IP2369是一款集成AFC/FCP/PD2.0/PD3.0/PD3.1 等输入输出快充协议和同步升降压转换器的锂电池充放电管理芯片，充放电功率高达45W；IP2369的高集成度与丰富功能，内部集成 BUCK-BOOST升降压功率NMOS，只需一个电感实现同步降升压功能，在应用时仅需极少的外围器件，有效减小整体方案的尺寸，降低BOM成本。[查看]

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PN6360H集成PFM控制器及800V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于外围元器件精简的非隔离开关电源，输出电压可通过FB电阻调整，PN6360H内置高压启动模块，实现系统快速启动、超低待机、自供电功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能，包括过载保护，欠压保护，过温保护。[查看]

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SVSP60R033P7HD4 N沟道增强型高压功率MOSFET采用士兰微电子超结MOS技术制造，具有很低的传导损耗和开关损耗，使得功率转换器具有高效，高功率密度，提高热行为。此外， SVSP60R033P7HD4 应用广泛。如，适用于硬/软开关拓扑。[查看]

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SVSP60R090P7(L)(FJD)(T)(S)HD4 N沟道增强型高压功率MOSFET采用士兰微电子超结MOS技术制造，具有很低的传导损耗和开关损耗，使得功率转换器具有高效，高功率密度，提高热行为。此外，SVSP60R090P7(L)(FJD)(T)(S)HD4 应用广泛。如适用于硬/软开关拓扑。[查看]

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SVSP60R090P7(L)(FJD)(T)(S)HD4 N沟道增强型高压功率MOSFET采用士兰微电子超结MOS技术制造，具有很低的传导损耗和开关损耗，使得功率转换器具有高效，高功率密度，提高热行为。此外，SVSP60R090P7(L)(FJD)(T)(S)HD4应用广泛。如，适用于硬/软开关拓扑。[查看]

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PN8733电源管理芯片内部集成了脉搏控制控制器和功率率MOSFET，专用于高性能，外国元器件精筒的交直流转换开关电源。该芯片提供了极为全面和性能优异的智能化保护功能，包括周期式过流保护(外部可调)，过载保护，过压保护，CS短路保护，软启动功能。通辻Hi-mode.Eco-mode.Burst-mode的三种脉冲功率调节模式混合技木和特殊器件低功耗结构技木突现了超低的待机功耗，全电压范围下的最佳效率。良好的EMI表现由频率调制技术和Soft Driver技术充分保证。该芯片还内置智能高压启动模快。PN8733为需求超低待机功耗的高性价比反激式开关电源系统提供了一个先进的实现平台，非常适合智能电表，Eur2.o.能源之星的应用。[查看]

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PN8601W是一款同步整流控制芯片，主要用于在高性能AC/DC反激系统中驱动次级同步整流MOS管以提升转换效率，适用于CCM、DCM和QR多种工作模式，使系统效率可以满足6级能效标准。[查看]

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PN8309H同步整流控制芯片包括同步整流控制器及N型功率MOSFET，用于在高性能AC/DC反激系统中替代次级整流肖特基二极管。PN8309H内置电压降极低的功率MOSFET以提高电流输出能力，提升转换效率，使得系统效率可以满足6级能效的标准，并留有足够的裕量。PN8309H集成了极为全面的辅助功能，包含电源欠压保护、最小导通时间等功能。双供电电源设计支持低压侧应用时更宽的输出电压范围，并得到更好的可靠性。[查看]

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AP8265是-款电流模脉宽调制控制器,专用于高性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源。该芯片工作于准谐振开关模式，通过检测变压器的消磁信号，芯片使外部功率MOS管在谷底开通。集成的线电压前馈补偿功能可根据输入电压来调整电感峰值电流以保持全电压范围内功率恒定。准谐振工作模式以及轻载条件下的降频模式实现了全电压范围下的最佳效率和超低的待机功耗。AP8265提供了极为全面和性能优异的智能化保护功能，包括周期式过流保护(外部可调) .VDD欠压保护、VDD箝位保护、软启动、DMG外部使能等功能。为需要超低待机功耗的高性价比反激式开关电源系统提供了- -个先进的实现平台。[查看]

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概述 PN8715H内部集成了脉宽调制控制器和功率MOSFET,专用于高性能，外围元器件精简的交直流转换开关电源。非常适合工业辅助电源、电源适配器等应用。PN8715H芯片内置智能高压启动模块，无需启动电阻。芯片内部集成误差放大器，可设计于反激非隔离或者隔离应用环境，满足不同的应用需求。芯片通过PWM模式，降频模式、BM模式三种工作模式混合调节，以及特殊器件低功耗结构技术实现了超低的待机功耗。全电压范围下的最佳效率。驱动优化和频率调制使得芯片具有良好的EMI表现。同时，PN8715H提供了极为全面和性能优异的智能化保护功能，包括过载保护、逐周期过流保护、VDD过压保护、线电压过压保护、线电压欠压保护、CS短路保护、过温保护。[查看]

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PN8192C集成PFM控制器以及730V高可靠性MOSFET，用于高性能、外围元器件精简、低功耗的交直流转换电源。PN8192C内置730V高压启动与自供电模块，实现系统快速启动、超低待机、自供电功能。同时该芯片提供了完整的智能化保护功能，包括过流保护，过载保护，过温保护等。[查看]

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PN8145T电源管理芯片内部集成了脉宽调制控制器和功率MOSFET,专用于高性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源。该芯片提供了极为全面和性能优异的智能化保护功能，包括周期式过流保护(外部可调) .过载保护、过压保护、CS短路保护、软启动功能。通过Hi-mode.Eco-mode.Burst-mode的三种脉冲功率调节模式混合技术和特殊器件低功耗结构技术实现了超低的待机功耗，全电压范围下的最佳效率。[查看]

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PN8143T电源管理芯片内部集成了脉宽调制控制器和功率MOSFET，专用于高性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源。该芯片提供了极为全面和性能优异的智能化保护功能，包括周期式过流保护（外部可调）、过载保护、过压保护、CS短路保护、软启动功能。[查看]

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PN8580电源管理芯片集成低待机功耗准谐振原边控制器及650V高雪崩能力功率MOSFET,用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。PN8580为原边反馈工作模式，可 省略光耦和TL431。 在恒压模式，采用准谐振与多模式技术提高效率并消除音频噪声,使得系统满足6级能效标准，可调输出线补偿功能能使系统获得较好的负载调整率;在恒流模式，输 出电流和功率可通过Cs脚的电阻进行调节。该芯片提供了极为全面的智能保护功能，包含逐周期过流保护、过压保护、开环保护、过温保护、输出短路保护和CS开路保护等。[查看]

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PN8680P电源管理芯片集成超低待机功耗原边控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。PN8680P为原边反馈工作模式，可省略光耦和TL431。内置高压启动电路，可实现芯片空载损耗（230VAC）小于50mW。[查看]

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PN6795C电源管理芯片集成超低待机功耗准谐振原边控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。PN6795C为原边反馈工作模式，可省略光耦和TL431，支持CCM和DCM两种工作模式。[查看]

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ID7S625半桥驱动芯片是一款基于P衬底、 P外延的高压、高速功率的MOSFET和IGBT栅极驱动器，具有独立的高低侧输出通道。其浮地通道能工作在600V的高压下，可用于驱动一个N 沟道功率.MOSFE或IGBT半桥拓扑结构。输入信号可以兼容CMOS和LSTTL信号，逻辑输入电平低至3V。具有大电流输出能力。ID7S625半桥驱动芯片内置的延时匹配功能可以为更好的 适配高频应用。[查看]

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PN8018电源管理芯片集成PFM控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源。PN8018内置高压启动模块，实现系统快速启动、超低待机 功能。PN8018电源管理芯片提供了完整的智能化保护功能，包括过载保护，欠压保护，过温保护。另外PN8018的降频调制技术有助于改善EMI特性。[查看]

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PN8035集成PFM控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源。PN8035内置高压启动模块，实现系统快速启动、超低待机功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能，包括过载保护，欠压保护，过温保护。另外PN8035的降频调制技术有助于改善EMI特性。[查看]

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PN8009电源管理芯片集成PFM控制器及650V高可靠性MOSFET，用于外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源。PN8009内置650V高压启动，实现系统快速启动、超低待机功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能，包括过载保护，欠压保护，过温保护。另外PN8009电源管理芯片具有优异的EMI特性。[查看]

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