- PN7719是一款具有功耗睡眠模式的四通道直流马达驱动芯片,其可以控制马达进入正转、反转和功耗睡眠模式。该芯片集成了欠压保护、过温保护、输出短路保护等功能。该芯片的两个输入管脚IN1和IN2兼容5V和3.3V信号控制,具有抗干扰性。芯片驱动级为HVCMOS结构,高侧导通电阻0.6ohm,低侧导通电阻0.4ohm。[查看]
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- IP2325是一款支持双节串联锂电池/锂离子电池的升压充电管理 IC。 IP2325集成功率 MOS,采用同步开关架构,使其在应用时需要较少的外围器件,减小整体方案的尺寸,降低BOM成本。 IP2325 的升压开关充电转换器工作频率500KHz; 5V输入,8V/1.2A 输出转换效率 93%;IP2325具有输入限压功能,可以智能调节充电电流,自适应适配器负载能力。 IP2325支持外接电阻来调整充电电压; IP2325集成NTC保护功能,配合NTC 电阻IP2325采用ESOP8封装。[查看]
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- PN8045集成PFM控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET,用于外围元器件较简的小功率非隔离开关电源。PN8045内置启动模块,实现系统启动、待机功能。该芯片提供了智能化保护功能,包括过载保护,欠压保护,过温保护。另外PN8045的降频调制技术有助于EMI特性。[查看]
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- AP8506基于高压同步整流架构,集成PFM控制器以及650V可靠性MOSFET,用于外围元器件精简的小功率非隔离开关电源。AP8506内置650V高压启动,实现系统快速启动、待机功能。该芯片提供了智能化保护功能,包括过流保护,欠压保护,过温保护。另外AP8506具有优异的EMI特性。[查看]
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- AP8006集成PFM控制器及650V高雪崩能力智能功率 MOSFET,用于外围元器件精简的小功率非隔离开关电源。 AP8006内置高压启动模块,实现系统快速启动、待机功能。该芯片提供了智能化保护功能,包括过载保护,欠压保护,过温保护。另外AP8006的降频调制技术有助于EMI特性。[查看]
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- PN6775H集成待机功耗原边控制器及高雪崩能力智能功率MOSFET,用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。PN6775H为原边反馈工作模式,可省略光耦和TL431。内置启动电路,可实现芯片空载损耗(230VAC)小于50mW。在恒压模式,采用多模式技术音频噪声,使得系统满足6级能效标准,可调输出线补偿功能能使系统获得较好的负载调整率;在恒流模式,输出电流和功率可通过CS脚的电阻进行调节。该芯片提供了智能保护功能,包含逐周期过流保护、过压保护、开环保护、过温保护、输出短路保护和CS开/短路保护等。[查看]
- http://zm699.com/Products/nzqddlybfk.html
- PN6780H集成待机功耗原边控制器及750V高雪崩能力智能功率MOSFET,用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。PN6780H为原边反馈工作模式,可省略光耦和TL431。内置高压启动电路,可实现芯片空载损耗(230VAC)小于50mW。在恒压模式,采用多模式技术音频噪声,使得系统满足6级能效标准,可调输出线补偿功能能使系统获得较好的负载调整率;在恒流模式,输出电流和功率可通过CS脚的电阻进行调节。该芯片提供的智能保护功能,包含逐周期过流保护、过压保护、开环保护、过温保护、输出短路保护和CS开/短路保护等。[查看]
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- PN6770H集成待机功耗原边控制器及750V高雪崩能力智能功率MOSFET,用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。PN6770H为原边反馈工作模式,可省略光耦和TL431。内置高压启动电路,可实现芯片空载损耗(230VAC)小于50mW。在恒压模式,采用多模式技术音频噪声,使得系统满足 6级能效标准,可调输出线补偿功能能使系统获得较好的负载调整率;在恒流模式,输出电流和功率可通过CS脚的电阻进行调节。该芯片提供了智能保护功能,包含逐周期过流保护、过压保护、开环保护、过温保护、输出短路保护和CS开/短路保护等。[查看]
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- IP6806是一款无线充电发射端控制SoC芯片,兼容WPC Qi v1.2.4标准,支持A11或 A11a线圈,支持5W、苹果7.5W、三星10W充电。IP6806通过 analog ping检测到无线接收器,并建立与接收端之间的通信,则开始功率传输。IP6806解码从接收器发送的通信数据包,然后用 PID算法来改变振荡频率从而调整线圈上的输出功率。一旦接收器上的电池充满电时,IP6806终止电力传输。 IP6806片内集成桥驱动电路和功率MOS,电压&电流两路 ASK通讯解调模块;方案集成度高,可降低方案尺寸和 BOM成本。[查看]
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- IP2326是一款支持双节串联锂电池/锂离子电池的升压充电管理IC。IP2326集成功率MOS,采用同步开关架构,使其在应用时需少的外围器件,并减.小整体方案的尺寸,降低BOM成本。IP2326的升压开关充电转换器工作频率500KHz;15W输入充电,5V输入,8V/1A输出转换效率 94%,8V/1.5A输出转换效率 92%。IP2326具有输入限压功能,可以智能调节充电电流,防止拉挂适配器。IP2326支持外接电阻来调整充电电流、充电电流 ..IP2326支持外接电阻来调整充电电流、充电电压、输入欠压阈值、输入过压阈值、充电超时阈值等参数;IP2326集成充电均衡电路,可在充电时检测每节电池的电压,保证 2节电池电压的均衡;IP2326集成NTC保护功能,配合NTC电阻.IP2326采用4*4mm QFN24封装。[查看]
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- PN8505A基于高压同步整流架构,集成PFM控制器以及550V高可靠性MOSFET,用于外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源。PN8505A内置550V高压启动,实现系统快速启动、待机功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能,包括过流保护,欠压保护,过温保护。另外PN8505A具有优异的EMI特性。[查看]
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- AP8005A集成PFM控制器及500V高雪崩能力智能功率 MOSFET,用于外围元器件精简的小功率非隔离开关电源。 AP8005A内置500V高压启动与自供电模块,实现系统快速启动、待机、自供电功能。该芯片提供的智能化保护功能,包括过载保护,欠压保护,过温保护。另外AP8005A的降频调制技术有助于EMI特性。[查看]
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- PN8395H集成待机功耗准谐振原边控制器及800V高雪崩能力智能功率MOSFET,用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。PN8395H为原边反馈工作模式,可省略光耦和TL431,支持CCM和DCM两种工作模式。内置高压启动电路,可实现芯片空载损耗(230VAC)小于50mW。在恒压模式,采用准谐振、多模式技术与PWM频率切换技术共同音频噪声,使得系统满足6级能效标准,频率抖动技术可实现较好的EMI特性;在恒流模式,输出电流和功率可通过CS脚的电阻进行调节。该芯片提供的智能保护功能,包含逐周期过流保护、过压保护、开环保护、过温保护、输出短路保护和CS开/短路保护等。[查看]
- http://zm699.com/Products/wwyqjjjdcd.html
- AP8507基于高压同步整流架构,集成PFM控制器以及500V高可靠性MOSFET,用于外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源。AP8507内置500V高压启动,实现系统快速启动、待机功能。该芯片提供了智能化保护功能,包括过载保护,欠压保护,过温保护。另外AP8507具有优异的EMI特性。[查看]
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- PN8200是一款具有两个端子的X电容放电用芯片,其待机损耗低同时能够满足电源系统的安规标准。PN8200内置了两个高压VDMOS开关,可有效的保护芯片避免雷击或浪涌的应力。芯片通过两个放电电阻接入到开关电源的交流输入端,当AC电压接入时,会有低的电流流进芯片,芯片的待机损耗功率在5mW以内,当AC电压断电后,可通过放电电 阻对X电容放电。放电电阻和X电容可灵活选择以优化系统的EMI性能。[查看]
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- PN6775集成待机功耗原边控制器及高雪崩能力智能功率MOSFET,用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。PN6775为原边反馈工作模式,可省略光耦和TL431。内置高压启动电路,可实现芯片空载损耗(230VAC)小于50mW。在恒压模式,采用多模式技术音频噪声,使得系统满足6级能效标准,可调输出线补偿功能能使系统获得较好的负载调整率;在恒流模式,输出电流和功率可通过CS脚的电阻进行调节。该芯片提供了极为智能保护功能,包含逐周期过流保护、过压保护、开环保护、过温保护、输出短路保护和CS开/短路保护等。[查看]
- http://zm699.com/Products/yygxnwwyqj.html
- Power MOSFET is fabricated using the VDSS advanced planer VDMOS technology. The resulting device has low conduction resistance,superior switching performance and high avalanche energy.[查看]
- http://zm699.com/Products/ltnqd650v2.html
- The Power MOSFET is fabricated using the advanced planar VDMOS technology. The resulting device has low conduction resistance,superior switching performance and high avalance energy.[查看]
- http://zm699.com/Products/ltnqd650v7.html
- Power MOSFET is fabricated using the VDSS advanced planer VDMOS technology. The resulting device has low conduction resistance,superior switching performance and high avalanche energy.[查看]
- http://zm699.com/Products/ltnqd650v1.html
- The Power MOSFET is fabricated using the advanced planar VDMOS technology. The resulting device has low conduction resistance,superior switching performance and high avalance energy.[查看]
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