PN7011是-款具有独立高低侧输出通道的高压高速驱动器,浮动通道可用于驱动高压电源开关，其工作电压高达150V,该芯片具有以下几个主要性能，峰值输出上拉和下拉电流提高到4A拉电流和4A灌电流，因此在MOSFET的米勒平台转换期间用尽可能小的开关损耗驱动大功率MOSFET。[查看]

http://zm699.com/Products/gdczjqdxpp.html

PN7335是- .款三相栅极驱动芯片，它能工作在600V的高压下，可用于驱动6个N沟道MOSFET或IGBT的三相全桥拓扑结构。输入信号可以兼容CMOS和LSTTL信号，逻辑输入电平低至3.3V.芯片集成过流检测功能，当检测到过流信号时会关断6路驱动输出信号。芯片具有使能功能可同时控制6路输出信号的开关。芯片内置了开-漏极输出的FAULT功能，可用于提示过流或欠压导致芯片输出关断情况的发生。芯片集成了RCIN输入功能，当芯片发出FAULT信号后，可通过外接的RC网络来复位FAULT信号。芯片具有高脉冲电流输出能力和防直通逻辑保护功能。芯片内部设计的延时匹配功能可以为高频应用提供很高的可靠性。[查看]

http://zm699.com/Products/gysxzjqdxp.html

IP6557是一款集成升降压控制器和路径NMOS的控制功能，支持QC2.0/QC3.0/QC3+/QC4+/QC5/FCP/HSCP/AFC/MTK/UFCS ，以及USB-C接口PD3.1/PPS/ERP28V输出快充协议的SOC，为车载充电器提供完整的电源解决方案。[查看]

http://zm699.com/Products/kcxysjykzq.html

PN7715是一款具有超低功耗睡眠模式的四通道直流马达驱动芯片，其可以控制马达进入正转、反转和超低功耗睡眠模式。该芯片集成了欠压保护、过温保护、输出短路保护等功能。该芯 片的两个输入管脚IN1和IN2兼容5V和3.3V信号控制，具有良好的抗干扰性。芯片驱动级为HVCMOS结构，高侧导通电阻0.5ohm，低侧导通电阻0.3ohm。[查看]

http://zm699.com/Products/jycdgh88smms.html

PN7709是--款具有低功耗睡眠模式的两通道直流马达驱动芯片，其可以控制马达进入正转、反转、刹车、滑行和超低功耗睡眠模式。该芯片集成了欠压保护、过温保护、输出短路保护和外部可调节驱动限流等功能，并且可以将错误状态反馈给MCU，保障马达安全工作。该芯片的两个输入管脚IN1和IN2兼容5V和3.3V信号控制，具有良好的抗干扰性。芯片驱动级为HVCMOS结构，高侧导通电阻0.06ohm，低侧导通电阻0.06ohm。芯片采用SOP8-PP封装，具有良好的散热性能。[查看]

http://zm699.com/Products/jydghsmmsd.html

PN7713是一款具有低功耗睡眠模式的四通道直流马达驱动芯片，其可以驱动一个步进电机、两个直流电机或者两通道并联驱动一个直流电机，控制马达进入正转、反转、刹车、滑行和超低功耗睡眠模式。该芯片集成了欠压保护、过温保护、输出短路保护和外部可调节驱动限流等功能，并且可以将错误状态反馈给MCU，保障马达安全工作。该芯片的四个输入管脚AIN1、AIN2、BIN1和BIN2兼容5V和3.3V信号控制，具有良好的抗干扰性。芯片驱动级为HVCMOS 结构 ，高侧导通电阻0.25ohm，低侧导通电阻0.25ohm。[查看]

http://zm699.com/Products/jyd555ghsmmsw.html

PN8054E集成PFM控制器及670V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源。PN8054E内置高压启动模块，实现系统快速启动、超低待机功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能，包括过载保护，欠压保护，过温保护。另外PN8054E的降频调制技术有助于改善EMI特性。[查看]

http://zm699.com/Products/8054E.html

PN8058P集成PFM控制器及690V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源。PN8058P内置 高压启动模块,实现系统快速启动、超低待机功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能，包括过载保护，欠压保护，过温保护。另外PN8058P的降频调制技术有助于改善EMI特性。[查看]

http://zm699.com/Products/gxnfgljzlz.html

IDS609是一款基于P衬底、P外延的高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动芯片。其浮地通道能工作在600V的高压下。可用于驱动2个N沟道功率MOSFET或IGBT构成的半桥拓扑结构。输入信号可以兼容CMOS和LSTTL信号，逻辑输入电平低至3.3V。具有大电流输出能力，输入端具有有效电平逻辑互锁功能，能够有效的防止输出功率管共态导通。芯片良好的延时匹配功能可以轻松的适用于高频应用场合。[查看]

http://zm699.com/Products/gygdczjqdx.html

PN7736是一款具有保护功能的四通道低侧驱动器，其内部低侧集成了四个N沟道MOSFET，高侧集成了四个功率二=极管，可为电感负载提供续提供1.5A 持续输出电流;同时输出时可提供800mA的持续工作电流。该芯片输出由简单的并行输入接口控制，内部集成了欠压保护、过温保护、输出短路保护等功能。[查看]

http://zm699.com/Products/ssctdbxjkd.html

PN7001L是一款单通道、高速低侧栅极驱动芯 片，该芯片可以作为功率MOSFET和IGBT的驱 片，该芯片可以作为功率MOSFETIGBT和的驱 动开关。PN7001L的 输出可以提供3.5A拉/灌电 动开关.PN7001L的输出可以提供3.5A拉/灌电 流的峰值电流脉冲，且输入信号到输出信号传 流的峰值电流脉冲，且输入信号到输出信号传 播延时典型值为20ns。该芯片的IN+输入管脚兼 播延时典型值为20 ns。该芯片的IN+输入管脚兼 容5V和3.3V信号控制，具有良好的抗干扰性。 容5V和3.3V信号控制，具有良好的抗干扰性。 芯片驱动级为HVCMOS结构，高侧导通电阻 芯片驱动级为hvcmos结构，高侧导通电阻 1.4ohm,低侧导通电阻0.8ohm。 1.4欧姆，低侧导通电阻0.8欧姆。 过温保护、输出短路保护等功能。[查看]

http://zm699.com/Products/dtddczjqdx.html

PN7193是- -款单相半桥智能功率模块，用于无刷电机驱动，模块内部集成一- 颗智能HVIC和两.颗低Rs(on)的FR-MOSFET。模块采用CSOP10封装，使用非常方便。输入兼容CMOS和LSTTL信号，逻辑输入电平兼容3..3V/5V/15V。模块内置多种保护功能，包括电源欠压保护、过流保护、过温保护;模块集成输入信号互锁、输出死区、开-漏极输出的FAULT和输入的使能等功能。[查看]

http://zm699.com/Products/600vgxnbqm.html

PN7195是- -款单相半桥智能功率模块，用于无刷电机驱动，模块内部集成- - 颗智能HVIC和两颗低Rs(on)的FR-MOSFET。模块采用CSOP10封装，使用非常方便。输入兼容CMOS和LSTTL信号，逻辑输入电平兼容3.3V/5V/15V。模块内置多种保护功能，包括电源欠压保护、过流保护、过温保护;模块集成输入信号互锁、输出死区、开-漏极输出的F AULT和输入的使能等功能。[查看]

http://zm699.com/Products/600-15vgxnbqq.html

IP2313是一款5V输入，VIN高耐压，支持单节锂电池同步开关降压充电管理的IC。 IP2313集成功率MOS，采用同步开关架构，使其在应用时需较少的外围器件，并减小整体方案的尺寸，降低BOM成本。 IP2313的同步开关降压充电转换器工作频率为750KHz；5V输入，电池电压为3.7V时，转换效率为93%。IP2313输入电压为5V，输入可以自动调节充电电流，匹配适配器负载能力。 IP2313采用ESOP8封装。[查看]

http://zm699.com/Products/vingnydjld.html

IP2365是一款集成同步开关的降压转换器、支持1~4串锂电池/锂离子电池降压充电管理IC。 IP2365内臵功率MOS，采用同步开关架构，开关频率250kHz，转换效率达95%。 IP2365的工作输入电压范围是4.5V到26V，输入可以智能调节充电电流，防止拉挂适配器。支持外接电阻调节输入欠压保护电压。 IP2365支持外接电阻调节充电电流，支持3A的电池端充电电流。[查看]

http://zm699.com/Products/14cldcllzd.html

IP2312是一款5V输入，支持单节锂电池同步开关降压充电管理的IC。 IP2312集成功率MOS，采用同步开关架构，使其在应用时较少的外围器件，并减小整体方案的尺寸，降低BOM成本。 IP2312的升压开关充电转换器工作频率750KHz，充电电流是3A，5V输入，3.7V/2A转换效率94%;可通过外部电阻设置充电电流。 IP2312输入电压为5V，输入可以智能调节充电电流，防止拉挂适配器。 IP2312采用ESOP8封装。[查看]

http://zm699.com/Products/djldctbkgj.html

AP5056是一个完整的单片锂离子电池恒流/恒压线性电源管理芯片，其SOP/MSOP 封装和较少的外围元件非常适合应用于便携式产品，而且 AP5056专门设计适用于USB的供电规格。基于内部MOSFET结构，不需要外部感应电阻和隔离二极管，当外部环境温度过高或在大功率工作时，热反馈可以调节充电电流以降低芯片温度。充电电压被固定在4.2V，充电电流可通过外部电阻设置。当充电电流在达到浮充电压之后降至设定值 1/10 时，AP5056 将自动终止充电循环。 当输入端（适配器或USB电源）拔掉后，AP5056自动进入低电流状态，电池漏电流将降到2μA以下。 AP5056还可被设置于停机状态，使电源电流降到50μA。 其余特性包括：电池温度监测，欠压锁闭，自动再充电和两个状态引脚以显示充电和充电终止。[查看]

http://zm699.com/Products/1axxldccdq.html

The NCE3010S uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications.[查看]

http://zm699.com/Products/ngdzqxglmo.html

The NCE4080K uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications.[查看]

http://zm699.com/Products/zqxglmosng.html

The series of devices uses Super Trench II technology that is uniquely optimized to provide the most efficient high frequency switching performance. Both conduction and switching power losses are minimized due to an extremely low combination of RDS(ON) and Qg. This device is ideal for high-frequency switching and synchronous rectification.[查看]

http://zm699.com/Products/ntdcjgciig.html