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11A,650V DP MOS功率管--SVS11N65T/F
SVS11N65T/F N沟道增强高压功率MOSFET采用士兰微电子DP MOS技术新平台制造,具有很低的传导损耗和开关损耗。[查看]
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47A,600V DP MOS功率管--SVS47N60PN
SVS47N60PN N沟道增强高压功率MOSFET采用士兰微电子DP MOS技术新平台制造,具有很低的传导损耗和开关损耗。[查看]
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4A,600V DP MOS功率管--SVS4N60F/D/MJ
SVS4N60F/D/MJ N沟道增强高压功率MOSFET采用士兰微电子DP MOS技术新平台制造,具有很低的传导损耗和开关损耗。[查看]
http://zm699.com/Products/4a600vdpmo.html3星
4A,650V DP MOS功率管--SVS4N65F/D/MJ
SVS4N65F/D/MJ N沟道增强高压功率MOSFET采用士兰微电子DP MOS技术新平台制造,具有很低的传导损耗和开关损耗。[查看]
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6A,600V DP MOS功率管--SVS6N60F/D/T/M/MJ
SVS6N60F/D/T/M/MJ N沟道增强高压功率MOSFET采用士兰微电子DP MOS技术新平台制造,具有很低的传导损耗和开关损耗。[查看]
http://zm699.com/Products/6a600vdpmo.html3星
6A,650V DP MOS功率管--SVS6N65F
SVS6N65F N沟道增强高压功率MOSFET采用士兰微电子DP MOS技术新平台制造,具有很低的传导损耗和开关损耗。[查看]
http://zm699.com/Products/6a650vdpmo.html3星
6A,700V DP MOS功率管--SVS6N70M/MJ/D
SVS6N70M/MJ/D N沟道增强高压功率MOSFET采用士兰微电子DP MOS技术新平台制造,具有很低的传导损耗和开关损耗。[查看]
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7A,600V DP MOS功率管--SVS7N60D/F
SVS7N60D/F N沟道增强高压功率MOSFET采用士兰微电子DP MOS技术新平台制造,具有很低的传导损耗和开关损耗。[查看]
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7A,650V DP MOS功率管--SVS7N65F/D
SVS7N65F/D N沟道增强高压功率MOSFET采用士兰微电子DP MOS技术新平台制造,具有很低的传导损耗和开关损耗。[查看]
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7A,700V DP MOS功率管--SVS7N70M/MJ/F
SVS7N70M/MJ/F N沟道增强高压功率MOSFET采用士兰微电子DP MOS技术新平台制造,具有很低的传导损耗和开关损耗。[查看]
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11A,600V DP MOS功率管--SVS11N60T/F
SVS11N60T/F N沟道增强高压功率MOSFET采用士兰微电子DP MOS技术新平台制造,具有很低的传导损耗和开关损耗。使得功率转换器高功率密度,提高热行为。[查看]
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范围输入电压的非隔离降压型 LED 恒流电源芯片--SDC2253
SDC2253是一款高精度降压型LED恒流驱动芯片。芯片内部集成 500V 功率管,工作电流很低,无需变压器辅助绕组检测和供电,极大的节约了系统成本和体积。[查看]
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适用于85V~265V 范围输入电压的非隔离降压型 LED 恒流电源芯片--SDC2256
SDC2256是一款高精度降压型LED恒流驱动芯片。芯片内部集成 500V 功率管,工作电流很低,无需变压器辅助绕组检测和供电,极大的节约了系统成本和体积。[查看]
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非隔离降压型 LED 恒流电源芯片--SDC2258
SDC2258是一款高精度降压型LED恒流驱动芯片。芯片内部集成 500V 功率管,工作电流很低,无需变压器辅助绕组检测和供电,极大的节约了系统成本和体积。[查看]
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芯朋微DC-DC升压芯片--AP2005
AP2005 是电流模式 DC-DC 升压转换器。它是内置 0.05欧姆功率 MOSFET的 PWM电路使转换器效率高。内部补偿电路也减少多达 6 个外部器件。误差放大器的同相输入端连接到一个精准的 0.6V基准电压。内部软启动功能,可降低浪涌电流。 AP2005 适应于 SOP8-PP 封装,为应用领域节省PCB空间。[查看]
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3A, 18V  同步整流降压转换器--AP2953A
AP2953A是一款单片同步整流降压稳压器,它集成了导通阻抗100m?的MOSFET,可以在很宽的输入电压范围(4.75V-18V)内提供3A的负载能力。电流模式控制使其具有的瞬态响应和单周期内的限流功能。 可调的软启动时间能避免开启瞬间的冲击电流,在停机 模式下,输入电流小于1uA。 AP2953A封装为SOP8-PP, 同时提供了紧凑的系统方案,可以限度的减少外围元件。[查看]
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MOS管 NCE65R540
The series of devices use advanced super junction technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. This super junction MOSFET fits the industry!ˉs AC-DC SMPS requirements for PFC, AC/DC power conversion, and industrial power applications.[查看]
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MOS管 NCE60P50
The NCE60P50 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. This device is well suited for high current load applications.[查看]
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MOS管 NCE90R1K2K新洁能代理商提供
The series of devices use advanced super junction echnology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. This super junction MOSFET fits the industry!ˉs AC-DC SMPS requirements for PFC, AC/DC power conversion, and industrial power applications.[查看]
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新洁能NCE提供MOS管 NCE0117场效应管
The NCE0117 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications.[查看]
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