Power MOSFET is fabricated using the VDSS advanced planer VDMOS technology.The resulting device has low conduction resistance,superior switching performance and high avalanche energy.[查看]

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Power MOSFET is fabricated using the VDSS advanced planer VDMOS technology. The resulting device has low conduction resistance,superior switching performance and high avalanche energy.[查看]

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PN6147内部集成了脉宽调制控制器和功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源。该芯片提供性能优异的智能化保护功能，包括周期式过流保护（外部可调）、过载保护、过压保护、CS短路保护、软启动功能。通过Hi-mode、Eco-mode、Burst-mode的三种脉冲功率调节模式混合技术和器件低功耗结构技术实现了的待机功耗、电压范围下的效率。良好的EMI表现由频率调制技术和Soft Driver技术充分保证。该芯片还内置智能高压启动模块。PN6147为需要待机功耗的高性价比反激式开关电源系统提供了一个平台，非常适合六级能效标准、Eur2.0、能源之星的应用。[查看]

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PN6013集成待机功耗准谐振原边控制器及高雪崩能力智能功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。PN6013为原边反馈工作模式，可省略光耦和TL431。内置高压启动电路，可实现芯片空载损耗（230VAC）小于50mW。在恒压模式，采用准谐振与多模式技术清除音频噪声，使得系统满足6级能效标准，可调输出线补偿功能能使系统获得较好的负载调整率；在恒流模式，输出电流和功率可通过CS脚的电阻进行调节。该芯片提供的智能保护功能，包含逐周期过流保护、过压保护、开环保护、过温保护、输出短路保护和CS开/短路保护等。[查看]

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The AT5221 Series are CMOS-based voltage regulator ICs with high output voltage accuracy, low supply current, low ON-resistance, and high ripple rejection. Each of these ICs consists of a voltage reference unit, an error amplifier resistor- net for voltage setting, a current limit and s hort c ircuited p rotection circuits, and a chip enable circuit.[查看]

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The AT5250/AT5250A series voltage regulators are specifically designed for use as a power source for video instruments, handheld communication equipment, and battery powered equipment. The AT5250/AT5250A series voltage regulator ICs feature a high accuracy output voltage and low GND current.[查看]

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The AT5231/AT5231T Series are CMOS-based voltage regulator ICs with high output voltage accuracy, low supply current, low ON-resistance. Each of these ICs consists of a voltage reference unit, an error amplifier, resistor-net for voltage setting, a current limit circuit and a chip enable circuit.[查看]

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PN8680M集成待机功耗原边控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。PN8680M为原边反馈工作模式，可省略光耦和TL431。内置启动电路，可实现芯片空载损耗（230VAC）小于50mW。在恒压模式，采用多模式技术清除音频噪声，使得系统满足6级能效标准，可调输出线补偿功能能使系统获得较好的负载调整率；在恒流模式，输出电流和功率可通过CS脚的电阻进行调节。该芯片提供的智能保护功能，包含逐周期过流保护、过压保护、开环保护、过温保护、输出短路保护和CS开/短路保护等。(注:PN8680M与ob2500 pin to pin.)[查看]

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PN6005集成PFM控制器及200V高雪崩能力智能功率 MOSFET，用于外围元器件的小功率非隔离开关电源。 PN6005内置200V高压启动与自供电模块，实现系统快速启动、待机、自供电功能。该芯片提供了智能化保护 功能，包括过载保护，欠压保护，过温保护。另外PN6005的降频调制技术有助于EMI特性。[查看]

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PN8308H包括同步整流控制器及N型功率MOSFET，用于在高性能AC/DC反激系统中替代次级整流肖特基二极管。 PN8308H内置电压降低的功率MOSFET以提高电流输出能力，提升转换效率，使得系统效率可以满足6级能效的标准，并留有足够的裕量。PN8308H集成的辅助功能，包含输出欠压保护、导通时间等功能。[查看]

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PN8360P包括高精度的恒压、恒流原边控制器及功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的充电器和LED照明。 PN8360P工作在原边检测模式，可省略光耦和TL431。该芯片提供的自恢复保护功能，包含逐周期过流保护、过压保护、开环保护、过温保护、输出短路保护和CS电阻开/短路保护等。内置启动电路和芯片工作电流使得系统能够满足较高的待机功耗标准。在恒流模式，输出电流和功率可通过 CS脚的Rs电阻进行调节；在恒压模式，PFM工作模式可获得高的性能和效率。轻载时，该芯片采用较小的峰值电流工作以减小音频噪声。[查看]

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AP8505M基于高压同步整流架构，集成PFM控制器以及500V高可靠性MOSFET，用于外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源。AP8505M内置500V高压启动，实现系统快速启动、待机功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能，包括过流保护，欠压保护，过温保护。另外AP8505M具有优异的EMI特性。[查看]

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PN7103 是一款基于 P衬底、P外延的高压、高速功率 MOSFET和 IGBT驱动芯片。其浮地通道能工作在600V的高压下，可用于驱动 2个N型功率 MOSFET或 IGBT组成的半桥结构。该芯片逻辑输入电平兼容 3.3V的CMOS或 LSTTL逻辑输出电平。输出具有大电流脉冲能力。传输延时具有匹配性，以简化在高频下的应用。[查看]

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PN8011集成PFM控制器及800V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源，输出电压可通过FB电阻调整。PN8011内置800V高压启动与自供电模块，实现系统快速启动、待机、自供电功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能，包括过载保护，欠压保护，过温保护。另外PN8011的降频调制技术有助于 EMI特性。[查看]

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IP6527是一款集成同步开关的降压转换器、支持 14种输出快充协议、支持Type-C输出和USB PD2.0/PD3.0(PPS)协议的 SoC，为车载充电器、 快充适配器、智能排插提供的解决方案。IP6527支持USB Type-C或者USB A输出，总功率 5V/3.6A。IP6527内置功率MOS，输入电压范围是8.2V到 32V，输出电压范围是3V到20V，能提供45W的输出功率，能够根据识别到的快充协议自动调整输出电压和电流。IP6527输出5V/3A，板端转换效率达96.5%。[查看]

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PN8007集成PFM控制器及650V高可靠性MOSFET，用于外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源。 PN8007内置650V高压启动，实现系统快速启动、待机功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能，包括过载保护，欠压保护，过温保护。另外PN8007具有优异的EMI特性。[查看]

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PN7336是-款用于三相全桥栅极驱动芯片，内置三个独立的半桥驱动电路，可用于高压，高速MOSFET和IGBT，输入信号可以兼容CMOS和LSTTL信号，逻辑输入电平低至3.3V，芯片内部集成了过流检测功能，当检测到过流信号时会关断6路驱动输出信号，芯片集成了一个漏极开路啊FAULT功能指示，可用于提示过流或欠压导致芯片输出关断的情况，在通过连接到RCIN输入的RC网络进行外部编程的延迟后，过电流故障条件将条件将自动清除。芯片内置的延时匹配功能可简化在高频中应用。[查看]

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PN8386P集成待机功耗准谐振原边控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。PN8386P为原边反馈工作模式，可省略光耦和TL431。内置高压启动电路，可实现芯片空载损耗（264VAC）小于50mW。在恒压模式，采用准谐振与多模式技术清除音频噪声，使得系统满足 6级能 效标准，可调输出线补偿功能能使系统获得较好的负载调整率；在恒流模式，输出电流和功率可通过CS脚的电阻进行调节。该芯片提供包含逐周期过流保护、过压保护、开环保护、过温保护、输出短路保护和CS开/短路保护等。[查看]

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PN8034C集成PFM控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源。 PN8034C内置高压启动模块，实现系统快速启动、待机功能。该芯片提供了智能化保护功能，包括过载保护，欠压保护，过温保护。另外PN8034C的降频调制技术有助于EMI特性。[查看]

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PN8161内部集成了准谐振工作的电流模式控制器和功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源。该芯片提供性能优异的智能化保护功能，包括输出过压保护、周期式过流保护、过载保护、软启动功能。通过QR-PWM、QR-PFM、Burst-mode的三种模式混合调制技术和器件低功耗结构技术实现了待机功耗、电压范围下的效率。频率调制技术和SoftDriver技术充分保证良好的EMI表现。[查看]

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