PN8136内部集成了脉宽调制控制器和功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源。该芯片提供了性能优异的智能化保护功能，包括周期式过流保护（外部可调）、过载保护、软启动功能。通过Hi-mode、Eco-mode、Burst-mode的三种脉冲功率调节模式混合技术和特殊器件低功耗结构技术实现了低的待机功耗、电压范围下的效率。良好的EMI表现由频率调制技术和SoftDriver技术充分保证。该芯片还内置智能启动模块。PN8136为需要低待机功耗的高性价比反激式开关电源系统提供了一个的实现平台，非常适合五级能效Lever5、 Eur2.0、能源之星的应用。[查看]

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PN8137内部集成了脉宽调制控制器和功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源。该芯片提供了性能优异的智能化保护功能，包括周期式过流保护（外部可调）、过载保护、软启动功能。通过Hi-mode、Eco-mode、Burst-mode的三种脉冲功率调节模式混合技术和特殊器件低功耗结构技术实现了低的待机功耗、电压范围下的效率。良好的EMI表现由频率调制技术和SoftDriver技术充分保证。该芯片还内置智能启动模块。非常适用于DVB领域。[查看]

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AP8022芯片内部集成了脉宽调制控制器和新一代的高可靠性功率MOSFET，适用于小功率离线式开关电源。该芯片提供的智能化保护功能，包括过流保护，过压保护，欠压保护，过温保护。[查看]

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PN8024R芯片内部集成了脉宽调制控制器和高雪崩能力的功率MOSFET，适用于小功率非隔离开关电源。[查看]

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PN8126F芯片内部集成了脉宽调制控制器和高雪崩能力的功率MOSFET，适用于小功率非隔离开关电源。[查看]

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BF6910AX/11AX是基于10/14/22个电容检测通道的芯片，它可以用来检测近距离感应或者触摸，其内置MCU,可灵活配置，通过配置可实现按键、滚轮，滑条等多种应用。 10/14/22个按键都能独立的运行，并且每个按键都能通过对相应的特殊功能寄存器写命令来调节灵敏度。 BF6910AX/11AX通过IIC与主机进行通信。 BF6910AX/11AX包含一个主频为24MHZ的单片机内核和一些其它外围设备[查看]

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BF6921A 是基于8/16 个电容检测电极的数字控制器。BF6921A 为使用者提供了低成本的触摸方案，配合程序可以实现按键、滑条、滚轮等应用。并把按键状态通过IO 口输出，如LED 等。 8/16 个按键都能独立的运行，并且每个按键都能通过对相应的特殊功能寄存器写命来 调节灵敏度。 BF6921A 通过 IIC 与主机进行通信。 BF6921A 包含一个主频为 32MHZ 的单片机内核和一些其他外围设备[查看]

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BF6971AS14 多可以支持17 路GPIO 的芯片，其中8 路GPIO 支持40mA 的灌电流，在驱动LED 时无需三极管等电流放大器件。BF6971AS14 含一路16bit 的PWM 输出模块。 BF6971AS14 通过IIC 或UART 与主机进行通信。 BF6971AS14 包含一个主频为24MHZ 的单片机内核和一些其他外围设备[查看]

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BF6912AX是基于11//22个电容检测通道的芯片，它可以用来检测近距离感应或者触摸，其内置MCU，可灵活配置，通过配置可实现按键、滚轮、滑条等多种应用。11/22个按键都能独立的运行，并且每个按键都能通过对相应的特殊功能寄存器写命令来调节灵敏度。[查看]

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BF6912AX是基于11//22个电容检测通道的芯片，它可以用来检测近距离感应或者触摸，其内置MCU，可灵活配置，通过配置可实现按键、滚轮、滑条等多种应用。11/22个按键都能独立的运行，并且每个按键都能通过对相应的特殊功能寄存器写命令来调节灵敏度。[查看]

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BF6911AX是基于10/14/22个电容检测通道的芯片，它可以用来检测近距离感应或者触摸，其内置MCU，可灵活配置，通过配置可实现按键、滚轮、滑条等多种应用。10/14/22个按键都能独立的运行，并且每个按键都能通过对相应的特殊功能寄存器写命令来调节灵敏度。[查看]

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SGT20N120NPTFDP7绝缘栅双极型晶体管采用新一代槽栅场截止（Trench Field Stop）工艺制作，具有低的导通损耗和开关损耗，正温度系数易于并联应用等特点。该产品可应用于感应加热UPS，SMPS以及PFC等领域。[查看]

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SGT15T120LR1P7绝缘栅双极型晶体管采用新一代槽栅场截止（Trench Field Stop）工艺制作，具有低的导通损耗和开关损耗，正温度系数易于并联应用等特点。该产品可应用于感应加热UPS，SMPS以及PFC等领域。[查看]

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SVF12N60T/F/SN沟道增强型功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子的F-CellTM平面VDMOS工艺技术制造。工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。该产品可广泛应用于AC-DC开关电源，DC-DC电源转换器，H桥PWM马达驱动。[查看]

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SVF10N60T/F/FG/S/KN沟道增强型功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子的F-CellTM平面高压VDMOS工艺技术制造。工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。该产品可广泛应用于AC-DC开关电源，DC-DC电源转换器，H桥PWM马达驱动。[查看]

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SVF8N60T/FN沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子F-CellTM平面高压VDMOS工艺技术制造。工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。该产品可广泛应用于AC-DC开关电源，DC-DC电源转换器，高压H桥PWM 马达驱动。[查看]

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SVF7N60T/F/S/K/MJ N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子的F-CellTM平面高压VDMOS工艺技术制造。工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及高的雪崩击穿耐量。该产品可广泛应用于AC-DC开关电源，DC-DC电源转换器，H桥PWM马达驱动。[查看]

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SVF4N60D/F/FG/T/K/M/MJN沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子的F-CellTM平面高压VDMOS工艺技术制造。工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。该产品可广泛应用于AC-DC开关电源，DC-DC电源转换器，高压H桥PWM马达驱动。[查看]

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SVF2N60M/MJ/N/F/T/DN 沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子的F-CellTM平面高压VDMOS工艺技术制造。工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。该产品可广泛应用于AC-DC开关电源，DC-DC电源转换器，高压H桥PWM马达驱动。[查看]

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CPS120B 是一种高品质、低成本的电容式压力传感器，集成了温度补偿和 A/D 转换器，数字信号输出。功耗极低(<1μA@25℃的休眠模式)，宽电压供电(2.3V～3.3V)。设计理念好，利用单晶硅结构作为传感器单元，压力端口位于传感器背部），使得 CPS120 能够在极端温度和其他恶劣环境下正常使用CPS120B 是基于 SIP(系统级封装)解决方案。[查看]

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