AP8003集成PFM控制器及500V高可靠性MOSFET，用于外围元器件精简的小功率非隔离开关电源。AP8003内置500V高压启动，实现系统快速启动、待机功能。该芯片提供的智能化保护功能，包括过载保护，欠压保护，过温保护。另外AP8003具有优异的EMI特性。[查看]

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PN6367集成零待机模式的准谐振原边控制器及典型720V高雪崩能力智能功率MOSFET，适用于高性能、外围元器件精简的智能断路器电源。PN6367为原边反馈工作模式，可省略光耦和TL431，并且PN6367提供可控零待机模式，此时相线电流平均值可小于0.10mA。在恒压模式，输出电压通过FB脚的电阻比例进行调节；在恒流模式，输出电流通过CS脚的电阻值进行调节。该芯片还提供的智能保护功能，包含逐周期过流保护、过压保护、开环保护、过温保护、输出短路保护和CS 开/短路保护等。[查看]

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PN6380集成准谐振原边控制器及200V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的低直流输入电压隔离电源和电动自行车内置电源。PN6380为原边反馈工作模式，可省略光耦和TL431。内置启动电路，可实现芯片空载损耗（120VDC）小于150mW。在恒压模式，采用准谐振与多模式技术清除音频噪声，可调输出线补偿功能能使系统获得较好的负载调整率；在恒流模式，输出电流和功率可通过CS脚的电阻进行调节。该芯片提供了智能保护功能，包含逐周期过流保护、过压保护、开环保护、过温保护、输出短路保护和CS开/短路保护等。[查看]

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PN6055集成PFM控制器及200V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于外围元器件精简的小功率非隔离开关电源,固定输出电压。PN6055内置200V高压启动模块，实现系统快速启动、待机功能。该芯片提供的智能化保护功能，包括过载保护，欠压保护，过温保护。另外PN6055的降频调制技术有助于EMI特性。[查看]

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PN8359包括高精度的恒压、恒流原边控制器及功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的充电器和LED照明。PN8359工作在原边检测和调整模式，可省略光耦和TL431。该芯片提供了自恢复保护功能，包含逐周期过流保护、过压保护、开环保护、过温保护、输出短路保护和CS开/短路保护等。内置高压启动电路和极低的芯片功耗使得能够满足较高的待机功耗标准。在恒流模式，电流和输出功率可通过CS脚的Rs电阻进行调节；在恒压模式，PFM工作模式可获得较高的性能和效率。轻载时，该芯片采用较小的峰值电流工作以减小音频噪声。另外，输出线补偿功能有助于获得较好的负载调整率。[查看]

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AP2952是一款单片同步整流降压稳压器，它集成了导通阻抗130m?的MOSFET，可以在很宽的输入电压范围（4.75V-18V）内提供2A的负载能力。电流模式控制使其具有很好的瞬态响应和单周期内的限流功能。 可调的软启动时间能避免开启瞬间的冲击电流，在停机模式下，输入电流小于1uA。 AP2952封装为SOP8, 同时提供了紧凑的系统方案，可以限度的减少外围元件。[查看]

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AP2952A是一款单片同步整流降压稳压器，它集成了导通阻抗130m?的MOSFET，可以在很宽的输入电压范围（4.75V-18V）内提供2A的负载能力。电流模式控制使其具有很好的瞬态响应和单周期内的限流功能。 可调的软启动时间能避免开启瞬间的冲击电流，在停机模式下，输入电流小于1uA。 AP2952A封装为SOP8-PP, 同时提供了紧凑的系统方案，可以限度的减少外围元件。[查看]

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PN8366集成待机功耗准谐振原边控制器及高雪崩能力智能功率MOSFET(PN8366M 700V, PN8366H 800V)，用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。PN8366为原边反馈工作模式，可省略光耦和TL431。内置启动电路，可实现芯片空载损耗（230VAC）小于30mW。在恒压模式，采用准谐振与多模式技术清除音频噪声，使得系统满足6级能效标准，可调输出线补偿功能能使系统获得较好的负载调整率；在恒流模式，输出电流和功率可通过CS脚的电阻进行调节。该芯片提供了的智能保护功能，包含逐周期过流保护、过压保护、开环保护、过温保护、输出短路保护和CS开/短路保护等。[查看]

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AP8022H芯片内部集成了脉宽调制控制器和800V高雪崩能力智能功率MOSFET，适用于小功率离线式开关电源。该芯片提供的智能化保护功能，包括过流保护，欠压保护，过温保护和软启动功能。间歇工作模式能够降低系统处于待机模式时的功耗；抖频技术有助于EMI特性。该芯片还内置高压启动模块，保证系统能迅速启动。[查看]

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AP8012H芯片内部集成了脉宽调制控制器和功率MOSFET，适用于小功率离线式开关电源。该芯片提供了完整的智能化保护功能，包括过流保护，欠压保护，过压保护，过温保护和软启动功能。间歇工作模式能够降低系统处于待机模式时的功耗；抖频技术有助于EMI特性。该芯片还内置高压启动模块，保证系统能迅速启动。[查看]

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PN8306H包括同步整流控制器及高雪崩能力功率MOSFET，用于在高性能AC/DC反激系统中替代次级整流肖特基二极管。PN8306H内置电压降低的功率MOSFET以提高电流输出能力，提升转换效率，使得系统效率可以满足6级能效的标准，并留有足够的裕量。PN8306H集成的辅助功能，包含输出欠压保护、输出过压钳位、防误开启等功能。[查看]

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IP6510是一款集成同步开关的降压转换器、支持9 种输出快.充协议、支持Type-C 输出和USB PD协议，为车载充电器、快.充适配器、智能排插提供完.整的解决方案。 IP6510内置功率MOS，输入电压范围是4.5V到32V，输出电压范围是3V 到12V，能提供18W的输出功率，能够根据识别到的快.充协议自动调整输出电压和电流，典型输出电压和电流有：5V@3.1A，7V@2.4A，9V@2A，12V@1.5A。IP6510的降.压转换效率97%。[查看]

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IP6503是一款集成同步开关的降压转换器、支持DCP(BC1.2 Apple2.4A、三星)输出协议，为车载充电器、适配器、智能排插、行车记录仪提供解决方案。 IP6503内置功率MOS，输入电压范围是8V到32V，输出电压5V，能提供3.1A 的输出电流， IP6503 的降压转换效率94%。 IP6503的输出具有CV/CC 特性，当输出电流小于设定值，输出CV 模式，输出电压恒定；当输出电流大于设定值，输出CC模式，输出电压降低。 IP6503 的输出电压带有线补功能，输出电流增大后会相应提高输出电压，用以补偿连接线阻抗引起的电压下降。 IP6503 具有软启动功能，可以防止启动时的冲击电流影响输入电源的稳定。 IP6503 有多种保护功能，具有输入过压、欠压保护，输出过流、过压、欠压、短路保护等功能。[查看]

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SDH697XS是一款用于非隔离LED驱动的控制芯片，外围应用采取浮地Buck架构, 内置功率MOSFET和高压耗管。在该架构下，芯片采样电感电流进入内部，并利用内部误差放大器形成闭环反馈网络，从而达到高恒流精度和高输入/输出调整率。同时，芯片自带PFC控制，自动实现电压范围高PF值。芯片的临界导通模式减小开关损耗，提高系统转换效率。[查看]

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SDH697XD是一款用于非隔离LED驱动的控制芯片，外围应用采取浮地 Buck架构，内置功率MOSFET和耗管。在该架构下，芯片采样电感电流进入内部，并利用内部误差放大器形成闭环反馈网络，从而达到高恒流精度和高输入/输出调整率。同时，芯片自带PFC控制，自动实现电压范围高PF值。芯片的临界导通模式减小开关损耗，提高系统转换效率。[查看]

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The PN7101 is a high voltage, high speed power MOSFET and IGBT driver based on P_SUB P_EPI process. The floating channel driver can be used to drive two N-channel power MOSFET or IGBT independently which operates up to 600 V. Logic inputs are compatible with standard CMOS or LSTTL output, down to 3.3V logic. The output drivers feature a high pulse current buffer stage designed for minimum driver c[查看]

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The PN7103 is a high voltage, high speed power MOSFET and IGBT driver based on P_SUB P_EPI process. The floating channel driver can be used to drive two N-channel power MOSFET or IGBT in a half-bridge configuration which operates up to 600 V. Logic inputs are compatible with standard CMOS or LSTTL output, down to 3.3V logic.[查看]

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The PN7104 is a high voltage, high speed power MOSFET and IGBT driver based on P_SUB P_EPI process. The floating channel driver can be used to drive two N-channel power MOSFET or IGBT in a half-bridge configuration which operates up to 600 V. Logic inputs are compatible with standard CMOS or LSTTL output, down to 3.3V logic.[查看]

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The PN7113 is a high voltage, high speed power MOSFET and IGBT driver with independent high and low side referenced output channels based on P_SUB P_EPI process. The floating channel can be used to drive an N-channel power MOSFET or IGBT in the high side configuration which operates up to 600 V. Logic inputs are compatible with standard CMOS or LSTTL output, down to 3.3V logic.[查看]

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The PN7106A/B is a high voltage, high speed power MOSFET and IGBT driver based on P_SUB P_EPI process. The floating channel driver can be used to drive two N-channel power MOSFET or IGBT in a half-bridge configuration (versionB) or any other high-side& low-side configuration (version A) which operates up to 600V. Logic inputs are compatible with standard CMOS or LSTTL output, down to 3.3V logic.[查看]

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