本产品使用高性能的ARMCortex-M0为内核的32位微控制器，内嵌三相半桥栅极驱 动器与MOSFET。最高工作频率可达96MHz，内置高速存储器，丰富的I/O端口和外设连接到外部总线。本产品包含2个12位的ADC、2个比较器、2个运算放大器、1个16位通用定时器、1个32位通用定时器、3个16位基本定时器、和2个16位高级定时器。还包含标准的通信接口：1个I2C接口、1个SPI接口和2个UART接口。[查看]

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MM32SPIN023C是MindSPIN旗下的高性能32位运动控制驱动MCU，使用Cortex?-M0为内核，最高工作频率可达60MHz，内置32KB高速存储器，多达14个GPIO；内置3.3V输出的LDO 稳压器、内置连续电流2A的功率 MOSFETs三相驱动电路；集成了1路12位的模数转换器ADC、2路模拟比较器COMP、2路运算放大器OPAMP、1个32位通用定时器、3个16位基本定时器、1个16位高级定时器；1个USART接口可作为UART或SPI通信。本产品系列供电电压为6.5V～18V，工作环境温度范围为-40℃～105℃扩展型。[查看]

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PN7791是一款单相无刷直流电机驱动芯片，内部集成功率MOSFETs和霍尔效应传感器，可以驱动峰值电流1A以内的单相无刷直流风扇电机。PN7791通过PWM引脚输入的PWM信号控制转速，改变PWM输入占空比，控制输出速度。PN7791在FG/RD引I脚具有转速检测、显示转子锁定故障功能。为了减少风扇驱动器的噪音和功率损耗，PN7791具有软开关、可编程提前换向功能。PN7791集成了可编程转子锁定保护、过温保护、过压保护、欠压锁定、限流、短路保护等功能。[查看]

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PN7114是一款高压、高速的功率MOSFET和IGBT驱动芯片，其具有独立的高低侧输出通道。PN7114浮地通道能在600V的高压下工作，可用于驱动N沟道功率MOSFET或IGBT构成的半桥拓扑结构。其输入信号可以兼容CMOS和LSTTL信号，逻辑输入电平低至3V。芯片良好的延时匹配功能可以轻松的适用于高频应用场合。[查看]

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ID2016是为三相无刷直流电机驱动器应用而设计的栅极驱动IC。它能够驱动由六个N沟道功率MOSEFET组成的三个半桥。iDriver的高压制成工艺和共模噪声消除技术能够保证芯片在高 dv/dt噪声环境下正常运行。芯片内部保护功能包括防过冲死区时间以及VCC和VBS欠压保护功能。[查看]

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PN7902Q是一款隔离式单通道栅极驱动芯片，该芯片可以作为大功率MOSFET、IGBT和SiC的驱动开关。PN7902Q至少提供5A的隔离输出电流，并且具有3A拉电流的米勒钳位功能。输入逻辑控制管脚IN+和IN-能够在3.1V到24V的宽输入电压范围内工作。[查看]

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PN7921是一款隔离式双通道栅极驱动芯片，该芯片可以作为大功率MOSFET和IGBT的驱动开关。PN7921每一路提供4A拉电流和8A灌电流的峰值电流，并且具有较小的传播延时和脉冲宽度失真。[查看]

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LP7801D电源管理芯片是一款专为小容量锂电池充电/放电应用设计的单芯片解决方案IC，集成了线性充电管理模块、超低功耗同步升压放电管理模块，内置功率MOS，充电电流外部可编程，最大充电电流1A。LP7801D集成了充电指示、输入过压保护、恒温度电功能；放电部分，升压输出5.1V、负载电流能力500mA，待机功耗1uA，带EN控制功能，控制EN可完全关断输出电压，内置过流、过温保护功能，工作频率1.2MHz，支持2.2uH小电感应用；针对小容量锂电池系统的应用，提供简单易用的解决方案。LP7801D采用的封装形式为ESOP-8[查看]

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LP7801TE是一款专为小容量锂电池充电/放电应用设计的单芯片解决方案IC，集成了线性充电管理模块、超低功耗同步升压放电管理模块，内置功率MOS，充电电流外部可编程，最大充电电流1A。LP7801TE集成了充电指示、输入过压保护、电池温度检测功能及恒温度充电功能。放电部分，升压输出5.1V，负载电流能力500mA，待机功耗1μA，带EN控制功能，控制EN可完全关断输出电压，内置过流、过温保护功能，工作频率1.2MHz，支持2.2μH小电感应用。针对小容量锂电池系统的应用，提供简单易用的解决方案。LP7801TE采用的封装形式为ESOP-8。[查看]

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LP7802T是一款专为小容量锂电池充电/放电应用设计的单芯片解决方案IC，集成了线性充电管理模块、同步升压、控制模块、状态指示、负载识别、双路独立放电模块。充电管理内置过压保护功能，输入耐压高达30V，内置功率MOS，充电电流外部可编程，最大充电电流1A，充电器电流自适应功能，充电状态指示功能。放电管理内置同步升压，双路独立负载接入识别、EN控制开关功能。双路独立放电电流检测功能，电流外部可编程，放电电流小于设定值自动截止放电。内置放电指示、低电提示功能，双通道状态输出功能。针对小容量锂电池系统的应用，提供简单易用的解决方案。LP7802T采用的封装形式为QFN16（3mm*3mm）。[查看]

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LP7804T是一款专为小容量锂电池充电/放电应用设计的单芯片解决方案IC，集成了线性充电管理模块、同步升压、控制模块、状态指示、负载识别、双路独立放电模块。充电管理内置过压保护功能，输入耐压高达30V，内置功率MOS，充电电流外部可编程，最大充电电流1A，充电器电流自适应功能，充电状态指示功能。[查看]

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AP8002电源管理芯片集成PFM控制器及730V高可靠性MOSFET，用于外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源。AP8002内置730V高压启动，实现系统快速启动、超低待机功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能，包括过载保护，逐周期过流保护，过温保护。另外AP8002具有优异的EMI特性。[查看]

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PN8032集成PFM控制器及600V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源。PN8032内置600V高压启动模块，实现系统快速启动、超低待机功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能，包括过载保护，过温保护。另外PN8032的降频调制技术有助于改善EMI特性[查看]

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AP8011芯片内部集成了脉宽调制控制器和功率MOSFET，专用于Buck式结构开关电源。该芯片提供了完整的智能化保护功能，包括过流保护、过压保护、过温保护、电源欠压锁定功能。间歇工作模式能够降低系统处于待机模式时的功耗。该芯片还内置高压启动模块，保证系统能迅速启动。[查看]

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NSG27511单通道高速低侧栅极驱动器器件可有效驱动金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）和绝缘栅极双极型晶体管（IGBT）电源开关。NSG27511采用的设计方案可最大程度减少击穿电流，从而为电容负载提供较高的峰值拉/灌电流脉冲，同时提供到轨驱动能力以及超短的传播延迟。[查看]

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NSG2103是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。NSG2103 采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至 3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。NSG2103其浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET，浮地通道最高工作电压可达700V。NSG2103采用SOIC8封装，可以在-40℃至125℃温度范围内工作。[查看]

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NSG2104是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。NSG2104采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至 3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。 NSG2104其浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率 MOSFET，浮地通道最高工作电压可达700V。NSG2104采用SOIC8封装，可以在-40℃至125℃温度范围内工作。[查看]

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NSG2105是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。NSG2105采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至 3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。NSG2105其浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET，浮地通道最高工作电压可达700V。NSG2105采用SOIC8封装，可以在-40℃至125℃温度范围内工作。[查看]

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NSG2106是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。NSG2106采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至 3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。NSG2106其浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET，浮地通道最高工作电压可达700V。NSG2106采用SOIC8封装，可以在-40℃至125℃温度范围内工作。[查看]

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NSG6000R是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道，适用于5A以内MOS的直接驱动。NSG6000R采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。NSG6000R 其浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET，浮地通道最高工作电压可达600V。NSG6000R采用 SOP8 封装，可以在-40℃至125℃温度范围内工作。[查看]

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