端可以同时关断六个输出通道。FAULT端信号用于提示过流或者欠压情况的发生，过流信号的自动清除时间可以通过外部可编程的RC延时网络提供。输出具有大电流脉冲能力。传输延时具有匹配性，以简化在高频下的应用。[查看]

http://zm699.com/Products/xpwdlsxbqd.html

PN8360包括高精度的恒压、恒流原边控制器及功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的充电器和LED照明。 PN8360工作在原边检测模式，可省略光耦和TL431。该芯片提供的自恢复保护功能，包含逐周期过流保护、过压保护、开环保护、过温保护、输出短路保护和CS开/短路保护等。[查看]

http://zm699.com/Products/xpw12wybfk.html

PN8147/9内部集成了脉宽调制控制器和功率MOSFET，高性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源[查看]

http://zm699.com/Products/djghjzlzhx.html

SVF1N60AM/MJ/B/D/F/H N 沟道增强型高压功率 MOS 场效应晶体管采用士兰微电子的 F-CellTM平面高压 VDMOS 工艺技术制造。[查看]

http://zm699.com/Products/1a600vngdz.html

SVF2N60M/MJ/N/F/T/D N沟道增强型高压功率 MOS 场效应晶体管采用士兰微电子的 F-CellTM平面高压VDMOS 工艺技术制造。[查看]

http://zm699.com/Products/2a600vngdz.html

SVF7N80T/F N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子F-CellTM平面高压VDMOS 工艺技术制造。[查看]

http://zm699.com/Products/7a800vngdz.html

SVF12N65T/F/K/S N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子F-CellTM平面高压VDMOS 工艺技术制造。[查看]

http://zm699.com/Products/12a650vngd.html

SVF3N80M/MJ/F/D N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子的F-CellTM平面高压VDMOS工艺技术制造。[查看]

http://zm699.com/Products/3a800vngdz.html

SVF4N65T/F/M/MJ/D/K N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子的F-CellTM平面高压VDMOS工艺技术制造。[查看]

http://zm699.com/Products/4a650vngdz.html

SVF5N60T/F/D/MJ/K N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子的F-CellTM平面高压VDMOS工艺技术制造。[查看]

http://zm699.com/Products/5a600vngdz.html

SVF4N65T/F/K/S N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子的F-CellTM平面高压VDMOS工艺技术制造。[查看]

http://zm699.com/Products/7a650vngdz.html

SVF10N65T/F/K/S N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子的F-CellTM平面高压VDMOS工艺技术制造。[查看]

http://zm699.com/Products/10a650vngd.html

PN8124F芯片内部集成了脉宽调制控制器和高雪崩能力的功率MOSFET，适用于小功率非隔离开关电源。该芯片提供了的智能化保护功能，包括过流保护，过压保护，过载保护，欠压保护，过温保护；降频调制技术有助于EMI特性。该芯片还内置启动模块，保证系统能迅速启动。应用系统的外围元件更加简洁。[查看]

http://zm699.com/Products/djghxggjzl.html

SDC2068 是一款高精度原边反馈 LED 恒流控制芯片。芯片采用原边反馈（PSR）控制方式，无需副边反馈电路，外围元器件较少。[查看]

http://zm699.com/Products/gjdybfkled.html

SVS11N65T/F N沟道增强高压功率MOSFET采用士兰微电子DP MOS技术新平台制造，具有很低的传导损耗和开关损耗。[查看]

http://zm699.com/Products/11a650vdpm.html

SVS47N60PN N沟道增强高压功率MOSFET采用士兰微电子DP MOS技术新平台制造，具有很低的传导损耗和开关损耗。[查看]

http://zm699.com/Products/47a600vdpm.html

SVS4N60F/D/MJ N沟道增强高压功率MOSFET采用士兰微电子DP MOS技术新平台制造，具有很低的传导损耗和开关损耗。[查看]

http://zm699.com/Products/4a600vdpmo.html

SVS4N65F/D/MJ N沟道增强高压功率MOSFET采用士兰微电子DP MOS技术新平台制造，具有很低的传导损耗和开关损耗。[查看]

http://zm699.com/Products/4a650vdpmo.html

SVS6N60F/D/T/M/MJ N沟道增强高压功率MOSFET采用士兰微电子DP MOS技术新平台制造，具有很低的传导损耗和开关损耗。[查看]

http://zm699.com/Products/6a600vdpmo.html

SVS6N65F N沟道增强高压功率MOSFET采用士兰微电子DP MOS技术新平台制造，具有很低的传导损耗和开关损耗。[查看]

http://zm699.com/Products/6a650vdpmo.html