PN8750内部集成了多模式PWM控制器及800V高可靠性智能功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源。PN8750根据输入电压、输出电压和负载自适应切换全频PWM、PFM、低频PWM和BurstMode，实现了全负载范围内的高效率。内置800V高压启动模块，实现了系统快速启动以及超低的待机功耗。频率调制技术充分保证系统良好的EMI表现。优异的软启动功能降低了启机时的功率器件应力。同时，PN8750还提供了极为全面和性能优异的智能化保护功能，包括输入过欠压保护、输出过载保护、逐周期过流保护、过温保护、输出过压保护等。[查看]

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G2021Q是一组高压、高速功率MOSFET高低侧驱动 芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。G2021Q 采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单 芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或 LSTTL 逻辑输出电平，输出具有大电流脉冲能力和防 直通的死区逻辑。G2021Q其浮动通道可用于驱动高 压侧N沟道功率MOSFET，浮地通道最高工作电压可 达250V。G2021Q采用 DFN8封装，可以在-40℃至 125℃温度范围内工作。[查看]

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G2022Q是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。G2022Q采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平，输出具有大电流脉冲能力和防直通的死区逻辑。G2022Q其浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET，浮地通道最高工作电压可达250V。G2022Q采用DFN2X3-8封装，可以在-40℃至125℃温度范围内工作。[查看]

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G2020Q是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。G2020Q采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL 逻辑输出电平，输出具有大电流脉冲能力和防直通的死区逻辑。G2020Q其浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET，浮地通道最高工作电压可达250V。G2020Q采用 DFN8封装，可以在-40℃至125℃温度范围内工作。[查看]

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NSG2118 是一款高压、高速功率MOSFET高侧驱动 芯片。NSG2118 逻辑输入电平兼容低至 3.3V 的 CMOS或LSTTL逻辑输出电平。NSG2118其浮动通 道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET，浮地通道 最高工作电压可达700V。NSG2118采用SOP8封装， 可以在-40℃至125℃温度范围内工作。[查看]

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NSG2003 是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱 动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。 NSG2003采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电 路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的 CMOS或LSTTL逻辑输出电平，输出具有大电流脉冲 能力和防直通的死区逻辑。NSG2003其浮动通道可用 于驱动高压侧N沟道功率MOSFET，浮地通道最高工 作电压可达250V。NSG2003集成有自举二极管，对 高侧进行充电，简化了芯片外围电路。NSG2003采用 SOIC8封装，可以在-40℃至125℃温度范围内工作。[查看]

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NSG2008是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。NSG2008采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平，输出具有大电流脉冲能力和防直通的死区逻辑。NSG2008其浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET，浮地通道最高工作电压可达250V。NSG2008集成有自举二极管，对高侧进行充电，简化了芯片外围电路。NSG2008采用SOIC8封装，可以在-40℃至125℃温度范围内工作。[查看]

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NSG3100C 4A栅极驱动器设计为通过在短开关间隔内提供高峰值电流脉冲，驱动低边开关应用驱动中的一个N沟道增强MOSFET。此驱动器可以提供NSG3100C输入阈值。内部电路可使输出保持低电平状态。NSG3100C提供快速MOSFET开关性能，可在高频功率转换器设计中最大限度提高效率。[查看]

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NSG3111C是一款单通道超高速功率开关驱动器，通过在短开关间隔内提供高峰值电流脉冲，驱动低边开关应用驱动中的一个N沟道增强MOSFET。此驱动器为CMOS逻辑输入。NSG3111C提供快速MOSFET开关性能，可在高频功率转换器设计中最大限度提高效率。[查看]

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NSG27517是一款低电压功率MOSFET和IGBT同相位栅驱动器。专有的闩锁免疫CMOS技术可以实现高鲁棒性的单芯片集成结构。NSG27517逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。输出驱动器具有宽VCC范围、带滞后的欠压锁定和输出电流缓冲级。可以在-40℃至125℃温度范围内工作。[查看]

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NSG1415/6是一款低电压功率MOSFET和IGBT同相位栅驱动器。专有的闩锁免疫CMOS技术可以实现高鲁棒性的单芯片集成结构。NSG1415/6逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。输出驱动器具有宽VCC范围、带滞后的欠压锁定和输出电流缓冲级。可以在-40℃至125℃温度范围内工作。[查看]

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AGM4013A-CP采用先进沟槽型MOSFET工艺搭配低阻封装，可实现极低的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于负载开关及电池保护场景。[查看]

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AGM318MAP采用先进沟槽型MOSFET工艺搭配低阻封装，实现极低的导通电阻（RDS(ON)）。该器件适用于负载开关及电池保护类电路。[查看]

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AGM218MAP器件融合先进沟槽型MOSFET工艺与低阻封装设计，实现极低的导通电阻（RDS(ON)），适用于负载开关及电池保护场景。[查看]

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AGM310MD芯片采用先进沟槽型MOSFET工艺，并搭配低阻封装设计，实现极低的导通电阻RDS (ON)。该器件非常适用于负载开关与电池保护电路场景。[查看]

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AGM6070A采用先进的沟槽MOSFET技术搭配低阻封装，实现极低的导通电阻R?DS(ON)?。该器件非常适用于负载开关以及电池保护类应用。[查看]

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NSH156PQ是一款15A、600V半桥智能功率模块，面向电机驱动应用开发。器件采用小型5×6mm PQFN封装，集成15A/600V MOSFET栅极驱动器与自举电路功能，可灵活用于单相、三相直流无刷电机驱动。[查看]

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PN8054P集成PFM控制器及690V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源。PN8054P内置高压启动模块，实现系统快速启动、超低待机功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能，包括VDD欠压保护，过温保护。另外PN8054P的降频调制技术有助于改善EMI特性。[查看]

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NSH706PQ是一款7A、600V半桥智能功率模块，适用于电机驱动场景。该器件采用小型5×6mm PQFN封装，集成7A/600V MOSFET栅极驱动器与自举电路功能，可灵活应用于单相及三相直流无刷电机驱动。[查看]

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NSMD12S60C1是高度集成、高可靠性的三相无刷直流电机驱动电路，主要应用于风扇类的小功率电机驱动。该模块内置了6个功率MOS管和3个半桥高压栅极驱动电路。NSMD12S60C1内部集成了欠压保护功能，提供了优异的保护和失效保护操作。由于每一相都有一个独立的负直流端，其电流可以分别单独检测。NSMD12S60C1采用了高绝缘、易导热和低电磁干扰的设计，提供了非常紧凑的封装体，使用非常方便，尤其适合内置于电机的应用和要求紧凑安装的场合。[查看]

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