AP8504基于高ya同步整流架构，集成PFM控制器以及650V高可靠性MOSFET，用于外围元器件的小功率非隔离开关电源。AP8504内置650V高ya启动，实现系统迅速启动、低待机功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能，包括过流保护，欠压保护，过温保护。另外AP8504具有EMI特性。[查看]

http://zm699.com/Products/tbzljggd5v.html

PN8162内部集成了准谐振工作模式的电流模式控制器和功率MOSFET，用于高的性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源。该芯片提供了较为全和性能良好的保护功能，包括输出过压保护、逐周期过流保护、过载保护、软启动、输入欠压保护功能。通过QR-PWM、QR-PFM、Burst-mode的三种模式混合调制技术和特殊器件低功耗结构技术实现了低的待机功耗、全电压范围下的效率。频率调制技术和Soft Driver技术充分保证良好的EMI表现。[查看]

http://zm699.com/Products/zcpg20wxpg.html

IP6536是一款集成同步开关的降压转换器、支持DCP(BC1.2、Apple 和三星)输出协议，为车载充电器、适配器、智能排插、行车记录仪提供完.整的解.决方案。 IP6536内置功率MOS，输入电压范围是8V到32V，输出电压5V，能提供 3.1A的输出电流。VIN=12V,输出 5V/2.4A, IP6536的板端转换效率达 92.4%。 IP6536的输出具有CV/CC特性，当输出电流小于设定值，输出CV模式，输出电压恒定；当输出电流大于设定值，输出CC模式，输出电压降低。[查看]

http://zm699.com/Products/jcdcpscxyd.html

PN6710H集成低待机功耗准谐振原边控制器及800V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。PN6710H为原边反馈工作模式，可省略光耦和TL431。内置启动电路，可实现芯片空载损耗（230VAC）小于75mW。在恒压模式，采用准谐振与多模式技术音频噪声，使得系统满足6级能效 标准，可调输出线补偿功能能使系统获得较好的负载调整率；在恒流模式，输出电流和功率可通过CS脚的电阻进行调节。 该芯片提供了智能保护功能，包含逐周期过流保护、过压保护、开环保护、过温保护、输出短路保护和CS开/短路保护，同时还集成AC电压过压保护和欠压保护功能，可通过系统分压电阻调节。[查看]

http://zm699.com/Products/ddjghzxzyb.html

IP6525S是一款集成同步开关的降压转换器、 支持多种输出快充协议，为车载充电器、快充适配器、智能排插提供完.整的解决方案。 IP6525S内置功率MOS，输入电压范围是5.2V到32V，输出电压范围是 3V到12V，能提供22.5W的输出功率，能够根据识别到的快充协议自动调整输出电压和电流，典型输出电压和电流有 5V/3.4A, 9V/2.0A，12V/1.5A。 IP6525S具有过流点自动调节功能，当SCP,低压快充协议握手成功后，支持5V/4.5A，4.5V/5A。 IP6525S的输出电压带有线补功能，输出电流增大后会相应提高输出电压，用以补偿连接线阻抗 引起的电压下降。 IP6525S具有软启动功能，可以防止启动时的冲击电流影响输入电源的稳定。[查看]

http://zm699.com/Products/sc225wjckc.html

PN8173集成PFM控制器及800V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于高性能、外围元器件的交直流转换开关电源。 PN8173内置800V高压启动与自供电模块，实现系统快速启动、待机、自供电功能。该芯片提供了完整的智能化保护 功能，包括过流保护，过载保护，欠压保护，过温保护。另外PN8173的降频调制技术有助于EMI特性。[查看]

http://zm699.com/Products/zgdgnjzlzh.html

PN8175集成PFM控制器及800V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源。 PN8175内置800V高压启动与自供电模块，实现系统快速启动、待机、自供电功能。该芯片提供了智能化保护 功能，包括过流保护，过载保护，欠压保护，过温保护。另外PN8175的降频调制技术有助于EMI特性。[查看]

http://zm699.com/Products/zgdmkdjzld.html

AP5057是一个单片锂离子电池恒流/恒压线性电源管理芯片，其SOP封装和较少的外围元件适合应用于便携式产品，而且AP5057设计适用于USB的供电规格。基于内部MOSFET结构，不需要外部感应电阻和隔离二极管，当外部环境温度过高或在大功率工作时，热反馈可以调节充电电流以降低芯片温度。充电电压被固定在4.2V，充电电流可通过外部电阻设置。当充电电流在达到浮充电压之后设定值1/10 时，AP5057 将自动停止充电循环。[查看]

http://zm699.com/Products/cysop8fz1a.html

PN8008集成PFM控制器及650V高可靠性MOSFET，用于外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源.PN8008内置650V高压启动，实现系统启动、待机功能。该芯片提供了智能化保护功能，包括过载保护，欠压保护，过温保护。另外PN8008具有优异的EMI特性。[查看]

http://zm699.com/Products/nz650vxglf.html

PN8390集成待机功耗准谐振原边控制器及650V高雪崩能力智能功率 MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置 电源。PN8390为原边反馈工作模式，可省略光耦和TL431，支持CCM和DCM两种工作模式。内置高压启动电路，可实现系统空载待机损耗（230VAC）小于50mW。在恒压模式，采用准谐振、多模式技术共同音频噪声，使得系统满足6级能效标准，而特有频率抖 动技术可实现较好的 EMI特性；在恒流模式，输出电流和功率可通过CS脚的电阻进行调节。该芯片提供了智能保护功能，包含 逐周期过流保护、过压保护、开环保护、过温保护、输出短路保护和CS开/短路保护等，同时还集成AC电压欠压保护功能，可通过FB分压电 阻调节。[查看]

http://zm699.com/Products/zcccmmszxz.html

PN8161内部集成了准谐振工作模式的电流模式控制器和功率MOSFET，用于性能高、外围元器件较简的交直流转换开关电源。该芯片提供了保护功能，包括输出过压保护、周期式过流保护、过载保护、软启动、输入欠压保护功能。通过QR-PWM、QR-PFM、Burst-mode的三种模式混合调制技术和特殊器件低功耗结构技术实现了待机功耗、电压范围下的效率。频率调制技术和Soft Driver技术充分保证良好的EMI表现。[查看]

http://zm699.com/Products/jclzxzgzms.html

PN8611集成待机功耗原边控制器、FB下偏电阻和电容、VDD供电二极管、CS电阻及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于性能高、外围元器件较简的充电器、适配器和内置电源。PN8611为原边反馈工作模式，可省略光耦和TL431。内置高压启动电路，可实现芯片空载损耗（230VAC）小于50mW。在恒压模式，采用多模式技术消 除音频噪声，使得系统满足6级能效标准，内置输出线补偿功能使系统获得较好的负载调整率。该芯片提供了智能保护功能，包含逐周期过流保护、过压保护、开环保护、过温保护和输出短路保护等。[查看]

http://zm699.com/Products/jcdjghybkz.html

AP5056是一个单片锂离子电池恒流/恒压线性电源管理芯片，其 SOP/MSOP封装和较少的外围元件适合应用于便携式产品，而且 AP5056专门设计适用于USB的供电规格。基于内部MOSFET结构，不需要外部感应电阻和隔离二极管，当外部环境温度过高或在大功率工作时，热反馈可以调节充电电流以降低芯片温度。充电电压被固定4.2V，充电电流可通过外部电阻设置。当充电电流在达到浮充电压之后降到设定值1/10时，AP5056将自动停止充电循环。[查看]

http://zm699.com/Products/cysop8msop.html

IP6805U是一款无线充电发射端控制SoC芯片，兼.容WPC Qi v1.2.4新标准，支持A11或A11a线圈，支持5W充电。IP6805U通过analog ping检测到无线接收器，并建立与接收端之间的通信，则开始功率传输。IP6805U解码从接收器发送的通信数据包，然后用PID算法来改变振荡 频率从而调整线圈上的输出功率。一旦接收器上的电池充满电时，IP6805U终止电力传输。 IP6805U片内集成驱动电路和功率MOS，电压&电流两路 ASK通讯解调模块；方案集成度高，可降低方案尺寸和BOM成本。[查看]

http://zm699.com/Products/fhiphone12.html

PN8043集成PFM控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于外围元器件较简的小功率非隔离开关电源。PN8043内置高压启动模块，实现系统启动、待机功能。该芯片提供保护功能，包括过载保护，欠压保护，过温保护。另外PN8043的降频调制技术有助于EMI特性。(注：可替代进口品牌OB,替代型号：OB2228,封装：SOP,替换说明：兼容，不改PCB,不改外围参数，稳态18V 450mA@220V)[查看]

http://zm699.com/Products/wwyqjjjfgl.html

PN8177集成PFM控制器及800V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源。PN8177内置800V高压启动与自供电模块，实现系统启动、待机、自供电功能。该芯片提供了智能化保护功能，包括过流保护，过载保护，欠压保护，过温保护。另外PN8177的降频调制技术有助于EMI特性。[查看]

http://zm699.com/Products/zgdmknz800.html

PN8024A芯片内部集成了脉宽调制控制器和高雪崩能力的功率MOSFET，适用于小功率反激原边反馈开关电源。该芯片提供了智能化保护功能，包括过流保护，过压保护，过载保护，欠压保护，过温保护；降频调制技术有助于EMI特性。该芯片还内置启动模块，保证系统能迅速启动。应用系统的外围元件更加简洁。[查看]

http://zm699.com/Products/fjxlgjzlzh.html

PN8347Q内置高精度的准谐振恒流控制器和功率MOSFET，用于高可靠、外围元器件较简的中小功率LED照明。该芯片搭建反激系统可省略光耦、TL431；采用的恒流控制专利技术可节省变压器辅助绕组，内置启动电路省去了外部的启动电阻。该芯片提供了较的自恢复保护功能，包含逐周期过流保护、开环保护、过温调节、Rcs开路保护和LED开/短路保护等。准谐振的控制技术、内置启动电路和芯片功耗有助于获取较高的工作效率。在恒流模式下，输出电流可通过CS脚的Rcs电阻进行调节。[查看]

http://zm699.com/Products/jdgpsrsrzl.html

PN8370F集成待机功耗准谐振原边控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于性能高、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。PN8370F为原边反馈工作模式，可省略光耦和TL431。内置启动电路，可实现芯片空载损耗（230VAC）小于30mW。在恒压模式，采用准谐振与多模式技术音频噪声，使得系统满足6级能效标准，可调输出线补偿功能能使系统获得较好的负载调整率；在恒流模式，输出电流和功率可通过CS脚的电阻进行调节。该芯片提供了智能保护功能，包含逐周期过流保护、过压保护、开环保护、过温保护、输出短路保护和CS开/短路保护等。[查看]

http://zm699.com/Products/wwyqjjjzxz.html

PN7707是一款具有低功耗睡眠模式的两通道直流马达驱动芯片，其可以控制马达进入正转、反转、刹车、滑行和功耗睡眠模式。该芯片集成了欠压保护、过温保护、输出短路保护和外部可调节驱动限流等功能，并且可以将错误状态反馈给MCU，保障马达工作。该芯片的两个输入管脚IN1和IN2兼容5V和3.3V信号控制，具有抗干扰性。芯片驱动级为HVCMOS结构，高侧导通电阻0.3ohm，低侧导通电阻0.3ohm。[查看]

http://zm699.com/Products/jydghsmmsw.html